公开(公告)号：US07796415B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US12073105

申请日：2008-02-29

申请人： Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo ,  Young-Jin Cho ,  Kwang-seok Kim

发明人： Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo ,  Young-Jin Cho ,  Kwang-seok Kim

IPC分类号： G11C19/00

CPC分类号： G11B5/64 ,  G11B5/66 ,  G11B5/82 ,  G11C11/14 ,  G11C19/0841 ,  H01F41/32 ,  Y10S977/933 ,  Y10T29/49002

摘要： Provided are a magnetic layer, a method of forming the magnetic layer, an information storage device, and a method of manufacturing the information storage device. The information storage device may include a magnetic track having a plurality of magnetic domains, a current supply element connected to the magnetic layer and a reading/writing element. The magnetic track includes a hard magnetic track, and the hard magnetic track has a magnetization easy-axis extending in a direction parallel to a width of the hard magnetic track.

摘要翻译： 提供了磁性层，形成磁性层的方法，信息存储装置以及信息存储装置的制造方法。 信息存储装置可以包括具有多个磁畴的磁道，连接到磁性层的电流源元件和读/写元件。 磁轨包括硬磁道，并且硬磁轨具有沿与硬磁道的宽度平行的方向延伸的易磁化磁化。

公开(公告)号：US20080137521A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US11984478

申请日：2007-11-19

申请人： Sung-chul Lee ,  Sung-hoon Choa ,  Kwang-seok Kim

发明人： Sung-chul Lee ,  Sung-hoon Choa ,  Kwang-seok Kim

IPC分类号： G11B9/00

CPC分类号： G11C11/15 ,  G11C19/0841

摘要： A data storage device using magnetic domain wall motion may include a first magnetic layer having a plurality of magnetic domains. A second magnetic layer may be connected to the first magnetic layer, and a connection layer may be disposed between the first and second magnetic layers. A resistive magnetic layer may be disposed between each of the first and second magnetic layers and the connection layer. Accordingly, when current is supplied to the data storage device to move a magnetic domain wall, the leakage of current in a connection between the magnetic layers may be reduced or prevented, thus conserving power.

摘要翻译： 使用磁畴壁运动的数据存储装置可以包括具有多个磁畴的第一磁性层。 第二磁性层可以连接到第一磁性层，并且连接层可以设置在第一和第二磁性层之间。 电阻性磁性层可以设置在第一和第二磁性层和连接层中的每一个之间。 因此，当向数据存储装置提供电流以移动磁畴壁时，可以减少或防止磁层之间的连接中的电流泄漏，从而节省功率。

公开(公告)号：US08559279B2

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US11984478

申请日：2007-11-19

申请人： Sung-chul Lee ,  Sung-hoon Choa ,  Kwang-seok Kim

发明人： Sung-chul Lee ,  Sung-hoon Choa ,  Kwang-seok Kim

IPC分类号： G11B11/00

CPC分类号： G11C11/15 ,  G11C19/0841

摘要： A data storage device using magnetic domain wall motion may include a first magnetic layer having a plurality of magnetic domains. A second magnetic layer may be connected to the first magnetic layer, and a connection layer may be disposed between the first and second magnetic layers. A resistive magnetic layer may be disposed between each of the first and second magnetic layers and the connection layer. Accordingly, when current is supplied to the data storage device to move a magnetic domain wall, the leakage of current in a connection between the magnetic layers may be reduced or prevented, thus conserving power.

摘要翻译： 使用磁畴壁运动的数据存储装置可以包括具有多个磁畴的第一磁性层。 第二磁性层可以连接到第一磁性层，并且连接层可以设置在第一和第二磁性层之间。 电阻性磁性层可以设置在第一和第二磁性层和连接层中的每一个之间。 因此，当向数据存储装置提供电流以移动磁畴壁时，可以减少或防止磁层之间的连接中的电流泄漏，从而节省功率。

公开(公告)号：US20130175646A1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：US13549901

申请日：2012-07-16

申请人： Kwang-seok Kim ,  Sung-chul Lee

发明人： Kwang-seok Kim ,  Sung-chul Lee

IPC分类号： H01L29/82 ,  G11B5/66 ,  H01F41/14 ,  G11B5/65

CPC分类号： H01L43/02 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/302 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： Magnetic structures, methods of forming the same, and memory devices including a magnetic structure, include a magnetic layer, and a stress-inducing layer on a first surface of the magnetic layer, a non-magnetic layer on a second surface of the magnetic layer. The stress-inducing layer is configured to induce a compressive stress in the magnetic layer. The magnetic layer has a lattice structure compressively strained due to the stress-inducing layer.

公开(公告)号：US07710757B2

公开(公告)日：2010-05-04

申请号：US12073103

申请日：2008-02-29

申请人： Kwang-seok Kim ,  Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo

发明人： Kwang-seok Kim ,  Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo

IPC分类号： G11C19/00

CPC分类号： G11C11/14 ,  G11C19/0808 ,  Y10S977/933

摘要： Provided are a magnetic track using magnetic domain wall movement and an information storage device including the same. A magnetic track may comprise a zigzag shaped storage track including a plurality of first magnetic layers in parallel with each other, and stacked separate from each other, and a plurality of second magnetic layers for connecting the plurality of first magnetic layers. The information storage device may include the magnetic track having a plurality of magnetic domains, current applying device connected to the magnetic track, and a read/write device on a middle portion of the magnetic track.

