公开(公告)号：US20050227388A1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：US10813338

申请日：2004-03-30

申请人： Anant Setlur ,  Joseph Shiang ,  Alok Srivastava ,  Holly Comanzo ,  Stanton Weaver ,  Charles Becker

发明人： Anant Setlur ,  Joseph Shiang ,  Alok Srivastava ,  Holly Comanzo ,  Stanton Weaver ,  Charles Becker

IPC分类号： C09K11/66 ,  C09K11/77 ,  H01J1/62 ,  H01J63/04 ,  H01L21/00 ,  H01L33/50

CPC分类号： C09K11/7734 ,  C09K11/665 ,  C09K11/7739 ,  C09K11/774 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/504 ,  H01L2933/0041

摘要： A method of applying at least two phosphors to an LED, wherein a first phosphor material having a lower absorption, shorter luminescence decay time, and/or lower thermal quenching than a second phosphor material is positioned closer to the LED than the second phosphor. Such an arrangement provides a light emitting device with improved lumen output and color stability over a range of drive currents.

摘要翻译： 一种向LED施加至少两种荧光体的方法，其中具有比第二荧光体材料更低的吸收，更短的发光衰减时间和/或更低的热淬灭的第一荧光体材料被定位成比第二荧光体更靠近LED。 这种布置提供了在驱动电流范围内具有改进的流明输出和颜色稳定性的发光器件。

公开(公告)号：US06746889B1

公开(公告)日：2004-06-08

申请号：US10108292

申请日：2002-03-27

申请人： Ivan Eliashevich ,  Hari Venugopalan ,  Bob Karlicek ,  Stanton Weaver

发明人： Ivan Eliashevich ,  Hari Venugopalan ,  Bob Karlicek ,  Stanton Weaver

IPC分类号： H01L2000

CPC分类号： H01L25/0753 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K26/57 ,  B23K2103/172 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/0217 ,  H01L2924/00

摘要： An improved method for producing optoelectronic devices such as light emitting diodes or laser diodes is provided. Light emitting diodes or laser diodes are provided with improved light extraction. Epitaxial layers including a light emitting p-n junction are deposited on a substrate, and separations are cut through the epitaxial layers to provide a structure including a plurality of individual dies on the substrate. The structure is mounted on a submount and the substrate is removed. An index matching material is then attached to improve light extraction from the optoelectronic device.

摘要翻译： 提供了一种用于制造诸如发光二极管或激光二极管的光电子器件的改进方法。 发光二极管或激光二极管具有改进的光提取。 包含发光p-n结的外延层沉积在衬底上，并且通过外延层切割间隔以提供包括在衬底上的多个单个管芯的结构。 该结构安装在底座上，并且移除基板。 然后附加折射率匹配材料以改善从光电子器件的光提取。