公开(公告)号：US06596580B2

公开(公告)日：2003-07-22

申请号：US09982574

申请日：2001-10-18

申请人： Jingyu Lian ,  Greg Costrini ,  Laertis Economikos ,  Michael Wise

发明人： Jingyu Lian ,  Greg Costrini ,  Laertis Economikos ,  Michael Wise

IPC分类号： H01L218242

CPC分类号： H01L28/75 ,  H01L21/28568 ,  H01L27/10855

摘要： The exposure of the interface between the bottom electrode and barrier layer to a high temperature oxygen ambience is avoided by recessed Pt-in-situ deposited with a barrier layer.

摘要翻译： 将底层电极和阻挡层之间的界面暴露于高温氧气环境下，通过原位沉积有阻挡层的Pt进行避免。

公开(公告)号：US06432725B1

公开(公告)日：2002-08-13

申请号：US09966496

申请日：2001-09-28

申请人： Jingyu Lian ,  Kwong Hon Wong ,  Katherine Saenger ,  Chenting Lin

发明人： Jingyu Lian ,  Kwong Hon Wong ,  Katherine Saenger ,  Chenting Lin

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L28/56 ,  C23C16/409 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31691

摘要： A method for forming a crystalline dielectric layer deposits an amorphous metallic oxide dielectric layer on a surface. The amorphous metallic oxide dielectric layer is treated with a plasma at a temperature of less than or equal to 400 degrees Celsius to form a crystalline layer.

摘要翻译： 用于形成结晶介电层的方法在表面上沉积无定形金属氧化物介电层。 在小于或等于400摄氏度的温度下用等离子体处理无定形金属氧化物介电层以形成结晶层。