公开(公告)号：US20090065349A1

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：US11851269

申请日：2007-09-06

申请人： Sun-Oo Kim ,  Moosung Chae ,  Bum Ki Moon

发明人： Sun-Oo Kim ,  Moosung Chae ,  Bum Ki Moon

IPC分类号： C23C14/00

CPC分类号： C23C14/3464 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3471 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3423

摘要： A plasma vapor deposition system is described for forming a feature on a semiconductor wafer. The plasma vapor deposition comprises a primary target electrode and a plurality of secondary target electrodes. The deposition is performed by sputtering atoms off the primary and secondary target electrodes.

摘要翻译： 描述了用于在半导体晶片上形成特征的等离子体气相沉积系统。 等离子体气相沉积包括主要目标电极和多个次要目标电极。 通过从初级和次级目标电极溅射原子来进行沉积。

公开(公告)号：US20080173538A1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：US11655488

申请日：2007-01-19

申请人： Sun-Oo Kim ,  Bum Ki Moon ,  Erdom Kaltalioglu

发明人： Sun-Oo Kim ,  Bum Ki Moon ,  Erdom Kaltalioglu

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： H01J37/34 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32706

摘要： A sputtering apparatus includes a target electrode and a bias source electrically coupled to the target electrode. A wafer chuck is spaced from the target electrode. The wafer chuck is partitioned into a plurality of zones, each zone being coupled to receive an AC signal having an amplitude that can vary by zone. At least one RF coil is positioned adjacent a space between the target electrode and the wafer chuck.

摘要翻译： 溅射装置包括目标电极和与靶电极电耦合的偏压源。 晶片卡盘与目标电极间隔开。 晶片卡盘被划分成多个区域，每个区域被耦合以接收具有可以随区域变化的幅度的AC信号。 至少一个RF线圈被定位成邻近目标电极和晶片卡盘之间的空间。

公开(公告)号：US07399702B2

公开(公告)日：2008-07-15

申请号：US11048236

申请日：2005-02-01

申请人： Chan Lim ,  Bum Ki Moon

发明人： Chan Lim ,  Bum Ki Moon

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28097 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656

摘要： Methods of fully siliciding semiconductive materials of semiconductor devices are disclosed. A preferred embodiment comprises depositing an alloy comprised of a first metal and a second metal over a semiconductive material. The device is heated, causing atoms of the semiconductive material to move towards and bond to the atoms of the second metal, leaving vacancies in the semiconductive material, and causing atoms of the first metal to move into the vacancies in the semiconductive material.

摘要翻译： 公开了半导体器件半导体材料完全硅化的方法。 优选的实施方案包括在半导体材料上沉积由第一金属和第二金属组成的合金。 该器件被加热，导致半导体材料的原子向第二金属的原子移动并且结合到第二金属的原子上，在半导体材料中留下空位，并使第一金属的原子移动到半导体材料中的空位中。