摘要翻译： 提供了使用磁畴壁移动的磁迹和包括该磁迹的信息存储装置。 磁迹可以包括一个之字形存储轨道，该轨道包括彼此平行并彼此分开堆叠的多个第一磁性层，以及用于连接多个第一磁性层的多个第二磁性层。 信息存储装置可以包括具有多个磁畴的磁道，连接到磁道的电流施加装置，以及在磁道的中间部分的读/写装置。

公开(公告)号：US20110157971A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12923376

申请日：2010-09-17

申请人： Kwang-seok Kim ,  Hyung-soon Shin ,  Seung-jun Lee

发明人： Kwang-seok Kim ,  Hyung-soon Shin ,  Seung-jun Lee

IPC分类号： G11C11/14

CPC分类号： G11C11/1697 ,  G11C8/14 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675

摘要： A spin transfer torque magnetic random access memory (STT-MRAM) and includes: a memory cell and a reference cell configured to operate as a reference when data stored in the memory cell is read. The memory cell includes: a first magnetic tunneling junction (MTJ) element and a first transistor connected to the first MTJ element. The reference cell includes: second and third MTJ elements connected in parallel; and second and third transistors that are connected to the second and third MTJ elements, respectively. The STT-MRAM further includes a control circuit having a write circuit configured to supply write currents having opposite directions to the second and third MTJ elements.

摘要翻译： 一种自旋传递转矩磁随机存取存储器（STT-MRAM），包括：存储单元和参考单元，被配置为当读取存储在存储单元中的数据时作为参考。 存储单元包括：第一磁隧道结（MTJ）元件和连接到第一MTJ元件的第一晶体管。 参考单元包括：并联连接的第二和第三MTJ元件; 以及分别连接到第二和第三MTJ元件的第二和第三晶体管。 STT-MRAM还包括具有写入电路的控制电路，该写入电路被配置为向第二和第三MTJ元件提供具有相反方向的写入电流。

公开(公告)号：US08194439B2

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：US12923376

申请日：2010-09-17

申请人： Kwang-seok Kim ,  Hyung-soon Shin ,  Seung-jun Lee

发明人： Kwang-seok Kim ,  Hyung-soon Shin ,  Seung-jun Lee

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/1697 ,  G11C8/14 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675

摘要： A spin transfer torque magnetic random access memory (STT-MRAM) and includes: a memory cell and a reference cell configured to operate as a reference when data stored in the memory cell is read. The memory cell includes: a first magnetic tunneling junction (MTJ) element and a first transistor connected to the first MTJ element. The reference cell includes: second and third MTJ elements connected in parallel; and second and third transistors that are connected to the second and third MTJ elements, respectively. The STT-MRAM further includes a control circuit having a write circuit configured to supply write currents having opposite directions to the second and third MTJ elements.

摘要翻译： 一种自旋传递转矩磁随机存取存储器（STT-MRAM），包括：存储单元和参考单元，被配置为当读取存储在存储单元中的数据时作为参考。 存储单元包括：第一磁隧道结（MTJ）元件和连接到第一MTJ元件的第一晶体管。 参考单元包括：并联连接的第二和第三MTJ元件; 以及分别连接到第二和第三MTJ元件的第二和第三晶体管。 STT-MRAM还包括具有写入电路的控制电路，该写入电路被配置为向第二和第三MTJ元件提供具有相反方向的写入电流。

公开(公告)号：US07885104B2

公开(公告)日：2011-02-08

申请号：US12155798

申请日：2008-06-10

申请人： Ji-young Bae ,  Kwang-seok Kim ,  Mathias Kläui

发明人： Ji-young Bae ,  Kwang-seok Kim ,  Mathias Kläui

IPC分类号： G11C11/14

CPC分类号： G11C19/0808 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607

摘要： An information storage device includes a magnetic layer configured to store information, a first and second conductive layer. The first conductive layer contacts a first end of the magnetic layer. The second conductive layer contacts a second end of the magnetic layer. The magnetic layer includes first and second pinning regions at which magnetic domain walls are pinned. The widths of the magnetic layer at the first and second pinning regions are different.

摘要翻译： 信息存储装置包括被配置为存储信息的磁性层，第一和第二导电层。 第一导电层接触磁性层的第一端。 第二导电层接触磁性层的第二端。 磁性层包括在其上固定磁畴壁的第一和第二钉扎区域。 第一和第二钉扎区域的磁性层的宽度是不同的。

公开(公告)号：US20090180218A1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：US12155798

申请日：2008-06-10

申请人： Ji-young Bae ,  Kwang-seok Kim ,  Mathias Klaui

发明人： Ji-young Bae ,  Kwang-seok Kim ,  Mathias Klaui

IPC分类号： G11B5/33

CPC分类号： G11C19/0808 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607

摘要： An information storage device includes a magnetic layer configured to store information, a first and second conductive layer. The first conductive layer contacts a first end of the magnetic layer. The second conductive layer contacts a second end of the magnetic layer. The magnetic layer includes first and second pinning regions at which magnetic domain walls are pinned. The widths of the magnetic layer at the first and second pinning regions are different.

摘要翻译： 信息存储装置包括被配置为存储信息的磁性层，第一和第二导电层。 第一导电层接触磁性层的第一端。 第二导电层接触磁性层的第二端。 磁性层包括在其上固定磁畴壁的第一和第二钉扎区域。 第一和第二钉扎区域的磁性层的宽度是不同的。