公开(公告)号：US07566898B2

公开(公告)日：2009-07-28

申请号：US11712614

申请日：2007-03-01

申请人： Mantu K. Hudait ,  Dmitri Loubychev ,  Suman Datta ,  Robert Chau ,  Joel M. Fastenau ,  Amy W. K. Liu

发明人： Mantu K. Hudait ,  Dmitri Loubychev ,  Suman Datta ,  Robert Chau ,  Joel M. Fastenau ,  Amy W. K. Liu

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02546 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267

摘要： In one embodiment, the present invention includes an apparatus for forming a transistor that includes a silicon (Si) substrate, a dislocation filtering buffer formed over the Si substrate having a first buffer layer including gallium arsenide (GaAs) nucleation and buffer layers and a second buffer layer including a graded indium aluminium arsenide (InAlAs) buffer layer, a lower barrier layer formed on the second buffer layer formed of InAlAs, and a strained quantum well (QW) layer formed on the lower barrier layer of indium gallium arsenide (InGaAs). Other embodiments are described and claimed.

摘要翻译： 在一个实施例中，本发明包括一种用于形成晶体管的装置，其包括硅（Si）衬底，在Si衬底上形成的位错滤波缓冲器，其具有包括砷化镓（GaAs）成核和缓冲层的第一缓冲层， 缓冲层，包括分级的砷化铟铝（InAlAs）缓冲层，形成在由InAlAs形成的第二缓冲层上的下阻挡层和形成在铟镓砷（InGaAs）的下阻挡层上的应变量子阱（QW）层， 。 描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US20090298266A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12538828

申请日：2009-08-10

申请人： Mantu K. Hudait ,  Aaron A. Budrevich ,  Dmitri Loubychev ,  Jack T. Kavalieros ,  Suman Datta ,  Joel M. Fastenau ,  Amy W. Liu

发明人： Mantu K. Hudait ,  Aaron A. Budrevich ,  Dmitri Loubychev ,  Jack T. Kavalieros ,  Suman Datta ,  Joel M. Fastenau ,  Amy W. Liu

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02584 ,  H01L29/365 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7784

摘要： A device grade III-V quantum well structure and method of manufacture is described. Embodiments of the present invention enable III-V InSb quantum well device layers with defect densities below 1×108 cm−2 to be formed. In an embodiment of the present invention, a delta doped layer is disposed on a dopant segregation barrier in order to confine delta dopant within the delta doped layer and suppress delta dopant surface segregation.

摘要翻译： 描述了器件级III-V量子阱结构及其制造方法。 本发明的实施例能够形成缺陷密度低于1×108cm-2的III-V InSb量子阱器件层。 在本发明的一个实施例中，Δ掺杂层设置在掺杂剂偏析屏障上，以便将δ掺杂剂限制在δ掺杂层内并抑制δ掺杂剂表面偏析。