公开(公告)号：US07765234B2

公开(公告)日：2010-07-27

申请号：US11580716

申请日：2006-10-12

申请人： Hong Qiu ,  Junwei Bao ,  Wei Liu ,  Jeffrey Alexander Chard ,  Miao Liu ,  Gang He ,  Hemalatha Erva ,  Vi Vuong

发明人： Hong Qiu ,  Junwei Bao ,  Wei Liu ,  Jeffrey Alexander Chard ,  Miao Liu ,  Gang He ,  Hemalatha Erva ,  Vi Vuong

IPC分类号： G06Q50/00

CPC分类号： G01N21/4788 ,  G01B11/24 ,  Y10S707/953

摘要： To manage data flow in generating different signal formats for use in optical metrology, a project data object is created. A first option data object is created. The first option data object has a set of signal parameters. Different settings of the set of signal parameters correspond to different signal formats for diffraction signals. A version number is associated with the first option data object. The first option data object is linked with the project data object. At least a second option data object is created. The second option data object has a set of signal parameters. Different settings of the set of signal parameters correspond to different signal formats for diffraction signals. The set of signal parameters of the first option data object and the set of signal parameters of the second option data object are set differently. Another version number is associated with the second option data object. The second option data object is linked with the project data object. The project data object, the first option data object, and the second option data object are stored. The version numbers associated with the first option data object and the second option data object are stored. The link between the first option data object and the project data object is stored. The link between the second option data object and the project data object is stored.

摘要翻译： 为了管理生成用于光学测量的不同信号格式的数据流，创建了一个项目数据对象。 创建第一个选项数据对象。 第一个选项数据对象具有一组信号参数。 信号参数组的不同设置对应于衍射信号的不同信号格式。 版本号与第一选项数据对象相关联。 第一个选项数据对象与项目数据对象链接。 至少创建第二个选项数据对象。 第二个选项数据对象具有一组信号参数。 信号参数组的不同设置对应于衍射信号的不同信号格式。 第一选项数据对象的信号参数集合和第二选项数据对象的信号参数集合设置不同。 另一个版本号与第二个选项数据对象相关联。 第二个选项数据对象与项目数据对象链接。 存储项目数据对象，第一选项数据对象和第二选项数据对象。 存储与第一选项数据对象和第二选项数据对象相关联的版本号。 存储第一个选项数据对象和项目数据对象之间的链接。 存储第二选项数据对象与项目数据对象之间的链接。

公开(公告)号：US07742888B2

公开(公告)日：2010-06-22

申请号：US11493290

申请日：2006-07-25

申请人： Hemalatha Erva ,  Hong Qiu ,  Junwei Bao ,  Vi Vuong

发明人： Hemalatha Erva ,  Hong Qiu ,  Junwei Bao ,  Vi Vuong

IPC分类号： G01N37/00

CPC分类号： G01B11/24 ,  G01N21/4788

摘要： In allocating processing units of a computer system to generate simulated diffraction signals used in optical metrology, a request for a job to generate simulated diffraction signals using multiple processing units is obtained. A number of processing units requested for the job to generate simulated diffraction signals is then determined. A number of available processing units is determined. When the number of processing units requested is greater than the number of available processing units, a number of processing units is assigned to generate the simulated diffraction signals that is less than the number of processing units requested.

摘要翻译： 在分配计算机系统的处理单元以产生光学测量中使用的模拟衍射信号时，获得使用多个处理单元产生模拟衍射信号的工作请求。 然后确定要求工作产生模拟衍射信号的多个处理单元。 确定了许多可用的处理单元。 当所请求的处理单元的数量大于可用处理单元的数量时，分配多个处理单元以产生小于所请求的处理单元的数量的模拟衍射信号。

公开(公告)号：US07526354B2

公开(公告)日：2009-04-28

申请号：US11484484

申请日：2006-07-10

申请人： Manuel Madriaga ,  Junwei Bao ,  Vi Vuong

发明人： Manuel Madriaga ,  Junwei Bao ,  Vi Vuong

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： G01B11/14 ,  G01N21/4788 ,  G01N21/95607 ,  G01N2021/95615 ,  G03F7/70625

