公开(公告)号：US08319217B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US12873199

申请日：2010-08-31

申请人： Kwang-Suk Kim ,  Min-Kyu Kim

发明人： Kwang-Suk Kim ,  Min-Kyu Kim

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A thin film transistor including: a substrate; a gate electrode formed on the substrate; a gate insulating layer formed on the gate electrode and exposed portions of the substrate; an oxide semiconductor layer formed on the gate insulating layer to correspond to the gate electrode, and comprising an HfInZnO-based oxide semiconductor, wherein the oxide semiconductor layer has a Zn concentration gradient; and source and drain regions respectively formed on both sides of the oxide semiconductor layer and the gate insulating layer.

摘要翻译： 1.一种薄膜晶体管，包括：基板; 形成在所述基板上的栅电极; 形成在所述栅电极上的栅极绝缘层和所述基板的露出部分; 形成在所述栅绝缘层上以对应于所述栅极的氧化物半导体层，并且包括HfInZnO基氧化物半导体，其中所述氧化物半导体层具有Zn浓度梯度; 以及分别形成在氧化物半导体层和栅极绝缘层的两侧上的源极和漏极区域。

公开(公告)号：US08304987B2

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：US12926005

申请日：2010-10-20

申请人： Min-Kyu Kim ,  Seong-Kweon Heo

发明人： Min-Kyu Kim ,  Seong-Kweon Heo

IPC分类号： H01L51/50 ,  H01L33/08

CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/7869

摘要： An organic light emitting display apparatus and a method of fabricating the same are provided. The organic light emitting display apparatus includes a pixel unit on which an organic light emitting device is formed, a thin film transistor (TFT) electrically connected to the pixel unit and a data line and a scan line electrically connected to the TFT and disposed crossing each other on a substrate. The data line and the scan line are formed in one layer. A bridge that allows one of the data line and the scan line to bypass the other is on an intersection of the data line and the scan line.

摘要翻译： 提供一种有机发光显示装置及其制造方法。 有机发光显示装置包括其上形成有机发光器件的像素单元，电连接到像素单元的薄膜晶体管（TFT），以及电连接到TFT并与TFT连接的数据线和扫描线 另一个在基底上。 数据线和扫描线形成在一层中。 允许数据线和扫描线之一绕过另一条线的桥是在数据线和扫描线的交点上。

公开(公告)号：US20110108831A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12848919

申请日：2010-08-02

申请人： Jong-Han Jeong ,  Eun-Hyun Kim ,  Jae-Wook Kang ,  Min-Kyu Kim ,  Yeon-Gon Mo

发明人： Jong-Han Jeong ,  Eun-Hyun Kim ,  Jae-Wook Kang ,  Min-Kyu Kim ,  Yeon-Gon Mo

IPC分类号： H01L33/28 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L27/3248 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L51/5215

摘要： An organic light emitting display device and a method of manufacturing the device are disclosed. The method includes forming a layer over an oxide semiconductor layer to protect the oxide semiconductor layer from damage as further layers are formed and etched.

摘要翻译： 公开了一种有机发光显示装置及其制造方法。 该方法包括在氧化物半导体层上形成一层以保护氧化物半导体层免受损害，因为形成和蚀刻另外的层。

公开(公告)号：US07813175B2

公开(公告)日：2010-10-12

申请号：US11945502

申请日：2007-11-27

申请人： Min-Kyu Kim

发明人： Min-Kyu Kim

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G06K19/0723

摘要： A smart card is formed of a memory having light-sensing cells to sense externally supplied light and generate a detection signal in response to the externally supplied light being sensed by the light-sensing cells, and a reset control circuit generating a reset signal in response to the detection signal, the reset signal operating to reset the smart card.

摘要翻译： 智能卡由具有光感测单元的存储器形成，用于感测外部供应的光并且响应于由感光单元感测到的外部供应的光产生检测信号;以及复位控制电路，响应于产生复位信号 对于检测信号，复位信号操作以复位智能卡。

公开(公告)号：US20100006833A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：US12393422

申请日：2009-02-26

申请人： Jae-Heung Ha ,  Young-Woo Song ,  Jong-Hyuk Lee ,  Jong-Han Jeong ,  Min-Kyu Kim ,  Yeon-Gon Mo ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Hyun-Joong Chung ,  Kwang-Suk Kim ,  Hui-Won Yang ,  Chaun-Gi Choi

发明人： Jae-Heung Ha ,  Young-Woo Song ,  Jong-Hyuk Lee ,  Jong-Han Jeong ,  Min-Kyu Kim ,  Yeon-Gon Mo ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Hyun-Joong Chung ,  Kwang-Suk Kim ,  Hui-Won Yang ,  Chaun-Gi Choi

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A thin film transistor, a method of manufacturing the thin film transistor, and a flat panel display device including the thin film transistor. The thin film transistor includes: a gate electrode formed on a substrate; a gate insulating film formed on the gate electrode; an activation layer formed on the gate insulating film; a passivation layer including a compound semiconductor oxide, formed on the activation layer; and source and drain electrodes that contact the activation layer.

