公开(公告)号：US5302847A

公开(公告)日：1994-04-12

申请号：US72634

申请日：1993-06-04

申请人： Rajaram Bhat ,  Maria J. S. P. Brasil ,  Robert E. Nahory ,  William E. Quinn ,  Maria C. Tamargo

发明人： Rajaram Bhat ,  Maria J. S. P. Brasil ,  Robert E. Nahory ,  William E. Quinn ,  Maria C. Tamargo

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  Y10S438/902

摘要： A III-V semiconductor heterojunction in which a capping layer (14) is formed between the two layers (10, 16) of the heterojunction to prevent any deleterious effects due to As-P exchange. When InAlAs is grown on InP, the capping layer is AlP. When GaAs is grown on GaInP, the capping layer is GaP.

摘要翻译： III-V族半导体异质结，其中在异质结的两层（10,16）之间形成覆盖层（14），以防止由于As-P交换而导致的任何有害影响。 当InAlAs在InP上生长时，封盖层是AlP。 当GaAs在GaInP上生长时，封盖层是GaP。

公开(公告)号：US5246878A

公开(公告)日：1993-09-21

申请号：US859120

申请日：1992-03-27

申请人： Rajaram Bhat ,  Maria J. S. P. Brasil ,  Robert E. Nahory ,  William E. Quinn ,  Maria C. Tamargo

发明人： Rajaram Bhat ,  Maria J. S. P. Brasil ,  Robert E. Nahory ,  William E. Quinn ,  Maria C. Tamargo

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/205

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  Y10S438/902

摘要： A III-V semiconductor heterojunction in which a capping layer (14) is formed between the two layers (10, 16) of the heterojunction to prevent any deleterious effects due to As--P exchange. When InAlAs is grown on InP, the capping layer is AlP. When GaAs is grown on GaInP, the capping layer is GaP.

摘要翻译： III-V族半导体异质结，其中在异质结的两层（10,16）之间形成覆盖层（14），以防止由于As-P交换而导致的任何有害影响。 当InAlAs在InP上生长时，封盖层是AlP。 当GaAs在GaInP上生长时，封盖层是GaP。

公开(公告)号：US4470368A

公开(公告)日：1984-09-11

申请号：US356931

申请日：1982-03-10

申请人： Claude L. Reynolds, Jr. ,  Maria C. Tamargo

发明人： Claude L. Reynolds, Jr. ,  Maria C. Tamargo

IPC分类号： C30B19/06 ,  H01L21/208

CPC分类号： C30B19/063 ,  Y10S117/90

摘要： In LPE boat-slider apparatus the boat, which carries the melts, is made of lower thermal conductivity material than the slider, which carries the substrate. Illustratively, the boat comprises sapphire and the slider comprises graphite. A confined-melt geometry is also described in which another slider, used to skim off thin portions of the melt, is also made of the lower thermal conductivity material.

摘要翻译： 在LPE船滑块装置中，承载熔体的船由比传送基板的滑块低的导热材料制成。 说明性地，船包括蓝宝石，滑块包括石墨。 还描述了限制熔融几何形状，其中用于撇去熔体的薄部分的另一个滑块也由较低的热导率材料制成。