公开(公告)号：US5246878A

公开(公告)日：1993-09-21

申请号：US859120

申请日：1992-03-27

申请人： Rajaram Bhat ,  Maria J. S. P. Brasil ,  Robert E. Nahory ,  William E. Quinn ,  Maria C. Tamargo

发明人： Rajaram Bhat ,  Maria J. S. P. Brasil ,  Robert E. Nahory ,  William E. Quinn ,  Maria C. Tamargo

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/205

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  Y10S438/902

摘要： A III-V semiconductor heterojunction in which a capping layer (14) is formed between the two layers (10, 16) of the heterojunction to prevent any deleterious effects due to As--P exchange. When InAlAs is grown on InP, the capping layer is AlP. When GaAs is grown on GaInP, the capping layer is GaP.

摘要翻译： III-V族半导体异质结，其中在异质结的两层（10,16）之间形成覆盖层（14），以防止由于As-P交换而导致的任何有害影响。 当InAlAs在InP上生长时，封盖层是AlP。 当GaAs在GaInP上生长时，封盖层是GaP。