公开(公告)号：US09318875B1

公开(公告)日：2016-04-19

申请号：US14225883

申请日：2014-03-26

Applicant: Soraa Laser Diode, Inc.

Inventor： Eric Goutain

IPC: F21V9/16 ,  H01S5/30 ,  H01S5/06

CPC classification number: G02B27/30 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4012 ,  H01L2924/00014

Abstract: A method and device for emitting electromagnetic radiation at high power using a gallium containing substrates such as GaN, AN, InN, InGaN, AlGaN, and AlInGaN, is provided.

Abstract translation: 提供了一种使用诸如GaN，AN，InN，InGaN，AlGaN和AlInGaN的含镓衬底发射高功率电磁辐射的方法和装置。