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    Bismide compound, acid generator and resist composition each containing the same, and method of forming pattern from the composition
    21.
    发明授权
    Bismide compound, acid generator and resist composition each containing the same, and method of forming pattern from the composition 失效
    每种含有相同的Bismide化合物，酸产生剂和抗蚀剂组合物以及从组合物形成图案的方法

    公开(公告)号：US07374857B2

    公开(公告)日：2008-05-20

    申请号：US10496014

    申请日：2002-11-28

    申请人： Tsuneaki Maesawa ,  Fumiyoshi Urano ,  Masayuki Endo ,  Masaru Sasago

    发明人： Tsuneaki Maesawa ,  Fumiyoshi Urano ,  Masayuki Endo ,  Masaru Sasago

    IPC分类号： G03C1/00 ,  C07D209/36

    CPC分类号： C07D209/48 ,  C07D487/04 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/121

    摘要： The present invention relates to a novel bisimide compound useful as an acid generator for a chemically amplified resist composition used in manufacturing of semiconductor element and the like or a raw material for synthesizing heat resistant polymers, an acid generator and a resist composition using said compound and a method for pattern formation using said composition, and further relates to a synthetic n intermediate for a bisimide compound and a bis(N-hydroxy)phthalimide compound useful as an intermediate for a functional compound such as a heat resistant polymer or photosensitive material, and provides a bisimide compound shown by the general formula [1]: (wherein R and A1 are as defined in claim 1).

    摘要翻译： 本发明涉及用作半导体元件等的制造中使用的化学增幅抗蚀剂组合物的酸发生剂的新型双酰亚胺化合物或使用该化合物的酸产生剂和抗蚀剂组合物， 使用所述组合物的图案形成方法，还涉及用作双酰亚胺化合物的合成n中间体和可用作功能性化合物如耐热聚合物或感光材料的中间体的双（N-羟基）邻苯二甲酰亚胺化合物，以及 提供由通式[1]表示的双酰亚胺化合物：其中R和A 1如权利要求1所定义。

    Resist composition
    22.
    发明授权
    Resist composition 有权
    抗蚀组成

    公开(公告)号：US06656660B1

    公开(公告)日：2003-12-02

    申请号：US09492389

    申请日：2000-01-27

    申请人： Fumiyoshi Urano ,  Hirotoshi Fujie ,  Naoki Takeyama ,  Koji Ichikawa

    发明人： Fumiyoshi Urano ,  Hirotoshi Fujie ,  Naoki Takeyama ,  Koji Ichikawa

    IPC分类号： G03C700

    CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/039 ,  Y10S430/106

    摘要： A resist composition comprising (a) at least two kinds of polymers which become alkali-soluble by the action of an acid, (b) as a photoacid generator, a combination of an alkylsulfonyl diazomethane compound and a triarylsulfonium arylsulfonate compound or a diaryliodonium arylsulfonate compound, and (c) a solvent is excellent as a chemically amplified resist composition to give excellent pattern shape and very fine line-and-space, particularly when exposed to lights having a wavelength of 300 nm or less.

    摘要翻译： 抗蚀剂组合物，其包含（a）至少两种通过酸作为碱溶性的聚合物，（b）作为光酸产生剂，烷基磺酰基重氮甲烷化合物和三芳基锍芳基磺酸盐化合物或二芳基碘鎓芳基磺酸盐化合物的组合 ，和（c）作为化学增幅抗蚀剂组合物的溶剂是优异的，具有优异的图案形状和非常细的线间距，特别是当暴露于波长为300nm以下的光时。

    Fine pattern forming process using a resist composition sensitive to deep ultraviolet light
    23.
    发明授权
    Fine pattern forming process using a resist composition sensitive to deep ultraviolet light 失效
    使用对深紫外光敏感的抗蚀剂组合物的精细图案形成方法

