公开(公告)号：US06454819B1

公开(公告)日：2002-09-24

申请号：US09484064

申请日：2000-01-18

申请人： Hiroyuki Yano ,  Gaku Minamihaba ,  Yukiteru Matsui ,  Katsuya Okumura ,  Masayuki Motonari ,  Masayuki Hattori ,  Akira Iio

发明人： Hiroyuki Yano ,  Gaku Minamihaba ,  Yukiteru Matsui ,  Katsuya Okumura ,  Masayuki Motonari ,  Masayuki Hattori ,  Akira Iio

IPC分类号： C09K314

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C08G83/001 ,  C08J3/128 ,  C08K3/36 ,  C08K5/057 ,  C08K2201/013 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： A process for chemical mechanical polishing of a working film on a wafer, which entails conducting the chemical mechanical polishing with an aqueous dispersion containing water and composite particles, the composite particles containing polymer particles having at least one of a silicon compound portion or section and a metal compound portion or section formed directly or indirectly on the polymer particles.

摘要翻译： 一种用于化学机械抛光晶片上的工作薄膜的方法，该方法需要用含水和复合颗粒的水性分散体进行化学机械抛光，所述复合颗粒含有具有硅化合物部分或部分和 在聚合物颗粒上直接或间接形成的金属化合物部分或部分。

公开(公告)号：US06375545B1

公开(公告)日：2002-04-23

申请号：US09484252

申请日：2000-01-18

申请人： Hiroyuki Yano ,  Gaku Minamihaba ,  Yukiteru Matsui ,  Nobuo Hayasaka ,  Katsuya Okumura ,  Akira Iio ,  Masayuki Hattori ,  Masayuki Motonari

发明人： Hiroyuki Yano ,  Gaku Minamihaba ,  Yukiteru Matsui ,  Nobuo Hayasaka ,  Katsuya Okumura ,  Akira Iio ,  Masayuki Hattori ,  Masayuki Motonari

IPC分类号： B24B100

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  Y10S977/775 ,  Y10S977/888

摘要： It is an object of the present invention to provide an aqueous dispersion and CMP slurry that can achieve polishing at an adequate rate without producing scratches in the polishing surfaces of wafer working films, and a polishing process for wafer surfaces and a process for manufacture of a semiconductor device using them. A CMP slurry and the like of the present invention contains polymer particles with a crosslinked structure and a mean particle size of 0.13-0.8 &mgr;m. The CMP slurry may contain no surfactant, and may contain the surfactant of not greater than 0.15 wt %. A CMP slurry and the like of another present invention contains polymer particles and inorganic particles of silica, aluminum and the like. A mean particle size of the polymer particles may be not greater than a mean particle size of the inorganic particles. And the mean particle size of the inorganic coagulated particles may be 0.1-1.0 &mgr;m, and may be smaller than the mean particle size of the polymer particles. The CMP slurry is used as a polishing agent and a working film of a silicon oxide film, an aluminum film, a tungsten film or a copper film formed on a wafer is polished. And a semiconductor device is manufactured by using the CMP slurry.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种水分散体和CMP浆料，其可以以足够的速率实现抛光，而不会在晶片工作薄膜的抛光表面中产生划痕，以及用于晶片表面的抛光工艺和制造 半导体器件使用它们。 本发明的CMP浆料等含有交联结构，平均粒径为0.13〜0.8μm的聚合物粒子。 CMP浆料可以不含表面活性剂，并且可以含有不大于0.15重量％的表面活性剂。 另一个本发明的CMP浆料等含有聚合物颗粒和二氧化硅，铝等的无机颗粒。 聚合物颗粒的平均粒径可以不大于无机颗粒的平均粒度。 无机凝结粒子的平均粒径可以为0.1〜1.0μm，并且可以小于聚合物粒子的平均粒径。 将CMP浆料用作抛光剂，并且研磨在晶片上形成的氧化硅膜，铝膜，钨膜或铜膜的工作膜。 并且通过使用CMP浆料制造半导体器件。