公开(公告)号：US5616886A

公开(公告)日：1997-04-01

申请号：US464112

申请日：1995-06-05

申请人： Guillermo L. Romero ,  Samuel J. Anderson

发明人： Guillermo L. Romero ,  Samuel J. Anderson

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/057 ,  H01L23/498 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H01L23/02

CPC分类号： H01L24/82 ,  H01L23/057 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/24 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/30107

摘要： A wirebondless module package and method of fabrication including a molded preform of porous SiC with a cavity having therein an AlN substrate defining a plurality of pockets. The preform being infiltrated with Al and the Al being deposited in each of the pockets. A semiconductor die mounted on the Al in one of the pockets. A dielectric layer covering the Al and defining openings therethrough positioned to expose the aluminum and a connection to the die. A conductive material positioned on the dielectric layer in contact with the die and the Al so as to define terminals and interconnections between the die and the terminals.

摘要翻译： 一种无引线模块封装和制造方法，包括多孔SiC的模制预制件，其中具有限定多个凹穴的AlN衬底的空腔。 预制件被Al渗透，并且Al沉积在每个口袋中。 安装在其中一个凹穴中的Al上的半导体管芯。 覆盖Al并且限定穿过其中的开口的介电层，以暴露铝和与管芯的连接。 位于电介质层上的与导体和Al接触的导电材料，以便限定晶片和端子之间的端子和互连。

公开(公告)号：US5523629A

公开(公告)日：1996-06-04

申请号：US278205

申请日：1994-07-21

申请人： Samuel J. Anderson ,  John Baird ,  Martin A. Kalfus

发明人： Samuel J. Anderson ,  John Baird ,  Martin A. Kalfus

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/28 ,  H01L23/10 ,  H01L23/34

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49146

摘要： An encapsulated microelectronic device (100 ) including a base (101) and a semiconductor device (305) having a top and a bottom. The bottom is attached to the base (101). The semiconductor device (105) has a thickness in the range from one-fourth to three-fourths of a millimeter and has a bottom metallization consisting of aluminum (407)/chromium (405)/nickel (403)/gold (401). The semiconductor device (305) has a contact (115) attached to the top. The encapsulated microelectronic device (100) has a molded top (120) surrounding the semiconductor device (305 ). The molded top (120) is made from low stress molding material.

摘要翻译： 一种封装的微电子器件（100），包括具有顶部和底部的基底（101）和半导体器件（305）。 底部附接到基座（101）。 半导体器件（105）的厚度在一毫米的四分之一至四分之四的范围内，并且具有由铝（407）/铬（405）/镍（403）/金（401）组成的底部金属化。 半导体器件（305）具有附接到顶部的触点（115）。 封装的微电子器件（100）具有围绕半导体器件（305）的模制顶部（120）。 模制顶部（120）由低应力模制材料制成。