公开(公告)号：US20090079022A1

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：US11859570

申请日：2007-09-21

申请人： Thomas Keena ,  Ki Chang ,  Francine Y. Robb ,  Mingjiao Liu ,  Ali Salih ,  John Michael Parsey, JR. ,  George Chang

发明人： Thomas Keena ,  Ki Chang ,  Francine Y. Robb ,  Mingjiao Liu ,  Ali Salih ,  John Michael Parsey, JR. ,  George Chang

IPC分类号： H01L29/866 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L29/8613 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/8618 ,  Y10S257/929 ,  Y10S438/966 ,  Y10S438/983

摘要： In one embodiment, the ESD device uses highly doped P and N regions deep within the ESD device to form a zener diode that has a controlled breakdown voltage.

摘要翻译： 在一个实施例中，ESD器件使用ESD器件内深度的高掺杂P和N区域形成具有受控击穿电压的齐纳二极管。

公开(公告)号：US07049677B2

公开(公告)日：2006-05-23

申请号：US10767384

申请日：2004-01-28

申请人： Badredin Fatemizadeh ,  Ali Salih

发明人： Badredin Fatemizadeh ,  Ali Salih

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

摘要： A semiconductor device has a driver device (10) in proximity to a power device (12). In making the semiconductor device, an N+ layer (24) is formed on a substrate (22). A portion of the N+ layer is removed, substantially down to the substrate, to provide a layer offset (28) between the driver device area and power device area. An epi region of uniform thickness is formed over the driver device and power device areas. A portion of the epi layer is removed to provide another layer offset (70). An oxide layer (68) of uniform thickness is formed over the epi region. The oxide layer is planarized to remove oxide layer over the N+ layer. An oxide-filled trench (80) is formed between the driver device and the power device. The oxide-filled trench extends down to the oxide layer to isolate the driver device from the power device.

摘要翻译： 半导体器件具有靠近功率器件（12）的驱动器器件（10）。 在制造半导体器件时，在衬底（22）上形成N +层（24）。 N +层的一部分基本上被去除到衬底，以在驱动器器件区域和功率器件区域之间提供层偏移（28）。 在驱动器设备和功率器件区域上形成均匀厚度的外延区域。 去除外延层的一部分以提供另一层偏移（70）。 在epi区域上形成均匀厚度的氧化物层（68）。 将氧化物层平坦化以除去N +层上的氧化物层。 在驱动器装置和功率装置之间形成氧化物填充的沟槽（80）。 氧化物填充的沟槽向下延伸到氧化物层以将驱动器器件与功率器件隔离。

公开(公告)号：US20050040459A1

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：US10647029

申请日：2003-08-22

申请人： John Amato ,  Badredin Fatemizadeh ,  Ali Salih ,  Shamsul Khan

发明人： John Amato ,  Badredin Fatemizadeh ,  Ali Salih ,  Shamsul Khan

IPC分类号： H01L20060101 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/76 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238

摘要： A closed cell trench power MOSFET has a trench (54) running in first and second perpendicular directions through a body region (48) and extending into an epitaxial region (46). The trenches meet to form intersections (16). A polysilicon layer (58) is deposited in the trench. A photoresist pattern (60) is formed over the intersections to inhibit removal of the conductive material from the trench in and around the intersection areas. The process of inhibiting removal of the conductive material over the intersection areas of the trench prevents formation of a depression in the polysilicon in and around the intersection which would increase resistivity in the gate region. The goal of preventing formation of depressions in the polysilicon can also be achieved by making the polysilicon thicker on the intersections prior to the etching process and by making the trenches narrower in and around the intersections.

摘要翻译： 闭孔沟槽功率MOSFET具有穿过体区（48）的第一和第二垂直方向上延伸并延伸到外延区域（46）中的沟槽（54）。 壕沟相交，形成十字路口（16）。 多晶硅层（58）沉积在沟槽中。 在交叉点之上形成光致抗蚀剂图案（60），以阻止导电材料从交叉区域内和周围的沟槽移除。 阻止在沟槽的交叉区域上去除导电材料的过程防止在交叉点中和周围的多晶硅中形成凹陷，这将增加栅极区域中的电阻率。 防止在多晶硅中形成凹陷的目的还可以通过在蚀刻工艺之前使交叉点上的多晶硅变厚，并且通过在交叉点内和周围使沟槽变窄来实现。