摘要： A system for examining a patterned structure formed on a semiconductor wafer using an optical metrology model includes a first fabrication cluster, a metrology cluster, an optical metrology model optimizer, and a real time profile estimator. The first fabrication cluster configured to process a wafer, the wafer having a first patterned and a first unpatterned structure. The first patterned structure has underlying film thicknesses, critical dimension, and profile. The metrology cluster including one or more optical metrology devices coupled to the first fabrication cluster. The metrology cluster is configured to measure diffraction signals off the first patterned and the first unpatterned structure. The metrology model optimizer is configured to optimize an optical metrology model of the first patterned structure using one or more measured diffraction signals off the first patterned structure and with floating profile parameters, material refraction parameters, and metrology device parameters.

摘要翻译： 使用光学测量模型检查在半导体晶片上形成的图案化结构的系统包括第一制造集群，度量集群，光学计量模型优化器和实时分布估计器。 第一制造集群被配置为处理晶片，晶片具有第一图案化和第一未图案化结构。 第一图案结构具有底层膜厚度，临界尺寸和轮廓。 测量集群包括耦合到第一制造集群的一个或多个光学测量装置。 测量簇被配置为测量离开第一图案和第一未图案化结构的衍射信号。 计量模型优化器被配置为使用离开第一图案化结构的一个或多个测量的衍射信号以及浮动轮廓参数，材料折射参数和度量设备参数来优化第一图案化结构的光学测量模型。

公开(公告)号：US20080089574A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：US11580716

申请日：2006-10-12

申请人： Hong Qiu ,  Junwei Bao ,  Wei Liu ,  Jeffrey A. Chard ,  Miao Liu ,  Gang He ,  Hemalatha Erva ,  Vi Vuong

发明人： Hong Qiu ,  Junwei Bao ,  Wei Liu ,  Jeffrey A. Chard ,  Miao Liu ,  Gang He ,  Hemalatha Erva ,  Vi Vuong

IPC分类号： G06K9/00

CPC分类号： G01N21/4788 ,  G01B11/24 ,  Y10S707/953

摘要： To manage data flow in generating different signal formats for use in optical metrology, a project data object is created. A first option data object is created. The first option data object has a set of signal parameters. Different settings of the set of signal parameters correspond to different signal formats for diffraction signals. A version number is associated with the first option data object. The first option data object is linked with the project data object. At least a second option data object is created. The second option data object has a set of signal parameters. Different settings of the set of signal parameters correspond to different signal formats for diffraction signals. The set of signal parameters of the first option data object and the set of signal parameters of the second option data object are set differently. Another version number is associated with the second option data object. The second option data object is linked with the project data object. The project data object, the first option data object, and the second option data object are stored. The version numbers associated with the first option data object and the second option data object are stored. The link between the first option data object and the project data object is stored. The link between the second option data object and the project data object is stored.

摘要翻译： 为了管理生成用于光学测量的不同信号格式的数据流，创建了一个项目数据对象。 创建第一个选项数据对象。 第一个选项数据对象具有一组信号参数。 信号参数组的不同设置对应于衍射信号的不同信号格式。 版本号与第一选项数据对象相关联。 第一个选项数据对象与项目数据对象链接。 至少创建第二个选项数据对象。 第二个选项数据对象具有一组信号参数。 信号参数组的不同设置对应于衍射信号的不同信号格式。 第一选项数据对象的信号参数集合和第二选项数据对象的信号参数集合设置不同。 另一个版本号与第二个选项数据对象相关联。 第二个选项数据对象与项目数据对象链接。 存储项目数据对象，第一选项数据对象和第二选项数据对象。 存储与第一选项数据对象和第二选项数据对象相关联的版本号。 存储第一个选项数据对象和项目数据对象之间的链接。 存储第二选项数据对象与项目数据对象之间的链接。

公开(公告)号：US20080007740A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：US11484483

