公开(公告)号：US07499306B2

公开(公告)日：2009-03-03

申请号：US11772569

申请日：2007-07-02

申请人： Byung-gil Choi ,  Choong-keun Kwak ,  Sang-beom Kang ,  Joon-yong Choi

发明人： Byung-gil Choi ,  Choong-keun Kwak ,  Sang-beom Kang ,  Joon-yong Choi

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C7/1006 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2211/5647

摘要： Provided are a phase-change memory device and method that maintains a resistance of a phase-change material in a set state within a constant resistance range. In the method, data is provided to a first phase-change memory cell and then it is first determined whether data stored in the first phase-change memory cell and the data provided to the first phase-change memory cell are identical. If the data stored in the first phase-change memory cell and the data provided to the first phase-change memory cell are not identical, a complementary write current is provided to the first phase-change memory cell and it is second determined whether the data stored in the first phase-change memory cell and the data provided to the first phase-change memory cell are identical. If the data stored in the first phase-change memory cell and the data provided to the first phase-change memory cell are identical, data is provided to a second phase-change memory cell.

摘要翻译： 提供一种将相变材料的电阻维持在恒定电阻范围内的置换状态的相变存储器件和方法。 在该方法中，将数据提供给第一相变存储器单元，然后首先确定存储在第一相变存储单元中的数据和提供给第一相变存储单元的数据是否相同。 如果存储在第一相变存储单元中的数据和提供给第一相变存储单元的数据不相同，则向第一相变存储单元提供互补写入电流，并且第二相位变换存储单元是否将数据 存储在第一相变存储单元中，提供给第一相变存储单元的数据相同。 如果存储在第一相变存储单元中的数据和提供给第一相变存储单元的数据相同，则将数据提供给第二相变存储单元。

公开(公告)号：US07457151B2

公开(公告)日：2008-11-25

申请号：US11319601

申请日：2005-12-29

申请人： Woo-yeong Cho ,  Du-eung Kim ,  Sang-beom Kang ,  Choong-keun Kwak

发明人： Woo-yeong Cho ,  Du-eung Kim ,  Sang-beom Kang ,  Choong-keun Kwak

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0038 ,  G11C5/145 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009

摘要： A phase change memory device of one aspect includes a memory array including a plurality of phase change memory cells, a write boosting circuit, and a write driver. The write boosting circuit boosts a first voltage and outputs a first control voltage in response to a control signal in a first operation mode, and boosts the first voltage and outputs a second control voltage in response to the control signal in a second operation mode and a third operation mode. The write driver is driven by the first control voltage in the first operation mode and writes data to a selected memory cell of the memory array.

摘要翻译： 一个方面的相变存储器件包括包括多个相变存储单元，写升压电路和写驱动器的存储器阵列。 写升压电路响应于第一操作模式中的控制信号而升高第一电压并输出第一控制电压，并且在第二操作模式中响应于控制信号升高第一电压并输出第二控制电压，并且 第三操作模式。 写入驱动器由第一操作模式中的第一控制电压驱动，并将数据写入存储器阵列的所选存储单元。

公开(公告)号：US07391669B2

公开(公告)日：2008-06-24

申请号：US11316878

申请日：2005-12-27

申请人： Hye-jin Kim ,  Choong-keun Kwak ,  Woo-yeong Cho ,  Sang-beom Kang

发明人： Hye-jin Kim ,  Choong-keun Kwak ,  Woo-yeong Cho ,  Sang-beom Kang

IPC分类号： G11C8/00

CPC分类号： G11C13/0028 ,  G11C13/0004

摘要： A semiconductor memory device of one aspect includes a memory cell block including n global word lines, and corresponding m sub word lines for each of the n global word lines, where n and m are natural numbers. The memory device further includes a plurality of word line driving circuits which respectively control a voltage of the sub word lines according to a logic level of each corresponding global word line and inputted address signals, and a plurality of control circuits which transmit the address signals to the word line driving circuits or interrupt transmission of the address signals according to the logic level of the global word line. Each of the word line driving circuits includes a first transistor which maintains the voltage of the respective sub word line at a first voltage and a second transistor which maintains the voltage of the sub word line at the first voltage or a second voltage.

摘要翻译： 一个方面的半导体存储器件包括包括n个全局字线的存储单元块，以及n个全局字线中的每一个的对应m个子字线，其中n和m是自然数。 存储装置还包括多个字线驱动电路，其分别根据每个对应的全局字线和输入的地址信号的逻辑电平分别控制子字线的电压，以及多个控制电路，其将地址信号发送到 字线驱动电路或根据全局字线的逻辑电平中断地址信号的传输。 每个字线驱动电路包括将相应子字线的电压维持在第一电压的第一晶体管和将子字线的电压维持在第一电压或第二电压的第二晶体管。