公开(公告)号：USD259276S

公开(公告)日：1981-05-19

申请号：US944953

申请日：1978-09-22

申请人： Dannie O. Malafouris ,  Robert E. Jones

设计人： Dannie O. Malafouris ,  Robert E. Jones

公开(公告)号：US4162492A

公开(公告)日：1979-07-24

申请号：US283673

申请日：1972-08-25

申请人： Robert E. Jones, Jr.

发明人： Robert E. Jones, Jr.

IPC分类号： G09B9/30 ,  G09G1/12 ,  G06F3/14

CPC分类号： G09G1/12 ,  G09B9/301

摘要： Method and apparatus for generating image-forming envelope and other wave forms for image display of an area or an object whose image is desired to be simulated. The image-forming envelope wave forms for complex objects and complex area silhouettes are formed as composites of component areas forming the silhouette outline to be imaged in signal form and displayed. Object attitude variations, range variations, and observer-to-object geometry is accommodated.

摘要翻译： 用于产生图像形成包络和其他波形的方法和装置，用于希望模拟其图像的区域或对象的图像显示。 形成复杂物体的图像形成包络波，复杂区域轮廓形成为以信号形式形成要成像的轮廓轮廓的分量区域的复合物并显示。 对象姿态变化，范围变化和观察者到对象几何被容纳。

公开(公告)号：US4036350A

公开(公告)日：1977-07-19

申请号：US431637

申请日：1974-01-08

申请人： Robert E. Jones

发明人： Robert E. Jones

IPC分类号： B65G47/26 ,  B65G49/08 ,  B65G57/00

CPC分类号： B65G49/08 ,  B65G47/26 ,  Y10S414/11

摘要： A conveying system for separating bricks for inspection purposes by successive conveyors which have dissimilar speeds. A plurality of these conveying systems feed to a single conveyor on which the bricks from each system are stacked in layers where each of the layers is from a different system.

摘要翻译： 一种输送系统，用于通过具有不同速度的连续输送机分离砖用于检查目的。 多个这样的输送系统进给到单个输送机，其中来自每个系统的砖堆叠成层，其中每个层来自不同的系统。

公开(公告)号：US3949589A

公开(公告)日：1976-04-13

申请号：US547190

申请日：1975-02-05

申请人： Robert R. Johnson ,  Robert E. Jones ,  John A. Zwald

发明人： Robert R. Johnson ,  Robert E. Jones ,  John A. Zwald

IPC分类号： B21D28/34 ,  B21D37/04 ,  B21D37/02 ,  B21D37/14 ,  B21J13/02 ,  B21J13/04

CPC分类号： B21D28/34 ,  B21D37/04

摘要： There is described a subdie assembly adapted for easy removal from a larger die apparatus. The assembly comprises a die retention means, die means, guide means, tool retention means and workpiece engaging means both movably oriented on said guide means for aligned movement toward and away from the die retention means, and first and second resilient spacing means for maintaining the tool retention means in spaced relationship with the workpiece engaging means and the die retention means respectively.

摘要翻译： 描述了适于容易地从更大的模具装置移除的细分组件。 组件包括模具保持装置，模具装置，导向装置，工具保持装置和工件接合装置，两者可移动地定向在所述引导装置上，用于朝向和远离模具保持装置的对准运动;以及第一和第二弹性间隔装置， 工具保持装置分别与工件接合装置和模具保持装置间隔开。

公开(公告)号：US2465807A

公开(公告)日：1949-03-29

申请号：US74143747

申请日：1947-04-15

申请人： WILLIAM SAUNDERS ,  ROBERT E JONES SR

发明人： JONES THOMAS H

IPC分类号： B24B23/04

CPC分类号： B24B23/04

公开(公告)号：US08515555B1

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US12247531

申请日：2008-10-08

申请人： Robert E. Jones

发明人： Robert E. Jones

IPC分类号： A61N1/00

CPC分类号： A61N1/3752 ,  A61N1/3605

摘要： In one embodiment, a lead extension comprises: a lead body; a plurality of conductors disposed within the lead body; a plurality of terminal contacts on a proximal end of the lead body, wherein the plurality of terminal contacts are electrically coupled to the plurality of conductors; and a housing structure disposed at a distal end of the lead body, the housing structure enclosing a plurality of electrical connectors for making electrical contact with terminal contacts of a stimulation lead, wherein the plurality of electrical connectors are electrically coupled to the plurality of conductors; the housing structure comprising an outer body of a first material and an inner reinforcing structure of a second material, wherein the first material is a relatively pliable biocompatible polymer material and the second material is a relatively rigid material, the reinforcing structure holding the plurality of electrical connectors in a relatively fixed arrangement.

摘要翻译： 在一个实施例中，引线延伸部包括：引线体; 布置在所述引线体内的多个导体; 在所述引线主体的近端上的多个端子触点，其中所述多个端子触头电耦合到所述多个导体; 以及设置在所述引线主体的远端处的壳体结构，所述壳体结构包围多个电连接器，用于与刺激引线的端子触点电接触，其中所述多个电连接器电耦合到所述多个导体; 所述壳体结构包括第一材料的外体和第二材料的内部增强结构，其中所述第一材料是相对柔韧的生物相容性聚合物材料，并且所述第二材料是相对刚性的材料，所述加强结构保持所述多个电气 连接器以相对固定的布置。

公开(公告)号：US20100276735A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12433431

