公开(公告)号：US07556996B2

公开(公告)日：2009-07-07

申请号：US11736622

申请日：2007-04-18

申请人： Christoph Schwan ,  Joe Bloomquist ,  Kai Frohberg ,  Manfred Horstmann

发明人： Christoph Schwan ,  Joe Bloomquist ,  Kai Frohberg ,  Manfred Horstmann

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/66772

摘要： A method of forming a field effect transistor comprises providing a substrate comprising, at least on a surface thereof, a first semiconductor material. A recess is formed in the substrate. The recess is filled with a second semiconductor material. The second semiconductor material has a different lattice constant than the first semiconductor material. A gate electrode is formed over the recess filled with the second semiconductor material.

摘要翻译： 形成场效应晶体管的方法包括提供至少在其表面上包括第一半导体材料的衬底。 在基板上形成凹部。 凹部填充有第二半导体材料。 第二半导体材料具有与第一半导体材料不同的晶格常数。 在填充有第二半导体材料的凹部上形成栅电极。

公开(公告)号：US20070278596A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11620406

申请日：2007-01-05

申请人： Christoph Schwan ,  Manfred Horstmann ,  Martin Gerhardt ,  Markus Forsberg

发明人： Christoph Schwan ,  Manfred Horstmann ,  Martin Gerhardt ,  Markus Forsberg

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L29/665

摘要： By recessing the isolation structure of a transistor prior to silicidation, the series resistance may be reduced due to the increased amount of metal silicide formed in the vicinity of the isolation structure. By recessing the isolation structure prior to the formation of the gate electrode, an increased degree of poly wrap around may be obtained, thereby increasing the effective channel width.

摘要翻译： 通过在硅化之前使晶体管的隔离结构凹陷，由于在隔离结构附近形成的金属硅化物的量增加，串联电阻可能会降低。 通过在形成栅电极之前使隔离结构凹陷，可以获得增加的聚环绕的程度，从而增加有效沟道宽度。

公开(公告)号：US20050118769A1

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：US10987466

申请日：2004-11-12

申请人： Thorsten Kammler ,  Karsten Wieczorek ,  Christoph Schwan

发明人： Thorsten Kammler ,  Karsten Wieczorek ,  Christoph Schwan

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L29/6659 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31612 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656

摘要： By heat treating a silicon dioxide liner prior to patterning a silicon nitride spacer layer, the etch selectivity of the silicon dioxide with respect to the silicon nitride is increased, thereby reducing or eliminating the problem of pitting through the silicon dioxide layer. This allows further scaling of the devices, wherein an extremely thin silicon dioxide liner is required to obtain an accurate lateral patterning of the dopant profile in the drain and source regions.

摘要翻译： 通过在图案化氮化硅间隔层之前热处理二氧化硅衬垫，二氧化硅相对于氮化硅的蚀刻选择性增加，从而减少或消除了通过二氧化硅层的点蚀问题。 这允许进一步缩放器件，其中需要非常薄的二氧化硅衬垫以获得漏极和源极区域中的掺杂剂分布图的精确横向图案化。