公开(公告)号：US06364058B1

公开(公告)日：2002-04-02

申请号：US09512677

申请日：2000-02-25

申请人： Tetsuhiro Nishide ,  Mieko Fujitsuna ,  Mitsuaki Honma

发明人： Tetsuhiro Nishide ,  Mieko Fujitsuna ,  Mitsuaki Honma

IPC分类号： F16C1700

CPC分类号： F16H57/0406 ,  F16H25/2204 ,  F16H25/2418 ,  F16H57/0497 ,  Y10T74/18744 ,  Y10T74/19758

摘要： A lubricant supply device is to be fitted to a nut member engaging with a screw shaft through rolling members to supply lubricant to the screw shaft along with a relative rotational motion of the nut member to the screw shaft. The device comprises an application member, a lubricant storage member and a control device. The application member for applying the lubricant on the screw shaft has at least one tongue portion, which is capable of coming into contact with at least one of rolling-member running surface of the screw shaft. The number of the at least one tongue portion is identical with or larger than the number of the rolling-member running surface. The lubricant storage member supplies the lubricant to the application member. The control device controls an amount of the lubricant supplied from the lubricant storage member to the application member.

摘要翻译： 润滑剂供给装置将被安装到通过滚动构件与螺纹轴接合的螺母构件，以将螺母件与螺杆轴的相对旋转运动一起向螺杆轴提供润滑剂。 该装置包括施加构件，润滑剂储存构件和控制装置。 用于在螺杆轴上施加润滑剂的施加构件具有至少一个舌部，其能够与螺杆轴的滚动构件运行表面中的至少一个接触。 至少一个舌部的数量等于或大于滚动件运行表面的数量。 润滑剂储存构件将润滑剂供应到施加构件。 控制装置控制从润滑剂储存构件向施加构件供给的润滑剂的量。

公开(公告)号：US08605500B2

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：US13050431

申请日：2011-03-17

申请人： Naoki Kobayashi ,  Mitsuaki Honma ,  Noboru Shibata

发明人： Naoki Kobayashi ,  Mitsuaki Honma ,  Noboru Shibata

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C11/5628

摘要： According to one embodiment, a system includes a memory, a controller which controls an operation of the memory in a data program, and data bus which connects the memory to the controller. The memory comprises a memory cell array with memory cells which have a bit assignment to 2x (x is an integer number of 3 or more) threshold distributions, each memory cell storing x bits, and a control circuit which controls the data program of x bits to the memory cells. The controller comprises a first step generating y bit (y is an integer number and y

摘要翻译： 根据一个实施例，系统包括存储器，控制数据程序中的存储器的操作的控制器以及将存储器连接到控制器的数据总线。 存储器包括具有存储器单元的存储器单元阵列，其具有位分配为2x（x为3或更多的整数）阈值分布，每个存储单元存储x位，以及控制电路，其控制x位数据程序 到记忆体细胞。 控制器包括基于x位产生y位（y为整数和y

公开(公告)号：US20130235657A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：US13603842

申请日：2012-09-05

申请人： Mitsuaki Honma

发明人： Mitsuaki Honma

IPC分类号： G11C16/34

CPC分类号： G11C16/3427 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3459

摘要： According to one embodiment, a nonvolatile semiconductor memory device includes a memory cell array and a controller. The controller is configured to perform a verify operation using a first verification voltage and a second verification voltage (first verification voltage

摘要翻译： 根据一个实施例，非易失性半导体存储器件包括存储单元阵列和控制器。 控制器被配置为当第一值数据被存储在第一存储单元中时，使用第一验证电压和第二验证电压（第一验证电压<第二验证电压）执行验证操作。 所述控制器被配置为当所述第一存储单元的阈值电压大于或等于所述第一存储器单元的阈值电压时，基于与所述第一存储单元相邻的第二存储单元的写入数据来确定对所述第一存储器单元的写入操作是否完成或继续 第一验证电压小于第二验证电压。

公开(公告)号：US08363479B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US13039756

申请日：2011-03-03

申请人： Mitsuaki Honma

发明人： Mitsuaki Honma

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C16/04

CPC分类号： G11C16/3459 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3454

摘要： According to one embodiment, a nonvolatile semiconductor memory device includes a memory cell array connected to word lines and bit lines, and formed by arranging a plurality of memory cells in a matrix, each memory cell storing one of n values (n is a natural number of not less than 2), and a control circuit configured to write data in the memory cells by controlling potentials of the word lines and the bit lines in accordance with input data. The control circuit performs a write verify operation a plurality of number of times by changing a voltage level, stores data of the voltage level at which verify pass occurs, and determines a write voltage based on the stored data of the voltage level.