申请日：2006-07-10

申请人： Vi Vuong ,  Junwei Bao

发明人： Vi Vuong ,  Junwei Bao

IPC分类号： G01B11/14

CPC分类号： G01B11/24 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70625

摘要： To examine a patterned structure formed on a semiconductor wafer using an optical metrology model, an optical metrology model is created for the patterned structure. The optical metrology model has profile parameters, material refraction parameters, and metrology device parameters. Ranges of values for the profile parameters, material refraction parameters, and metrology device parameters are defined. One or more measured diffraction signals of the patterned structure are obtained. The optical metrology model is optimized to obtain an optimized optical metrology model using the defined ranges of values defined and the one or more obtained measured diffraction signals of the patterned structure. For at least one parameter from amongst the material refraction parameters and the metrology device parameters, the at least one parameter is set to a fixed value within the range of values for the at least one parameter. At least one profile parameter of the patterned structure is determined using the optimized optical metrology model and the fixed value for the at least one parameter.

摘要翻译： 为了使用光学测量模型检查在半导体晶片上形成的图案化结构，为图案化结构创建光学测量模型。 光学测量模型具有轮廓参数，材料折射参数和测量装置参数。 定义轮廓参数，材料折射参数和计量装置参数的值范围。 获得图案化结构的一个或多个测量的衍射信号。 光学测量模型被优化以使用定义的定义范围的值和所获得的所述图案化结构的所测量的衍射信号来获得优化的光学测量模型。 对于材料折射参数和测量装置参数中的至少一个参数，将至少一个参数设置为在至少一个参数的值的范围内的固定值。 使用优化的光学测量模型和至少一个参数的固定值来确定图案化结构的至少一个轮廓参数。

公开(公告)号：US20140032463A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：US14044729

申请日：2013-10-02

申请人： Wen Jin ,  Vi Vuong ,  Junwei Bao ,  Lie-Quan Lee ,  Leonid Poslavsky

发明人： Wen Jin ,  Vi Vuong ,  Junwei Bao ,  Lie-Quan Lee ,  Leonid Poslavsky

IPC分类号： G06N3/08

CPC分类号： G06N3/08 ,  G06N3/0454

摘要： Approaches for accurate neural network training for library-based critical dimension (CD) metrology are described. Approaches for fast neural network training for library-based CD metrology are also described.

摘要翻译： 描述了基于图书馆的关键维度（CD）计量学的准确神经网络训练的方法。 还介绍了基于图书馆的CD测量的快速神经网络训练方法。

公开(公告)号：US20120199287A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13444746

申请日：2012-04-11

申请人： Vi Vuong ,  Junwei Bao ,  Yan Chen ,  Weichert Heiko ,  Sebastien Egret

发明人： Vi Vuong ,  Junwei Bao ,  Yan Chen ,  Weichert Heiko ,  Sebastien Egret

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： G01N21/4788 ,  G01N21/211 ,  G01N2021/215

摘要： Metrology data from a semiconductor treatment system is transformed using multivariate analysis. In particular, a set of metrology data measured or simulated for one or more substrates treated using the treatment system is obtained. One or more essential variables for the obtained set of metrology data is determined using multivariate analysis. A first metrology data measured or simulated for one or more substrates treated using the treatment system is obtained. The first obtained metrology data is not one of the metrology data in the set of metrology data earlier obtained. The first metrology data is transformed into a second metrology data using the one or more of the determined essential variables.

摘要翻译： 来自半导体处理系统的测量数据使用多变量分析进行转换。 特别地，获得了对使用该处理系统处理的一个或多个基底测量或模拟的一组度量数据。 使用多变量分析确定获得的度量数据集的一个或多个基本变量。 获得用于使用处理系统处理的一个或多个基底测量或模拟的第一测量数据。 获得的第一个测量数据不是之前获得的测量数据集中的度量数据之一。 使用所确定的一个或多个基本变量将第一计量数据转换成第二计量数据。

公开(公告)号：US08170833B2

公开(公告)日：2012-05-01

申请号：US12336435

申请日：2008-12-16

申请人： Vi Vuong ,  Junwei Bao ,  Yan Chen ,  Weichert Heiko ,  Sebastien Egret

发明人： Vi Vuong ,  Junwei Bao ,  Yan Chen ,  Weichert Heiko ,  Sebastien Egret

IPC分类号： G06F17/18

CPC分类号： G01N21/4788 ,  G01N21/211 ,  G01N2021/215

摘要： Metrology data from a semiconductor treatment system is transformed using multivariate analysis. In particular, a set of metrology data measured or simulated for one or more substrates treated using the treatment system is obtained. One or more essential variables for the obtained set of metrology data is determined using multivariate analysis. A first metrology data measured or simulated for one or more substrates treated using the treatment system is obtained. The first obtained metrology data is not one of the metrology data in the set of metrology data earlier obtained. The first metrology data is transformed into a second metrology data using the one or more of the determined essential variables.

