公开(公告)号：US08460999B2

公开(公告)日：2013-06-11

申请号：US13067405

申请日：2011-05-31

申请人： Seung-Jae Baik ,  Hong-Suk Kim ,  Si-Young Choi ,  Ki-Hyun Hwang ,  Sang-Jin Hyun

发明人： Seung-Jae Baik ,  Hong-Suk Kim ,  Si-Young Choi ,  Ki-Hyun Hwang ,  Sang-Jin Hyun

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66833

摘要： A nonvolatile memory device may include: a tunnel insulating layer on a semiconductor substrate; a charge storage layer on the tunnel insulating layer; a blocking insulating layer on the charge storage layer; and a control gate electrode on the blocking insulating layer. The tunnel insulating layer may include a first tunnel insulating layer and a second tunnel insulating layer. The first tunnel insulating layer and the second tunnel insulating layer may be sequentially stacked on the semiconductor substrate. The second tunnel insulating layer may have a larger band gap than the first tunnel insulating layer. A method for fabricating a nonvolatile memory device may include: forming a tunnel insulating layer on a semiconductor substrate; forming a charge storage layer on the tunnel insulating layer; forming a blocking insulating layer on the charge storage layer; and forming a control gate electrode on the blocking insulating layer.

摘要翻译： 非易失性存储器件可以包括：半导体衬底上的隧道绝缘层; 隧道绝缘层上的电荷存储层; 电荷存储层上的阻挡绝缘层; 以及在所述阻挡绝缘层上的控制栅电极。 隧道绝缘层可以包括第一隧道绝缘层和第二隧道绝缘层。 第一隧道绝缘层和第二隧道绝缘层可以顺序堆叠在半导体衬底上。 第二隧道绝缘层可以具有比第一隧道绝缘层更大的带隙。 非易失性存储器件的制造方法可以包括：在半导体衬底上形成隧道绝缘层; 在隧道绝缘层上形成电荷存储层; 在电荷存储层上形成阻挡绝缘层; 以及在所述阻挡绝缘层上形成控制栅电极。

公开(公告)号：US07973355B2

公开(公告)日：2011-07-05

申请号：US12216945

申请日：2008-07-14

申请人： Seung-Jae Baik ,  Hong-Suk Kim ,  Si-Young Choi ,  Ki-Hyun Hwang ,  Sang-Jin Hyun

发明人： Seung-Jae Baik ,  Hong-Suk Kim ,  Si-Young Choi ,  Ki-Hyun Hwang ,  Sang-Jin Hyun

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66833

摘要： A nonvolatile memory device may include: a tunnel insulating layer on a semiconductor substrate; a charge storage layer on the tunnel insulating layer; a blocking insulating layer on the charge storage layer; and a control gate electrode on the blocking insulating layer. The tunnel insulating layer may include a first tunnel insulating layer and a second tunnel insulating layer. The first tunnel insulating layer and the second tunnel insulating layer may be sequentially stacked on the semiconductor substrate. The second tunnel insulating layer may have a larger band gap than the first tunnel insulating layer. A method for fabricating a nonvolatile memory device may include: forming a tunnel insulating layer on a semiconductor substrate; forming a charge storage layer on the tunnel insulating layer; forming a blocking insulating layer on the charge storage layer; and forming a control gate electrode on the blocking insulating layer.

摘要翻译： 非易失性存储器件可以包括：半导体衬底上的隧道绝缘层; 隧道绝缘层上的电荷存储层; 电荷存储层上的阻挡绝缘层; 以及在所述阻挡绝缘层上的控制栅电极。 隧道绝缘层可以包括第一隧道绝缘层和第二隧道绝缘层。 第一隧道绝缘层和第二隧道绝缘层可以顺序堆叠在半导体衬底上。 第二隧道绝缘层可以具有比第一隧道绝缘层更大的带隙。 非易失性存储器件的制造方法可以包括：在半导体衬底上形成隧道绝缘层; 在隧道绝缘层上形成电荷存储层; 在电荷存储层上形成阻挡绝缘层; 以及在所述阻挡绝缘层上形成控制栅电极。

公开(公告)号：US20090014781A1

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：US12216945

申请日：2008-07-14

申请人： Seung-Jae Baik ,  Hong-Suk Kim ,  Si-Young Choi ,  Ki-Hyun Hwang ,  Sang-Jin Hyun

