公开(公告)号：US07521712B2

公开(公告)日：2009-04-21

申请号：US11685550

申请日：2007-03-13

申请人： Akio Machida ,  Toshio Fujino ,  Tadahiro Kono

发明人： Akio Machida ,  Toshio Fujino ,  Tadahiro Kono

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/04 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

摘要： A thin film semiconductor device is provided that includes a semiconductor thin film and a gate electrode. The semiconductor thin film has an active region turned into a polycrystalline region through irradiation with an energy beam. The gate electrode is provided to traverse the active region. In a channel part that is the active region overlapping with the gate electrode, a crystalline state is changed cyclically in a channel length direction, and areas each having a substantially same crystalline state traverse the channel part.

摘要翻译： 提供一种薄膜半导体器件，其包括半导体薄膜和栅电极。 半导体薄膜通过能量束的照射使有源区域变成多晶区域。 栅电极被设置为横越有源区。 在作为与栅电极重叠的有源区的沟道部分中，晶体状态在沟道长度方向上周期性地变化，并且各自具有基本相同结晶态的区域遍及沟道部分。

公开(公告)号：US20080054266A1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：US11683272

申请日：2007-03-07

申请人： Akio Machida ,  Toshio Fujino ,  Tadahiro Kono

发明人： Akio Machida ,  Toshio Fujino ,  Tadahiro Kono

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

摘要： A thin film semiconductor device is provided. The semiconductor device includes a semiconductor thin film configured to have an active region turned into a polycrystalline region through irradiation with an energy beam, and a gate electrode configured to be provided to traverse the active region. Successive crystal grain boundaries extend along the gate electrode in a channel part that is the active region overlapping with the gate electrode, and the crystal grain boundaries traverse the channel part and are provided cyclically in a channel length direction.

摘要翻译： 提供薄膜半导体器件。 半导体器件包括通过照射能量束而使活性区域变为多晶区域的半导体薄膜，以及配置为穿过有源区域的栅电极。 相继的晶粒边界在作为与栅电极重叠的有源区的沟道部分中沿着栅电极延伸，并且晶界穿过沟道部分并且沿沟道长度方向循环地设置。

公开(公告)号：US08357620B2

公开(公告)日：2013-01-22

申请号：US12574024

申请日：2009-10-06

申请人： Katsuji Takagi ,  Akio Machida ,  Toshio Fujino ,  Tadahiro Kono ,  Norio Fukasawa ,  Shinsuke Haga

发明人： Katsuji Takagi ,  Akio Machida ,  Toshio Fujino ,  Tadahiro Kono ,  Norio Fukasawa ,  Shinsuke Haga

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： B23K26/03 ,  H01L22/26

摘要： An embodiment of the invention provides a laser annealing method, including the steps of radiating a laser beam to an amorphous film on a substrate while scanning the laser beam for the amorphous film, crystallizing the amorphous film, detecting a light quantity of laser beam reflected from the substrate and a scanning speed of the laser beam while the radiation and the scanning of the laser beam are carried out for the amorphous film, and controlling a radiation level and the scanning speed of the laser beam based on results of comparison of the light quantity of laser beam reflected from the substrate, and the scanning speed of the laser beam with respective preset references.

摘要翻译： 本发明的一个实施例提供了一种激光退火方法，包括以下步骤：扫描激光束为非晶膜时，在基板上的非晶膜上照射激光，使非晶膜结晶，检测从 基板和激光束的扫描速度，同时对非晶膜进行激光束的辐射和扫描，并且基于光量的比较结果控制激光束的辐射水平和扫描速度 从基板反射的激光束和激光束的扫描速度具有各自的预设参考。

公开(公告)号：US08089071B2

公开(公告)日：2012-01-03

申请号：US11683272

申请日：2007-03-07

申请人： Akio Machida ,  Toshio Fujino ,  Tadahiro Kono

发明人： Akio Machida ,  Toshio Fujino ,  Tadahiro Kono

IPC分类号： H01L29/10

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

摘要： A thin film semiconductor device is provided. The semiconductor device includes a semiconductor thin film configured to have an active region turned into a polycrystalline region through irradiation with an energy beam, and a gate electrode configured to be provided to traverse the active region. Successive crystal grain boundaries extend along the gate electrode in a channel part that is the active region overlapping with the gate electrode, and the crystal grain boundaries traverse the channel part and are provided cyclically in a channel length direction.

摘要翻译： 提供薄膜半导体器件。 半导体器件包括通过照射能量束而使活性区域变为多晶区域的半导体薄膜，以及配置为穿过有源区域的栅电极。 相继的晶粒边界在作为与栅电极重叠的有源区的沟道部分中沿着栅电极延伸，并且晶界穿过沟道部分并且沿沟道长度方向循环地设置。

公开(公告)号：US07541615B2

公开(公告)日：2009-06-02

申请号：US11753949

申请日：2007-05-25

申请人： Toshio Fujino ,  Akio Machida ,  Tadahiro Kono

发明人： Toshio Fujino ,  Akio Machida ,  Tadahiro Kono

IPC分类号： H01L29/10

CPC分类号： H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296

摘要： A display including a driving substrate is provided. Arrayed on the driving substrate is a plurality of pixel electrodes and thin film transistors for driving the pixel electrodes. Each thin film transistor includes a semiconductor thin film having an active region made to be polycrystalline by irradiation with an energy beam, and a gate electrode provided so as to cross the active region. In a channel part of the active region overlapping with the gate electrode, the crystal state is varied periodically along the channel length direction, and substantially the same crystal state crosses the channel part.

