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    ISOLATION STRUCTURE FOR IMAGE SENSOR DEVICE
    51.
    发明申请
    ISOLATION STRUCTURE FOR IMAGE SENSOR DEVICE 审中-公开
    图像传感器设备的隔离结构

    公开(公告)号：US20080303932A1

    公开(公告)日：2008-12-11

    申请号：US12120019

    申请日：2008-05-13

    申请人： Wen-De Wang ,  Jen-Cheng Liu ,  Dun-Nian Yaung ,  Chun-Chieh Chuang ,  Jyh-Ming Hung

    发明人： Wen-De Wang ,  Jen-Cheng Liu ,  Dun-Nian Yaung ,  Chun-Chieh Chuang ,  Jyh-Ming Hung

    IPC分类号： H04N5/335

    CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L27/1463

    摘要： Provided is an image sensor device including a substrate with a pixel region and a peripheral region. A first isolation structure is formed on the substrate in the pixel region. The first isolation structure includes a trench having a first depth. A second isolation structure is formed on the substrate in the peripheral region. The second isolation structure includes a trench having a second depth. The first depth is greater than the second depth.

    摘要翻译： 提供了一种包括具有像素区域和周边区域的基板的图像传感器装置。 在像素区域中的衬底上形成第一隔离结构。 第一隔离结构包括具有第一深度的沟槽。 在周边区域的基板上形成第二隔离结构。 第二隔离结构包括具有第二深度的沟槽。 第一个深度大于第二个深度。

    CMOS image sensor
    55.
    发明申请
    CMOS image sensor 有权
    CMOS图像传感器

    公开(公告)号：US20060054939A1

    公开(公告)日：2006-03-16

    申请号：US10980959

    申请日：2004-11-04

    申请人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Dun-Nian Yaung ,  Wen-De Wang ,  Ho-Ching Chien ,  Shou-Gwo Wuu

    发明人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Dun-Nian Yaung ,  Wen-De Wang ,  Ho-Ching Chien ,  Shou-Gwo Wuu

    IPC分类号： H01L27/148

    CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636

    摘要： A complementary metal oxide semiconductor field effect transistor (CMOS-FET) image sensor. An active photosensing pixel is formed on a substrate. At least one side of the pixel has a width equal to or less than approximately 3 μm. At least one dielectric layer is disposed on the substrate covering the pixel. A color filter is disposed on the least one dielectric layer. A microlens array is disposed on the color filter of the pixel, and the sum of the thickness of all dielectric layers and the color filter divided by the pixel width is equal to or less than approximately 1.87.

    摘要翻译： 互补金属氧化物半导体场效应晶体管（CMOS-FET）图像传感器。 在基板上形成有源感光像素。 像素的至少一侧具有等于或小于约3μm的宽度。 在覆盖像素的基板上设置至少一个电介质层。 滤色器设置在至少一个电介质层上。 微透镜阵列设置在像素的滤色器上，所有电介质层和滤色器的厚度之和除以像素宽度等于或小于约1.87。

    Light shield for CMOS imager
    56.
    发明授权
    Light shield for CMOS imager 有权
    CMOS成像器的屏蔽

    公开(公告)号：US07935994B2

    公开(公告)日：2011-05-03

    申请号：US11066432

    申请日：2005-02-24

    申请人： Wen-De Wang ,  Dun-Nian Yaung ,  Shou-Gwo Wuu ,  Chung-Yi Yu

    发明人： Wen-De Wang ,  Dun-Nian Yaung ,  Shou-Gwo Wuu ,  Chung-Yi Yu

    IPC分类号： H01L31/062

    CPC分类号： H01L27/14654 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： System and method for providing a light shield for a CMOS imager is provided. The light shield comprises a structure formed above a point between a photo-sensitive element and adjacent circuitry. The structure is formed of a light-blocking material, such as a metal, metal alloy, metal compound, or the like, formed in dielectric layers over the photo-sensitive elements.

    摘要翻译： 提供了一种用于为CMOS成像器提供遮光罩的系统和方法。 光屏蔽包括形成在感光元件和相邻电路之间的点之上的结构。 该结构由光敏元件上的电介质层中形成的诸如金属，金属合金，金属化合物等的遮光材料形成。

    Light shield for CMOS imager
    59.
    发明授权
    Light shield for CMOS imager 有权
    CMOS成像器的屏蔽

    公开(公告)号：US08383440B2

    公开(公告)日：2013-02-26

    申请号：US13081120

    申请日：2011-04-06

    申请人： Wen-De Wang ,  Dun-Nian Yaung ,  Shou-Gwo Wuu ,  Chung-Yi Yu

    发明人： Wen-De Wang ,  Dun-Nian Yaung ,  Shou-Gwo Wuu ,  Chung-Yi Yu

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L27/14654 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： System and method for providing a light shield for a CMOS imager is provided. The light shield comprises a structure formed above a point between a photo-sensitive element and adjacent circuitry. The structure is formed of a light-blocking material, such as a metal, metal alloy, metal compound, or the like, formed in dielectric layers over the photo-sensitive elements.

    摘要翻译： 提供了一种用于为CMOS成像器提供遮光罩的系统和方法。 光屏蔽包括形成在感光元件和相邻电路之间的点之上的结构。 该结构由光敏元件上的电介质层中形成的诸如金属，金属合金，金属化合物等的遮光材料形成。

    CMOS image sensor
    60.
    发明授权
    CMOS image sensor 有权
    CMOS图像传感器

    公开(公告)号：US07253458B2

    公开(公告)日：2007-08-07

    申请号：US10980959

    申请日：2004-11-04

    申请人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Dun-Nian Yaung ,  Wen-De Wang ,  Ho-Ching Chien ,  Shou-Gwo Wuu

    发明人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Dun-Nian Yaung ,  Wen-De Wang ,  Ho-Ching Chien ,  Shou-Gwo Wuu

    IPC分类号： H01L27/148

    CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636

    摘要： A complementary metal oxide semiconductor field effect transistor (CMOS-FET) image sensor. An active photosensing pixel is formed on a substrate. At least one side of the pixel has a width equal to or less than approximately 3 μm. At least one dielectric layer is disposed on the substrate covering the pixel. A color filter is disposed on the least one dielectric layer. A microlens array is disposed on the color filter of the pixel, and the sum of the thickness of all dielectric layers and the color filter divided by the pixel width is equal to or less than approximately 1.87.

    摘要翻译： 互补金属氧化物半导体场效应晶体管（CMOS-FET）图像传感器。 在基板上形成有源感光像素。 像素的至少一侧具有等于或小于约3μm的宽度。 在覆盖像素的基板上设置至少一个电介质层。 滤色器设置在至少一个电介质层上。 微透镜阵列设置在像素的滤色器上，所有电介质层和滤色器的厚度之和除以像素宽度等于或小于约1.87。