摘要翻译： 根据一个实施例，非易失性半导体存储器件包括连接到字线和位线的存储单元阵列，并且通过以矩阵形式布置多个存储单元而形成，每个存储单元存储n个值中的一个（n是自然数 不小于2），以及控制电路，被配置为通过根据输入数据控制字线和位线的电位来将数据写入存储单元。 控制电路通过改变电压电平来执行多次写入验证操作，存储发生验证通过的电压电平的数据，并且基于所存储的电压电平的数据来确定写入电压。

公开(公告)号：US08174883B2

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：US12538290

申请日：2009-08-10

申请人： Mitsuaki Honma ,  Noboru Shibata

发明人： Mitsuaki Honma ,  Noboru Shibata

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C16/06

摘要： A memory cell array is connected to a word line and a bit line, and configured so that a plurality of memory cells storing one level of n levels (n is a natural number more than 4) in one memory cell are arrayed in a matrix. A control circuit controls a potential of the word line and the bit line in accordance with input data, and writs data in the memory cell. The control circuit applies a write voltage corresponding to write data to a memory cell. The write voltage differs for each write data. A verify operation is executed for each write data after a write voltage application operation ends with respect to all n levels.

摘要翻译： 存储单元阵列连接到字线和位线，并且被配置为使得在一个存储单元中存储n个电平（n是大于4的自然数）的一个电平的多个存储单元被排列成矩阵。 控制电路根据输入数据控制字线和位线的电位，并将数据写入存储单元。 控制电路将对应于写入数据的写入电压施加到存储单元。 每个写入数据的写入电压不同。 在写入电压施加操作相对于所有n个电平结束之后，对每个写入数据执行验证操作。

公开(公告)号：US08078940B2

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：US11877287

申请日：2007-10-23

申请人： Hironori Uchikawa ,  Tatsuyuki Ishikawa ,  Mitsuaki Honma

发明人： Hironori Uchikawa ,  Tatsuyuki Ishikawa ,  Mitsuaki Honma

IPC分类号： G11C29/00

CPC分类号： G06F11/1068 ,  G11C2029/0411

摘要： A non-volatile semiconductor memory device comprises a memory cell array including a plurality of memory cells arrayed capable of storing information in accordance with variations in threshold voltage. A likelihood calculator has a plurality of likelihood calculation algorithms for deriving a likelihood value about a stored data bit from a threshold value read out of the memory cell. An error correction unit executes error correction through iterative processing using the likelihood value obtained at the likelihood calculator. A likelihood calculator controller changes among the likelihood calculation algorithms in the likelihood calculator based on a certain value of the number of iterations in the iterative processing obtained from the error correction unit.

摘要翻译： 非易失性半导体存储器件包括存储单元阵列，该存储单元阵列包括能够根据阈值电压的变化存储信息的多个存储单元。 似然度计算器具有多个似然计算算法，用于从从存储单元读出的阈值中导出关于存储的数据位的似然值。 错误校正单元通过使用在似然度计算器获得的似然值的迭代处理执行纠错。 似然度计算器控制器根据从误差校正单元获得的迭代处理中的迭代次数的一定值，在似然度计算器中的似然计算算法中进行变化。

公开(公告)号：US07855915B2

公开(公告)日：2010-12-21

申请号：US12211495

申请日：2008-09-16

申请人： Mitsuaki Honma ,  Yoshikazu Takeyama

发明人： Mitsuaki Honma ,  Yoshikazu Takeyama

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/3454 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5642 ,  G11C2211/5647

摘要： A memory cell array includes a plurality of memory cells in each of which a plurality of bits are stored. A sense amplifier detects data read from a memory cell selected from the memory cell array. At the time of a write verify operation for verifying write data, when a threshold voltage of the memory cell exceeds a predetermined checkpoint, the data control unit converts write data to be written to the memory cell into data of the number of times indicating the remaining number of write voltage application times, inverts only one bit of the data of the number of times each time a write voltage application operation is performed, and changes a definition of the data of the number of times to thereby perform a subtraction operation.

