公开(公告)号：US5407371A

公开(公告)日：1995-04-18

申请号：US165924

申请日：1993-12-14

申请人： Tsai-Fu Chen

发明人： Tsai-Fu Chen

IPC分类号： H01R43/20 ,  H01R13/02

CPC分类号： H01R13/41 ,  H01R43/20 ,  H01R43/205

摘要： A connector contact mounting hardware includes an elongated strip of contact holder frame having pairs of notched upright wings on two opposite sides, and a plurality of contacts respectively made of a round wire rod and retained in respective retaining notches on either pair of upright wings, each contact having a front contact body extended out of either upright wing on one side for plating with gold, a notched tail extended out of a corresponding upright wing on an opposite side for plating with tin and for mounting a conductor, and a dovetial-like lower portion between the front contact body and the notched tail.

摘要翻译： 连接器触点安装硬件包括一个细长的触点支架框架，其在相对的两个侧面上具有成对的切口的直立翼，以及分别由圆形线材制成并且保持在任一对直立翼上的相应的保持凹口中的多个触点， 接触件具有从一侧的直立翼部延伸出来的前接触体，用于镀金，从相对侧的相应直立翼部延伸出的切口尾部用于镀锡并用于安装导体，以及鸠尾状下部 在前接触体和切口尾部之间的部分。

公开(公告)号：US5930584A

公开(公告)日：1999-07-27

申请号：US640085

申请日：1996-04-30

申请人： Shi-Chung Sun ,  Tsai-Fu Chen

发明人： Shi-Chung Sun ,  Tsai-Fu Chen

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/02 ,  C23C16/56 ,  H01G4/33 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31604 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/405 ,  C23C16/56

摘要： A process for fabricating electrodes for the capacitor dielectric of semiconductor memory devices with low leakage current characteristics is disclosed. The process comprises the steps of first depositing a titanium oxide film over a semiconductor silicon substrate. The deposited titanium oxide film is then annealed. A layer of tungsten nitride top electrode is then deposited on the annealed titanium oxide film. A second annealing procedure is then conducted to simulate post electrode high temperature process.

摘要翻译： 公开了一种用于制造具有低漏电流特性的半导体存储器件的电容器电介质的电极的工艺。 该方法包括首先在半导体硅衬底上沉积氧化钛膜的步骤。 然后将沉积的氧化钛膜退火。 然后在退火的氧化钛膜上沉积一层氮化钨顶电极。 然后进行第二退火程序以模拟后电极高温工艺。

公开(公告)号：US5841186A

公开(公告)日：1998-11-24

申请号：US912867

申请日：1997-08-19

申请人： Shi-Chung Sun ,  Tsai-Fu Chen

发明人： Shi-Chung Sun ,  Tsai-Fu Chen

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L28/40

摘要： Composite TiO.sub.2 /Ta.sub.2 O.sub.5 films by in-situ sequential CVD deposition are presented for a storage capacitor of a three-dimensional cell in DRAM applications. The capacitor with the Ta.sub.2 O.sub.5 /TiO.sub.2 /Ta.sub.2 O.sub.5 alternating layer structure has comparable leakage current density and higher capacitance per unit area as compared to a capacitor with Ta.sub.2 O.sub.5 and TiO.sub.2 single layer structures.

摘要翻译： 在DRAM应用中，提出了通过原位顺序CVD沉积的复合TiO 2 / Ta 2 O 5膜用于三维单元的存储电容器。 与Ta2O5和TiO2单层结构的电容器相比，具有Ta2O5 / TiO2 / Ta2O5交替层结构的电容器具有相当的漏电流密度和每单位面积的较高电容。