公开(公告)号：US20050174861A1

公开(公告)日：2005-08-11

申请号：US11028202

申请日：2005-01-04

申请人： Young-Tae Kim ,  Young-Nam Hwang ,  Tai-Kyung Kim ,  Won-Young Chung ,  Keun-Ho Lee

发明人： Young-Tae Kim ,  Young-Nam Hwang ,  Tai-Kyung Kim ,  Won-Young Chung ,  Keun-Ho Lee

IPC分类号： H01L27/115 ,  G11C29/00 ,  H01L27/10 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675

摘要： In a method of forming a phase-change memory device, a variable resistance member may be formed on a s semiconductor substrate having a contact region, and a first electrode may be formed to contact a first portion of the variable resistance member and to be electrically connected to the contact region. A second electrode may be formed so as to contact a second portion of the variable resistance member.

摘要翻译： 在形成相变存储器件的方法中，可变电阻部件可以形成为具有接触区域的半导体衬底，并且第一电极可以形成为接触可变电阻部件的第一部分并被电连接 到接触区域。 第二电极可以形成为接触可变电阻部件的第二部分。

公开(公告)号：US20050117387A1

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：US10788407

申请日：2004-03-01

申请人： Young-nam Hwang ,  Ki-nam Kim ,  Su-jin Ahn

发明人： Young-nam Hwang ,  Ki-nam Kim ,  Su-jin Ahn

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C16/02 ,  G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/3431 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/79

摘要： A phase-change memory device includes a phase-change memory cell having a volume of material which is programmable between amorphous and crystalline states. A write current source selectively applies a first write current pulse to program the phase-change memory cell into the amorphous state and a second write current pulse to program the phase-change memory cell into the crystalline state. The phase-change memory device further includes a restore circuit which selectively applies the first current pulse to the phase-change memory cell to restore at least an amorphous state of the phase-change memory cell.

摘要翻译： 相变存储器件包括具有在非晶态和晶态之间可编程的材料体积的相变存储单元。 写入电流源选择性地施加第一写入电流脉冲以将相变存储器单元编程为非晶态，以及第二写入电流脉冲以将相变存储器单元编程为结晶状态。 相变存储器件还包括还原电路，其选择性地将第一电流脉冲施加到相变存储器单元以恢复相变存储单元的至少非晶状态。