发明人： Seung-Jae Baik ,  Hong-Suk Kim ,  Si-Young Choi ,  Ki-Hyun Hwang ,  Sang-Jin Hyun

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66833

摘要： A nonvolatile memory device may include: a tunnel insulating layer on a semiconductor substrate; a charge storage layer on the tunnel insulating layer; a blocking insulating layer on the charge storage layer; and a control gate electrode on the blocking insulating layer. The tunnel insulating layer may include a first tunnel insulating layer and a second tunnel insulating layer. The first tunnel insulating layer and the second tunnel insulating layer may be sequentially stacked on the semiconductor substrate. The second tunnel insulating layer may have a larger band gap than the first tunnel insulating layer. A method for fabricating a nonvolatile memory device may include: forming a tunnel insulating layer on a semiconductor substrate; forming a charge storage layer on the tunnel insulating layer; forming a blocking insulating layer on the charge storage layer; and forming a control gate electrode on the blocking insulating layer.

摘要翻译： 非易失性存储器件可以包括：半导体衬底上的隧道绝缘层; 隧道绝缘层上的电荷存储层; 电荷存储层上的阻挡绝缘层; 以及在所述阻挡绝缘层上的控制栅电极。 隧道绝缘层可以包括第一隧道绝缘层和第二隧道绝缘层。 第一隧道绝缘层和第二隧道绝缘层可以顺序地堆叠在半导体衬底上。 第二隧道绝缘层可以具有比第一隧道绝缘层更大的带隙。 非易失性存储器件的制造方法可以包括：在半导体衬底上形成隧道绝缘层; 在隧道绝缘层上形成电荷存储层; 在电荷存储层上形成阻挡绝缘层; 以及在所述阻挡绝缘层上形成控制栅电极。

公开(公告)号：US08227357B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US12730406

申请日：2010-03-24

申请人： In-Sun Yi ,  Ki-Hyun Hwang ,  Jin-Tae Noh ,  Jae-Young Ahn ,  Si-Young Choi

发明人： In-Sun Yi ,  Ki-Hyun Hwang ,  Jin-Tae Noh ,  Jae-Young Ahn ,  Si-Young Choi

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568

摘要： Methods of fabricating a silicon oxide layer using an inorganic silicon precursor and methods of fabricating a semiconductor device using the same are provided. The methods of fabricating a semiconductor device include forming a tunnel insulating layer and a charge storage layer on a substrate; forming a dielectric layer structure on the charge storage layer using an atomic layer deposition (ALD) method, the dielectric layer structure including a first dielectric layer formed of silicon oxide, a second dielectric layer on the first dielectric layer formed of a material different from the material forming the first dielectric layer, and a third dielectric layer formed of the silicon oxide on the second dielectric layer; and forming a control gate on the dielectric layer structure. The first and third dielectric layers formed of the silicon oxide are formed using a first gas including an inorganic silicon precursor, a second gas including hydrogen gas or a hydrogen component, and a third gas including an oxide gas.

摘要翻译： 提供了使用无机硅前体制造氧化硅层的方法和使用其制造半导体器件的方法。 制造半导体器件的方法包括在衬底上形成隧道绝缘层和电荷存储层; 使用原子层沉积（ALD）方法在所述电荷存储层上形成电介质层结构，所述电介质层结构包括由氧化硅形成的第一电介质层，所述第一电介质层上的第二电介质层由不同于 形成第一电介质层的材料和由第二电介质层上的氧化硅形成的第三电介质层; 以及在介电层结构上形成控制栅极。 由氧化硅形成的第一和第三电介质层使用包括无机硅前体的第一气体，包括氢气或氢组分的第二气体和包括氧化物气体的第三气体形成。

公开(公告)号：US20110237059A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US13067405

申请日：2011-05-31

申请人： Seung-Jae Baik ,  Hong-Suk Kim ,  Si-Young Choi ,  Ki-Hyun Hwang ,  Sang-Jin Hyun

发明人： Seung-Jae Baik ,  Hong-Suk Kim ,  Si-Young Choi ,  Ki-Hyun Hwang ,  Sang-Jin Hyun

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66833

摘要： A nonvolatile memory device may include: a tunnel insulating layer on a semiconductor substrate; a charge storage layer on the tunnel insulating layer; a blocking insulating layer on the charge storage layer; and a control gate electrode on the blocking insulating layer. The tunnel insulating layer may include a first tunnel insulating layer and a second tunnel insulating layer. The first tunnel insulating layer and the second tunnel insulating layer may be sequentially stacked on the semiconductor substrate. The second tunnel insulating layer may have a larger band gap than the first tunnel insulating layer. A method for fabricating a nonvolatile memory device may include: forming a tunnel insulating layer on a semiconductor substrate; forming a charge storage layer on the tunnel insulating layer; forming a blocking insulating layer on the charge storage layer; and forming a control gate electrode on the blocking insulating layer.

