公开(公告)号：US20140308769A1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：US14313691

申请日：2014-06-24

Applicant: The Regents of the University of California

Inventor： Robert M. Farrell ,  Michael Iza ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC: H01L21/02 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/02609 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/005 ,  H01L33/007 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343 ,  Y10T428/31

Abstract: A method for improving the growth morphology of (Ga,Al,In,B)N thin films on nonpolar or semipolar (Ga,Al,In,B)N substrates, wherein a (Ga,Al,In,B)N thin film is grown directly on a nonpolar or semipolar (Ga,Al,In,B)N substrate or template and a portion of the carrier gas used during growth is comprised of an inert gas. Nonpolar or semipolar nitride LEDs and diode lasers may be grown on the smooth (Ga,Al,In,B)N thin films grown by the present invention.

Abstract translation: （Ga，Al，In，B）N薄膜中的（Ga，Al，In，B）N薄膜的生长形态的改进方法，其中，（Ga，Al，In，B） 直接在非极性或半极性（Ga，Al，In，B）N底物或模板上生长，并且在生长期间使用的载体气体的一部分由惰性气体组成。 可以在由本发明生长的光滑（Ga，Al，In，B）N薄膜上生长非极性或半极性氮化物LED和二极管激光器。