摘要翻译： 薄膜晶体管，薄膜晶体管的制造方法以及包括该薄膜晶体管的平板显示装置。 薄膜晶体管包括：形成在基板上的栅电极; 形成在栅电极上的栅极绝缘膜; 形成在所述栅极绝缘膜上的活化层; 在活化层上形成包含化合物半导体氧化物的钝化层; 以及与激活层接触的源极和漏极。

公开(公告)号：US20090321731A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12352851

申请日：2009-01-13

申请人： Jae-Kyeong JEONG ,  Jong-Han Jeong ,  Min-Kyu Kim ,  Tae-Kyung Ahn ,  Yeon-Gon Mo ,  Hui-Won Yang

发明人： Jae-Kyeong JEONG ,  Jong-Han Jeong ,  Min-Kyu Kim ,  Tae-Kyung Ahn ,  Yeon-Gon Mo ,  Hui-Won Yang

IPC分类号： H01L31/0256 ,  H01L29/12 ,  H01L21/02 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78696

摘要： A thin film transistor (TFT) using an oxide semiconductor as an active layer, a method of manufacturing the TFT, and a flat panel display device having the TFT include a gate electrode formed on a substrate; an active layer made of an oxide semiconductor and insulated from the gate electrode by a gate insulating layer; source and drain electrodes coupled to the active layer; and an interfacial stability layer formed on one or both surfaces of the active layer. In the TFT, the interfacial stability layer is formed of an oxide having a band gap of 3.0 to 8.0 eV. Since the interfacial stability layer has the same characteristic as a gate insulating layer and a passivation layer, chemically high interface stability is maintained. Since the interfacial stability layer has a band gap equal to or greater than that of the active layer, charge trapping is physically prevented.

摘要翻译： 使用氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管（TFT），制造TFT的方法以及具有该TFT的平板显示装置包括形成在基板上的栅电极; 由氧化物半导体制成的有源层，并通过栅极绝缘层与栅电极绝缘; 源极和漏极耦合到有源层; 以及形成在活性层的一个或两个表面上的界面稳定层。 在TFT中，界面稳定层由带隙为3.0〜8.0eV的氧化物形成。 由于界面稳定层具有与栅极绝缘层和钝化层相同的特性，因此保持化学上高的界面稳定性。 由于界面稳定层具有等于或大于有源层的带隙，所以物理地防止了电荷俘获。

公开(公告)号：US20090256147A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：US12382341

申请日：2009-03-13

申请人： Min-Kyu Kim ,  Tae-Kyung Ahn ,  Jae-Kyeong Jeong

发明人： Min-Kyu Kim ,  Tae-Kyung Ahn ,  Jae-Kyeong Jeong

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A thin film transistor, including a transparent channel pattern, a transparent gate insulating layer in contact with the channel pattern, a passivation film pattern disposed on the channel pattern, a source/drain coupled to the channel pattern through a via hole in the passivation film pattern, and a gate facing the channel pattern, the gate insulating layer interposed between the gate and the channel pattern, wherein the passivation film pattern includes at least one of polyimide, photoacryl, and spin on glass (SOG).

摘要翻译： 一种薄膜晶体管，包括透明沟道图案，与沟道图案接触的透明栅极绝缘层，设置在沟道图案上的钝化膜图案，通过钝化膜中的通孔耦合到沟道图案的源极/漏极 图案和面对沟道图案的栅极，插入在栅极和沟道图案之间的栅极绝缘层，其中钝化膜图案包括聚酰亚胺，光致聚丙烯和旋转玻璃（SOG）中的至少一种。

