公开(公告)号：US06872965B2

公开(公告)日：2005-03-29

申请号：US10020460

申请日：2001-12-18

申请人： Jun Ito ,  Toshiaki Chiyo ,  Naoki Shibata ,  Hiroshi Watanabe ,  Shizuyo Asami ,  Shinya Asami

发明人： Jun Ito ,  Toshiaki Chiyo ,  Naoki Shibata ,  Hiroshi Watanabe ,  Shizuyo Asami ,  Shinya Asami

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L33/0075

摘要： An undercoat layer inclusive of a metal nitride layer is formed on a substrate. Group III nitride compound semiconductor layers are formed on the undercoat layer continuously.

摘要翻译： 在基板上形成包含金属氮化物层的底涂层。 在内涂层上连续形成III族氮化物化合物半导体层。

公开(公告)号：US06623998B2

公开(公告)日：2003-09-23

申请号：US10304033

申请日：2002-11-26

申请人： Naoki Shibata ,  Toshiaki Chiyo ,  Masanobu Senda ,  Jun Ito ,  Hiroshi Watanabe ,  Shinya Asami ,  Shizuyo Asami

发明人： Naoki Shibata ,  Toshiaki Chiyo ,  Masanobu Senda ,  Jun Ito ,  Hiroshi Watanabe ,  Shinya Asami ,  Shizuyo Asami

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1852 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/405 ,  H01S5/32341 ,  Y02E10/544 ,  Y10S438/978

摘要： A method of manufacturing a group III nitride compound semiconductor device, includes providing a substrate, forming a group III nitride compound semiconductor layer having a device function, and forming an undercoat layer between the substrate and the group III nitride semiconductor layer, the undercoat layer having a surface of a peak and trough structure.

摘要翻译： 一种制造III族氮化物化合物半导体器件的方法，包括提供衬底，形成具有器件功能的III族氮化物化合物半导体层，以及在衬底和III族氮化物半导体层之间形成底涂层，底涂层具有 峰和槽结构的表面。