    公开(公告)号：US5780206A

    公开(公告)日：1998-07-14

    申请号：US898086

    申请日：1997-07-23

    申请人： Fumiyoshi Urano ,  Takanori Yasuda ,  Akiko Katsuyama ,  Kazuhiro Yamashita

    发明人： Fumiyoshi Urano ,  Takanori Yasuda ,  Akiko Katsuyama ,  Kazuhiro Yamashita

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/09 ,  G03F7/30 ,  G03C1/52

    CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/127 ,  Y10S430/128

    摘要： A resist composition for deep ultraviolet light comprising (a) one of the following resin components (i)-(iii): (i) a resin which becomes alkali-soluble by eliminating protective groups by the action of an acid, (ii) a combination of an alkali-soluble resin and a dissolution-inhibiting compound, and (iii) a combination of an alkali-soluble resin and a crosslinkable compound, (b) an acid generater, (c) a special anthracene derivative, and (d) a solvent, is suitable for forming a pattern using deep ultraviolet light, KrF excimer laser light, etc., on a highly reflective substrate having level differences due to absorption of undesirable reflected deep ultraviolet light.

    摘要翻译： 一种用于深紫外光的抗蚀剂组合物，其包含（a）以下树脂组分（i） - （iii）之一：（i）通过酸的作用除去保护基而变成碱溶性的树脂，（ii） 碱溶性树脂和溶解抑制性化合物的组合，（iii）碱溶性树脂和交联性化合物的组合，（b）酸产生剂，（c）特殊的蒽衍生物，（d） 溶剂适用于使用深紫外光，KrF准分子激光等在由于吸收不期望的反射的深紫外光而具有水平差的高反射性基板上形成图案。

    Anthracene derivatives
    25.
    发明授权
    Anthracene derivatives 失效
    蒽衍生物

    公开(公告)号：US5498748A

    公开(公告)日：1996-03-12

    申请号：US272753

    申请日：1994-07-11

    申请人： Fumiyoshi Urano ,  Keiji Oono ,  Hiroshi Matsuda

    发明人： Fumiyoshi Urano ,  Keiji Oono ,  Hiroshi Matsuda

    IPC分类号： C07C69/00 ,  C07C69/88

    CPC分类号： C07C69/88 ,  C07C2103/24

    摘要： An anthracene derivative having at least two groups of the formula: ##STR1## wherein R.sup.1 and R.sup.2 are independently hydrogen, alkyl, alkoxy, etc., is particular effective for forming an antireflection coating for preventing multiple reflection of exposing light from a highly reflective substrate, etc.

    摘要翻译： 具有至少两个下式的蒽衍生物：其中R 1和R 2独立地为氢，烷基，烷氧基等，其特征在于形成用于防止多次反射曝光的抗反射涂层 高反射性基板等

    Negative working resist composition
    26.
    发明授权
    Negative working resist composition 失效
    负性抗蚀剂组成

    公开(公告)号：US5389491A

    公开(公告)日：1995-02-14

    申请号：US82399

    申请日：1993-06-28

    申请人： Yoshiyuki Tani ,  Masayuki Endo ,  Fumiyoshi Urano ,  Takanori Yasuda

    发明人： Yoshiyuki Tani ,  Masayuki Endo ,  Fumiyoshi Urano ,  Takanori Yasuda

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/012 ,  G03F7/021 ,  G03F7/023

    CPC分类号： G03F7/0382 ,  G03F7/0045

    摘要： A negative working resist composition comprising (a) an alkali-soluble resin, (b) an aromatic compound having at least two groups of the formula: --OCH.sub.2 OR.sup.1 wherein R.sup.1 is alkyl or aralkyl, (c) a photoacid generator, and (d) a solvent, can form fine patterns with high resolution when exposed to deep UV, KrF excimer laser light, etc. due to high light transmittance and high sensitivity.

    摘要翻译： 一种负性工作抗蚀剂组合物，其包含（a）碱溶性树脂，（b）具有至少两个下式的-OCH 2 OR 1的芳族化合物，其中R 1是烷基或芳烷基，（c）光酸产生剂，和（d） 溶剂，由于透光率高，灵敏度高，可以在暴露于深紫外线，KrF准分子激光等情况下以高分辨率形成精细图案。