公开(公告)号：US20070275497A1

公开(公告)日：2007-11-29

申请号：US11802323

申请日：2007-05-22

申请人： Jin-Ho Kwack ,  Tae-Kyung Ahn ,  Min-Kyu Kim ,  Se-Yeoul Kwon

发明人： Jin-Ho Kwack ,  Tae-Kyung Ahn ,  Min-Kyu Kim ,  Se-Yeoul Kwon

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G03F7/70791 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/708 ,  G03F9/7084 ,  G03F9/7088 ,  H01L21/682

摘要： A method of aligning a substrate includes forming a first alignment hole in the substrate, preparing a mask with a second alignment hole narrower than the first alignment hole, modifying a surface reflectance around either the first alignment hole or the second alignment hole to form a treatment region, positioning the mask below the substrate, such that the first and second alignment holes overlap, and operating a sensor unit above the first alignment hole to examine alignment of the first and second alignment holes.

摘要翻译： 对准衬底的方法包括在衬底中形成第一对准孔，制备具有比第一对准孔窄的第二对准孔的掩模，修改围绕第一对准孔或第二对准孔的表面反射，以形成处理 区域，将掩模定位在基板下方，使得第一和第二对准孔重叠，并且在第一对准孔上方操作传感器单元，以检查第一和第二对准孔的对准。

公开(公告)号：US20060167277A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：US11388883

申请日：2006-03-24

申请人： Jae-Sung Kang ,  Sun-Ki Chang ,  Kyoung-Mee Seol ,  Min-Kyu Kim

发明人： Jae-Sung Kang ,  Sun-Ki Chang ,  Kyoung-Mee Seol ,  Min-Kyu Kim

IPC分类号： C07D405/02

CPC分类号： C07D405/04 ,  Y02P20/55

摘要： The present invention relates to new aziridine derivative that is represented by following general chemical formulae (la) or (lb), and to their preparation method. In the above mentioned chemical formulae, R2 and R3 can be same or different, and they are hydrogen, low-quality alkyl or cycloalkyl respectively; R4 can be selected among hydrogen, alkyl, aril, or amino protective group, and amino protective group is, for example, (PH)3C, FMOC (9-fluorenylmethyl oxycarbonyl), alkoxycarbonyl, ariloxycarbonyl, aralkyloxycarbonyl and R5CO, R5SO2 where R5 is alkyl or aril or aralkyl.

摘要翻译： 本发明涉及由以下一般化学式（Ia）或（Ib）表示的新的氮丙啶衍生物及其制备方法。 在上述化学式中，R 2和R 3可以相同或不同，它们分别是氢，低质量烷基或环烷基; R 4可以选自氢，烷基，芳基或氨基保护基，氨基保护基是例如（PH）3 C，FMOC（9- 芴基甲基氧羰基），烷氧基羰基，芳氧基羰基，芳烷氧基羰基和R 5 CO，R 5 SO 2，其中R 5是 烷基或芳基或芳烷基。

公开(公告)号：US07049447B2

公开(公告)日：2006-05-23

申请号：US10473259

申请日：2002-04-19

申请人： Jae-Sung Kang ,  Sun-Ki Chang ,  Kyoung-Mee Seol ,  Min-Kyu Kim

发明人： Jae-Sung Kang ,  Sun-Ki Chang ,  Kyoung-Mee Seol ,  Min-Kyu Kim

IPC分类号： C07D405/04

CPC分类号： C07D405/04 ,  Y02P20/55

摘要： The present invention relates to a new aziridine derivative that is represented herein by general chemical formulae (Ia) or (Ib), and to their preparation method. In the said chemical formulae, R2 and R3 can be the same or different, and they are hydrogen, low-quality alkyl or cycloalkyl respectively; R4 can be selected among hydrogen, alkyl, aryl, or amino protective group; and amino protective group is, for example, (Ph)3C, and FMOC(9-fluorenylmethyloxycarbonyl), alkoxycarbonyl, aryloxycarbonyl, aralkyloxycarbonyl and R5CO, R5SO2 where R5 is alkyl, aryl or aralkyl.

摘要翻译： 本发明涉及一般化学式（Ia）或（Ib）表示的新的氮丙啶衍生物及其制备方法。 在所述化学式中，R 2和R 3可以相同或不同，它们分别是氢，低质量烷基或环烷基; R 4可以选自氢，烷基，芳基或氨基保护基; 和氨基保护基是例如（Ph）3 C，和FMOC（9-芴基甲氧基羰基），烷氧基羰基，芳氧基羰基，芳烷氧基羰基和R 5 CO，R SUB 芳基或芳烷基，其中R 5是烷基，芳基或芳烷基。