摘要翻译： 存储单元阵列包括存储多个位的多个存储单元。 读出放大器检测从从存储单元阵列中选择的存储单元读取的数据。 在用于验证写入数据的写入验证操作时，当存储器单元的阈值电压超过预定检查点时，数据控制单元将要写入存储器单元的写入数据转换成指示剩余的数量的数据 写入电压施加次数，仅在执行写入电压施加操作时仅反转一次数据的数据，并且改变次数的数据的定义从而进行减法运算。

公开(公告)号：US07589997B2

公开(公告)日：2009-09-15

申请号：US11876289

申请日：2007-10-22

申请人： Mitsuaki Honma ,  Noboru Shibata ,  Shinji Saito

发明人： Mitsuaki Honma ,  Noboru Shibata ,  Shinji Saito

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G06F11/1068 ,  G11C2029/0411

摘要： A non-volatile semiconductor memory device, allocates data contained in an ECC frame as a first data group to be stored in a first memory cell group composed of a plurality of first memory cells selected by a first word line and a second data group to be stored in a second memory cell group composed of a plurality of second memory cells selected by a second word line.

摘要翻译： 一种非易失性半导体存储器件，将包含在ECC帧中的数据分配为要存储在由第一字线和第二数据组选择的多个第一存储单元组成的第一存储单元组中的第一数据组 存储在由第二字线选择的多个第二存储单元组成的第二存储单元组中。

公开(公告)号：US07554849B2

公开(公告)日：2009-06-30

申请号：US11940736

申请日：2007-11-15

申请人： Mitsuaki Honma ,  Katsuaki Isobe

发明人： Mitsuaki Honma ,  Katsuaki Isobe

IPC分类号： G11C16/06

CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C16/20 ,  G11C29/02 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/48 ,  G11C2029/5004

摘要： A nonvolatile semiconductor memory for setting control voltages to be supplied to an internal circuit, to an external reference voltage inputted from outside, has a parameter control circuit. The parameter control circuit causes a parameter register to sequentially output the plurality of parameters to a voltage generating control circuit. The parameter control circuit counts, for a fixed period of time, the number of oscillations of each of the trimming flag signals sequentially outputted from the voltage generating control circuit in response to the parameters. The parameter control circuit stores counted values corresponding to the parameters. The parameter control circuit selects the parameter having a maximum counted value as a parameter corresponding to the control voltage closest to the external reference voltage.

摘要翻译： 用于将向内部电路提供的控制电压设置为从外部输入的外部参考电压的非易失性半导体存储器具有参数控制电路。 参数控制电路使参数寄存器顺序地将多个参数输出到电压产生控制电路。 参数控制电路在固定的时间段内，根据参数从电压产生控制电路顺序输出的每个修整标志信号的振荡次数进行计数。 参数控制电路存储对应于参数的计数值。 参数控制电路选择具有最大计数值的参数作为与最接近外部参考电压的控制电压对应的参数。

公开(公告)号：US07508704B2

公开(公告)日：2009-03-24

申请号：US11772563

申请日：2007-07-02

申请人： Mitsuaki Honma ,  Noboru Shibata ,  Hironori Uchikawa

发明人： Mitsuaki Honma ,  Noboru Shibata ,  Hironori Uchikawa

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G06F11/1072 ,  G11C2211/5646

摘要： In a memory cell array, memory cells enabled to store plural-bit data are arranged in matrix. The bit-line control circuit is connected to bit-lines to control the bit-lines. A word line control circuit applies a plural-bit data read voltage as a word line voltage to the word line. The plural-bit data read voltage is larger than an upper limit of one of plural threshold voltage distributions and smaller than a lower limit of another threshold voltage distribution. Furthermore, it applies a soft-value read voltage as a word line voltage to the word line. The soft-value read voltage is smaller than an upper limit of a threshold voltage distribution and larger than a lower limit thereof. The likelihood calculation circuit calculates likelihood of the plural-bit data stores in the memory cells based on the soft-value.

摘要翻译： 在存储单元阵列中，能够存储多位数据的存储单元被排列成矩阵。 位线控制电路连接到位线以控制位线。 字线控制电路将多位数据读取电压作为字线电压施加到字线。 多位数据读取电压大于多个阈值电压分布中的一个的上限，并且小于另一个阈值电压分布的下限。 此外，它将软值读取电压作为字线电压施加到字线。 软值读取电压小于阈值电压分布的上限并且大于其下限。 似然度计算电路基于软值来计算存储单元中的多位数据存储的可能性。