摘要翻译： 提供包括驱动基板的显示器。 排列在驱动基板上的是用于驱动像素电极的多个像素电极和薄膜晶体管。 每个薄膜晶体管包括具有通过照射能量束而被制成多晶的有源区的半导体薄膜和设置成跨越有源区的栅电极。 在与栅极重叠的有源区的沟道部分中，晶体状态沿着沟道长度方向周期性变化，并且基本相同的晶体状态与沟道部分交叉。

公开(公告)号：US20070212825A1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：US11685550

申请日：2007-03-13

申请人： Akio Machida ,  Toshio Fujino ,  Tadahiro Kono

发明人： Akio Machida ,  Toshio Fujino ,  Tadahiro Kono

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L29/04 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

摘要： A thin film semiconductor device is provided that includes a semiconductor thin film and a gate electrode. The semiconductor thin film has an active region turned into a polycrystalline region through irradiation with an energy beam. The gate electrode is provided to traverse the active region. In a channel part that is the active region overlapping with the gate electrode, a crystalline state is changed cyclically in a channel length direction, and areas each having a substantially same crystalline state traverse the channel part.

摘要翻译： 提供一种薄膜半导体器件，其包括半导体薄膜和栅电极。 半导体薄膜通过能量束的照射使有源区域变成多晶区域。 栅电极被设置为横越有源区。 在作为与栅电极重叠的有源区的沟道部分中，晶体状态在沟道长度方向上周期性地变化，并且各自具有基本相同结晶态的区域遍及沟道部分。

公开(公告)号：US09259870B2

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：US12159031

申请日：2006-12-12

申请人： Yuusuke Nakagawa ,  Toshio Fujino

发明人： Yuusuke Nakagawa ,  Toshio Fujino

IPC分类号： B29C45/26 ,  B29C45/44 ,  B29C45/00 ,  B29L31/30

CPC分类号： B29C45/44 ,  B29C45/0025 ,  B29C45/2602 ,  B29L2031/3044

摘要： Metal mold (1) for production of molded article (20) having an undercut portion (22), comprising first die (2) forming of an outer surface of main body part (21) of the molded article (20) and second die (3) composed of a first slide core (11) forming an outer surface of the undercut portion (22) of the molded article (20), a second slide core (12) forming an end (22a) of the undercut portion (22) and movable die (13) forming an inner surface of the shaped article (20), wherein the first die (2) is configured so as to be openable and closable as to the second die (3), and wherein each of the first slide core (11) and the second slide core (12) independently is movable in a direction different from the opening and closing direction of the first die (2), and wherein the second die (3) is provided with a biasing means (51) biasing the second slide core (12) toward the closing direction of the second slide core (12) and the first slide core (11).

摘要翻译： 用于制造具有底切部分（22）的模制品（20）的金属模具（1），包括形成模制品（20）的主体部分（21）的外表面的第一模具（2）和第二模具 3），其形成形成所述模制品（20）的底切部分（22）的外表面的第一滑动芯（11），形成所述底切部分（22）的端部（22a）的第二滑动芯部（12） 以及形成所述成形制品（20）的内表面的活动模具（13），其中，所述第一模具（2）构造成能够相对于所述第二模具（3）开启和关闭，并且其中，所述第一滑块 所述第二模芯（11）和所述第二滑动芯部（12）独立地在与所述第一模具（2）的开闭方向不同的方向上移动，并且其中所述第二模具（3）设置有偏置装置（51） 使第二滑动芯（12）向第二滑动芯（12）和第一滑动芯（11）的关闭方向偏压。

公开(公告)号：US20100040720A1

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：US12159031

申请日：2006-12-12

申请人： Yuusuke Nakagawa ,  Toshio Fujino

发明人： Yuusuke Nakagawa ,  Toshio Fujino

IPC分类号： B29C45/56

CPC分类号： B29C45/44 ,  B29C45/0025 ,  B29C45/2602 ,  B29L2031/3044

摘要： Metal mold (1) for production of molded article (20) having an undercut portion (22), comprising first die (2) forming of an outer surface of main body part (21) of the molded article (20) and second die (3) composed of a first slide core (11) forming an outer surface of the undercut portion (22) of the molded article (20), a second slide core (12) forming an end (22a) of the undercut portion (22) and movable die (13) forming an inner surface of the shaped article (20), wherein the first die (2) is configured so as to be openable and closable as to the second die (3), and wherein each of the first slide core (11) and the second slide core (12) independently is movable in a direction different from the opening and closing direction of the first die (2), and wherein the second die (3) is provided with a biasing means (51) biasing the second slide core (12) toward the closing direction of the second slide core (12) and the first slide core (11).

摘要翻译： 用于制造具有底切部分（22）的模制品（20）的金属模具（1），包括形成模制品（20）的主体部分（21）的外表面的第一模具（2）和第二模具 3），其形成形成所述模制品（20）的底切部分（22）的外表面的第一滑动芯（11），形成所述底切部分（22）的端部（22a）的第二滑动芯部（12） 以及形成所述成形制品（20）的内表面的活动模具（13），其中，所述第一模具（2）构造成能够相对于所述第二模具（3）开启和关闭，并且其中，所述第一滑块 所述第二模芯（11）和所述第二滑动芯部（12）独立地在与所述第一模具（2）的开闭方向不同的方向上移动，并且其中所述第二模具（3）设置有偏置装置（51） 使第二滑动芯（12）向第二滑动芯（12）和第一滑动芯（11）的关闭方向偏压。