摘要翻译： 来自半导体处理系统的测量数据使用多变量分析进行转换。 特别地，获得了对使用该处理系统处理的一个或多个基底测量或模拟的一组度量数据。 使用多变量分析确定获得的度量数据集的一个或多个基本变量。 获得用于使用处理系统处理的一个或多个基底测量或模拟的第一测量数据。 获得的第一个测量数据不是之前获得的测量数据集中的度量数据之一。 使用所确定的一个或多个基本变量将第一计量数据转换成第二计量数据。

公开(公告)号：US07495781B2

公开(公告)日：2009-02-24

申请号：US11484483

申请日：2006-07-10

申请人： Vi Vuong ,  Junwei Bao

发明人： Vi Vuong ,  Junwei Bao

IPC分类号： G01B11/14

CPC分类号： G01B11/24 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70625

摘要： An optical metrology model is created for a patterned structure formed on a semiconductor wafer. The optical metrology model has profile parameters, material refraction parameters, and metrology device parameters. Ranges of values for the parameters are defined. One or more measured diffraction signals of the patterned structure are obtained. The optical metrology model is optimized to obtain an optimized optical metrology model using the defined ranges of values defined and the one or more obtained measured diffraction signals of the patterned structure. For at least one parameter from amongst the material refraction parameters and the metrology device parameters, the at least one parameter is set to a fixed value within the range of values for the at least one parameter. At least one profile parameter of the patterned structure is determined using the optimized optical metrology model and the fixed value for the at least one parameter.

摘要翻译： 为在半导体晶片上形成的图案化结构创建光学计量学模型。 光学测量模型具有轮廓参数，材料折射参数和测量装置参数。 定义参数值的范围。 获得图案化结构的一个或多个测量的衍射信号。 光学测量模型被优化以使用定义的定义范围的值和所获得的所述图案化结构的所测量的衍射信号来获得优化的光学测量模型。 对于材料折射参数和测量装置参数中的至少一个参数，将至少一个参数设置为在至少一个参数的值的范围内的固定值。 使用优化的光学测量模型和至少一个参数的固定值来确定图案化结构的至少一个轮廓参数。

公开(公告)号：US07467064B2

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：US11349773

申请日：2006-02-07

申请人： Vi Vuong ,  Junwei Bao ,  Yan Chen ,  Weichert Heiko ,  Sebastien Egret

发明人： Vi Vuong ,  Junwei Bao ,  Yan Chen ,  Weichert Heiko ,  Sebastien Egret

IPC分类号： G06F15/00

CPC分类号： G01N21/4788 ,  G01N21/211 ,  G01N2021/215

摘要： Metrology data from a semiconductor treatment system is transformed using multivariate analysis. In particular, a set of metrology data measured or simulated for one or more substrates treated using the treatment system is obtained. One or more essential variables for the obtained set of metrology data is determined using multivariate analysis. A first metrology data measured or simulated for one or more substrates treated using the treatment system is obtained. The first obtained metrology data is not one of the metrology data in the set of metrology data earlier obtained. The first metrology data is transformed into a second metrology data using the one or more of the determined essential variables.

摘要翻译： 来自半导体处理系统的测量数据使用多变量分析进行转换。 特别地，获得了对使用该处理系统处理的一个或多个基底测量或模拟的一组度量数据。 使用多变量分析确定获得的度量数据集的一个或多个基本变量。 获得用于使用处理系统处理的一个或多个基底测量或模拟的第一测量数据。 获得的第一个测量数据不是之前获得的测量数据集中的计量数据之一。 使用所确定的一个或多个基本变量将第一计量数据转换成第二计量数据。