摘要翻译： 非易失性存储器件可以包括：半导体衬底上的隧道绝缘层; 隧道绝缘层上的电荷存储层; 电荷存储层上的阻挡绝缘层; 以及在所述阻挡绝缘层上的控制栅电极。 隧道绝缘层可以包括第一隧道绝缘层和第二隧道绝缘层。 第一隧道绝缘层和第二隧道绝缘层可以顺序堆叠在半导体衬底上。 第二隧道绝缘层可以具有比第一隧道绝缘层更大的带隙。 非易失性存储器件的制造方法可以包括：在半导体衬底上形成隧道绝缘层; 在隧道绝缘层上形成电荷存储层; 在电荷存储层上形成阻挡绝缘层; 以及在所述阻挡绝缘层上形成控制栅电极。

公开(公告)号：US20110237055A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US13053291

申请日：2011-03-22

申请人： Yong-hoon Son ,  Si-Young Choi ,  Myoung-Bum Lee ,  Ki-Hyun Hwang ,  Seung-Jae Baik ,  Jeong Hee Han

发明人： Yong-hoon Son ,  Si-Young Choi ,  Myoung-Bum Lee ,  Ki-Hyun Hwang ,  Seung-Jae Baik ,  Jeong Hee Han

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L27/11578 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1207

摘要： A stacked semiconductor device that is reliable by forming an insulating layer on a lower memory layer and by forming a single crystalline semiconductor in portions of the insulating layer. A method of manufacturing the stacked semiconductor device, including: providing a lower memory layer including a plurality of lower memory structures; forming an insulating layer on the lower memory layer; forming trenches by removing portions of the insulating layer; forming a preparatory semiconductor layer for filling the trenches; and forming a single crystalline semiconductor layer by phase-changing the preparatory semiconductor layer.

摘要翻译： 通过在下部存储层上形成绝缘层，在绝缘层的一部分形成单晶半导体，可靠的叠层型半导体装置。 一种制造叠层半导体器件的方法，包括：提供包括多个下部存储结构的下部存储层; 在下部存储层上形成绝缘层; 通过去除绝缘层的部分形成沟槽; 形成用于填充沟槽的准备半导体层; 以及通过相变所述预备半导体层来形成单晶半导体层。

公开(公告)号：US20100248465A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12730406

申请日：2010-03-24

申请人： In-Sun Yi ,  Ki-Hyun Hwang ,  Jin-Tae Noh ,  Jae-Young Ahn ,  Si-Young Choi

发明人： In-Sun Yi ,  Ki-Hyun Hwang ,  Jin-Tae Noh ,  Jae-Young Ahn ,  Si-Young Choi

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568

摘要： Methods of fabricating a silicon oxide layer using an inorganic silicon precursor and methods of fabricating a semiconductor device using the same are provided. The methods of fabricating a semiconductor device include forming a tunnel insulating layer and a charge storage layer on a substrate; forming a dielectric layer structure on the charge storage layer using an atomic layer deposition (ALD) method, the dielectric layer structure including a first dielectric layer formed of silicon oxide, a second dielectric layer on the first dielectric layer formed of a material different from the material forming the first dielectric layer, and a third dielectric layer formed of the silicon oxide on the second dielectric layer; and forming a control gate on the dielectric layer structure. The first and third dielectric layers formed of the silicon oxide are formed using a first gas including an inorganic silicon precursor, a second gas including hydrogen gas or a hydrogen component, and a third gas including an oxide gas.