申请日：2009-04-30

申请人： Gregory S. Spencer ,  Jill C. Hildreth ,  Robert E. Jones

发明人： Gregory S. Spencer ,  Jill C. Hildreth ,  Robert E. Jones

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L21/762 ,  H01L31/18

CPC分类号： G02B6/12004 ,  H01L21/76283 ,  H01L27/1203 ,  H01L31/028 ,  H01L31/112

摘要： A method for forming a semiconductor structure having a transistor region and an optical device region includes forming a transistor in and on a first semiconductor layer of the semiconductor structure, wherein the first semiconductor layer is over a first insulating layer, the first insulating layer is over a second semiconductor layer, and the second semiconductor layer is over a second insulating layer, wherein a gate dielectric of the transistor is in physical contact with a top surface of the first semiconductor layer, and wherein the transistor is formed in the transistor region of the semiconductor structure. The method also includes forming a waveguide device in the optical device region, wherein forming the waveguide device includes exposing a portion of the second semiconductor layer in the optical device region; and epitaxially growing a third semiconductor layer over the exposed portion of the second semiconductor layer.

摘要翻译： 一种用于形成具有晶体管区域和光学器件区域的半导体结构的方法包括在半导体结构的第一半导体层中及其上形成晶体管，其中第一半导体层在第一绝缘层之上，第一绝缘层结束 第二半导体层，并且所述第二半导体层在第二绝缘层之上，其中所述晶体管的栅极电介质与所述第一半导体层的顶表面物理接触，并且其中所述晶体管形成在所述晶体管的晶体管区域中 半导体结构。 该方法还包括在光学器件区域中形成波导器件，其中形成波导器件包括将光学器件区域中的第二半导体层的一部分曝光; 并且在第二半导体层的暴露部分上外延生长第三半导体层。

公开(公告)号：US20080206934A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US11678327

申请日：2007-02-23

申请人： Robert E. Jones ,  Rickey S. Brownson

发明人： Robert E. Jones ,  Rickey S. Brownson

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66795

摘要： A semiconductor device is made by steps of removing portions of a first capping layer, removing portions of a sacrificial layer, recessing sidewalls, and forming fin structures. The step of removing portions of the first capping layer forms a first capping structure that covers portions of the sacrificial layer. The step of removing portions of the sacrificial layer removes portions of the sacrificial layer that are not covered by the first capping structure to define an intermediate structure. The step of recessing the sidewalls recesses sidewalls of the intermediate structure relative to edge regions of the first capping structure to form a sacrificial structure having recessed sidewalls. The step of forming fin structures forms fin structures adjacent to the recessed sidewalls.

摘要翻译： 半导体器件通过去除第一覆盖层的部分，去除牺牲层的部分，凹陷侧壁和形成鳍结构的步骤制成。 去除第一覆盖层的部分的步骤形成覆盖牺牲层的部分的第一封盖结构。 去除牺牲层的部分的步骤去除牺牲层的不被第一封盖结构覆盖以限定中间结构的部分。 凹陷侧壁的中间结构的侧壁相对于第一封盖结构的边缘区域凹陷的步骤形成具有凹陷侧壁的牺牲结构。 形成翅片结构的步骤形成与凹陷侧壁相邻的翅片结构。

公开(公告)号：US07358616B2

公开(公告)日：2008-04-15

申请号：US11226025

申请日：2005-09-14

申请人： Syed M. Alam ,  Robert E. Jones ,  Scott K. Pozder

发明人： Syed M. Alam ,  Robert E. Jones ,  Scott K. Pozder

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541

摘要： A reciprocal design symmetry allows stacked wafers or die on wafer to use identical designs or designs that vary only by a few layers (e.g. metal interconnect layers). Flipping or rotating one die or wafer allows the stacked die to have a reciprocal orientation with respect to each other which may be used to decrease the interconnect required between the vertically stacked die and or wafers. Flipping and/or rotating may also be used to improve heat dissipation when wafer and/or die are stacked. The stacked wafers or die may then be packaged.

摘要翻译： 互易设计对称性允许晶片上的堆叠晶片或晶片使用仅仅几层（例如，金属互连层）变化的相同设计或设计。 翻转或旋转一个模具或晶片允许堆叠的模具相对于彼此具有相互的取向，其可用于减小垂直堆叠的模具和/或晶片之间所需的互连。 当晶片和/或管芯堆叠时，翻转和/或旋转也可用于改善散热。 然后可以包装堆叠的晶片或管芯。

公开(公告)号：US06916669B2

公开(公告)日：2005-07-12

申请号：US10378348

申请日：2003-03-03

申请人： Robert E. Jones ,  Carole C. Barron ,  Eric D. Luckowski ,  Bradley M. Melnick

发明人： Robert E. Jones ,  Carole C. Barron ,  Eric D. Luckowski ,  Bradley M. Melnick

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y10/00

摘要： A self-aligned magnetic clad bit line structure (274) for a magnetic memory element (240a) and its method of formation are disclosed, wherein the self-aligned magnetic clad bit line structure (274) extends within a trench (258) and includes a conductive material (264), magnetic cladding sidewalls (262) and a magnetic cladding cap (252). The magnetic cladding sidewalls (262) at least partially surround the conductive material (264) and the magnetic cladding cap (252) is substantially recessed within the trench with respect to the top of the trench.

摘要翻译： 公开了一种用于磁存储元件（240a）的自对准磁性覆层位线结构（274）及其形成方法，其中自对准磁性覆层位线结构（274）在沟槽（258）内延伸，并且 包括导电材料（264），磁性覆层侧壁（262）和磁性覆层帽（252）。 至少部分地围绕导电材料（264）的磁性包覆侧壁（262）和磁性包覆帽（252）相对于沟槽的顶部基本上在沟槽内凹陷。