摘要翻译： 提供了使用无机硅前体制造氧化硅层的方法和使用其制造半导体器件的方法。 制造半导体器件的方法包括在衬底上形成隧道绝缘层和电荷存储层; 使用原子层沉积（ALD）方法在所述电荷存储层上形成电介质层结构，所述电介质层结构包括由氧化硅形成的第一电介质层，所述第一电介质层上的第二电介质层由不同于 形成第一电介质层的材料和由第二电介质层上的氧化硅形成的第三电介质层; 以及在介电层结构上形成控制栅极。 由氧化硅形成的第一和第三电介质层使用包括无机硅前体的第一气体，包括氢气或氢组分的第二气体和包括氧化物气体的第三气体形成。

公开(公告)号：US07791130B2

公开(公告)日：2010-09-07

申请号：US12222568

申请日：2008-08-12

申请人： Seung-Jae Baik ,  Si-Young Choi ,  Ki-Hyun Hwang

发明人： Seung-Jae Baik ,  Si-Young Choi ,  Ki-Hyun Hwang

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L29/7923 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/42352

摘要： Example embodiments provide a non-volatile memory device and methods of forming the same. The non-volatile memory device may define an active region in a semiconductor substrate, and may include a device isolation layer extending in a first direction, bit lines in the semiconductor substrate, the bit lines extending in a second direction which intersects the first direction; word lines extending in the first direction and covering the active region; and charge storage patterns between the word lines and active region, wherein the charge storage patterns may be in pairs on both edges of the bit lines, and a pair of charge storage patterns may be spaced apart from each other by the word lines.

摘要翻译： 示例性实施例提供非易失性存储器件及其形成方法。 非易失性存储器件可以在半导体衬底中限定有源区，并且可以包括沿第一方向延伸的器件隔离层，半导体衬底中的位线，沿与第一方向相交的第二方向延伸的位线; 字线在第一方向上延伸并覆盖有源区; 并且对字线和有源区域之间的存储模式进行充电，其中电荷存储模式可以在位线的两个边缘上成对配对，并且一对电荷存储模式可以通过字线彼此间隔开。

公开(公告)号：US07511340B2

公开(公告)日：2009-03-31

申请号：US11779477

申请日：2007-07-18

申请人： Deok-Hyung Lee ,  Si-Young Choi ,  Byeong-Chan Lee ,  Chul-Sung Kim ,  In-Soo Jung ,  Jong-Ryeol Yoo

发明人： Deok-Hyung Lee ,  Si-Young Choi ,  Byeong-Chan Lee ,  Chul-Sung Kim ,  In-Soo Jung ,  Jong-Ryeol Yoo

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L27/10888 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/485 ,  H01L27/10894 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/90 ,  H01L2924/00

摘要： Semiconductor devices have gate structures on a semiconductor substrate with first spacers on sidewalls of the respective gate structures. First contact pads are positioned between the gate structures and have heights lower than the heights of the gate structures. Second spacers are disposed on sidewalls of the first spacers and on exposed sidewalls of the first contact pads. Second contact pads are disposed on the first contact pads.

摘要翻译： 半导体器件在半导体衬底上具有栅极结构，在相应栅极结构的侧壁上具有第一间隔物。 第一接触垫位于栅极结构之间并且具有低于栅极结构的高度的高度。 第二间隔件设置在第一间隔件的侧壁和第一接触垫的暴露的侧壁上。 第二接触垫设置在第一接触垫上。

公开(公告)号：US06849520B2

公开(公告)日：2005-02-01

申请号：US10685518

申请日：2003-10-16

申请人： Chul-Sung Kim ,  Si-Young Choi ,  Jung-Woo Park ,  Jong-Ryol Ryu ,  Byeong-Chan Lee

发明人： Chul-Sung Kim ,  Si-Young Choi ,  Jung-Woo Park ,  Jong-Ryol Ryu ,  Byeong-Chan Lee

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76224

摘要： A trench isolation in a semiconductor device, and a method for fabricating the same, includes: forming a trench having inner sidewalls for device isolation in a silicon substrate; forming an oxide layer on a surface of the silicon substrate that forms the inner sidewalls of the trench; supplying healing elements to the silicon substrate to remove dangling bonds; and filling the trench with a device isolation layer, thereby forming the trench isolation without dangling bonds causing electrical charge traps.

摘要翻译： 半导体器件中的沟槽隔离及其制造方法包括：在硅衬底中形成具有用于器件隔离的内侧壁的沟槽; 在形成沟槽的内侧壁的硅衬底的表面上形成氧化物层; 向硅衬底提供愈合元件以去除悬挂键; 并用器件隔离层填充沟槽，从而形成沟槽隔离，而不产生悬挂键导致电荷陷阱。