公开(公告)号：US20150072272A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：US14023476

申请日：2013-09-11

Applicant: UNITED MICROELECTRONICS CORP.

Inventor： Chun-Hsien Huang ,  Ming-Jui Chen ,  Chia-Wei Huang ,  Hsin-Yu Chen ,  Kai-Lin Chuang

IPC: G03F1/72 ,  G03F1/00

CPC classification number: G03F1/72 ,  G03F1/144 ,  G03F1/36

Abstract: A method for forming a photo-mask is provided. A first photo-mask pattern relating to a first line, an original second photo-mask pattern relating to a first via plug, and a third photo-mask pattern relating to a second line are provided. A first optical proximity correction (OPC) process is performed. A second OPC process is performed, comprising enlarging a width of the second photo-mask pattern along the first direction to form a revised second photo-resist pattern. A contour simulation process is performed to make sure the revised second photo-mask pattern is larger or equal to the original second-mask pattern. The first photo-mask pattern, the revised second photo-mask pattern, and the third photo-mask pattern are output. The present invention further provides an OPC method.

Abstract translation: 提供一种形成光掩模的方法。 提供与第一行相关的第一照片掩模图案，与第一通孔插头相关的原始第二照片掩模图案和与第二行相关的第三照片掩模图案。 执行第一光学邻近校正（OPC）处理。 执行第二OPC处理，包括沿着第一方向放大第二光掩模图案的宽度以形成修改的第二光刻胶图案。 执行轮廓模拟处理以确保修改的第二光掩模图案大于或等于原始第二掩模图案。 输出第一光掩模图案，修改的第二光掩模图案和第三光掩模图案。 本发明还提供一种OPC方法。

公开(公告)号：US20140220482A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：US14259173

申请日：2014-04-23

Applicant: UNITED MICROELECTRONICS CORP.

Inventor： Hsin-Yu Chen ,  Chia-Wei Huang ,  Chun-Hsien Huang ,  Shih-Chun Tsai ,  Kai-Lin Chuang

IPC: G03F1/36

CPC classification number: G03F1/36 ,  G03F1/00 ,  G03F1/68 ,  G03F1/70

Abstract: A method for forming patterns includes the following steps. A first layout including a first target pattern and a first unprintable dummy pattern is provided. A second layout including a second target pattern and a second printable dummy pattern are provided, wherein at least part of the second printable dummy pattern overlaps the first unprintable dummy pattern exposure limit, such that the second printable dummy pattern cannot be formed in a wafer.

Abstract translation: 形成图案的方法包括以下步骤。 提供了包括第一目标图案和第一不可打印虚设图案的第一布局。 提供包括第二目标图案和第二可打印虚拟图案的第二布局，其中第二可打印虚拟图案的至少一部分与第一不可打印虚设图案曝光极限重叠，使得第二可打印虚设图案不能形成在晶片中。

公开(公告)号：US08748066B2

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：US13633876

申请日：2012-10-03

Applicant: United Microelectronics Corp.

Inventor： Hsin-Yu Chen ,  Chia-Wei Huang ,  Chun-Hsien Huang ,  Shih-Chun Tsai ,  Kai-Lin Chuang

IPC: G03F9/00

CPC classification number: G03F1/36 ,  G03F1/00 ,  G03F1/68 ,  G03F1/70

Abstract: A method for forming photomasks includes the following steps. A first photomask including a first target pattern and a first unprintable dummy pattern is provided. A second photomask including a second target pattern and a second printable dummy pattern are provided, wherein at least part of the second printable dummy pattern overlapping the first unprintable dummy pattern exposure limit, such that the second printable dummy pattern can not be printed in a wafer.

Abstract translation: 一种形成光掩模的方法包括以下步骤。 提供了包括第一目标图案和第一不可打印虚设图案的第一光掩模。 提供了包括第二目标图案和第二可打印虚设图案的第二光掩模，其中第二可打印虚拟图案的至少一部分与第一不可打印虚设图案曝光极限重叠，使得第二可打印虚拟图案不能被印刷在晶片 。

公开(公告)号：US20140093814A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：US13633876

申请日：2012-10-03

Applicant: UNITED MICROELECTRONICS CORP.

Inventor： Hsin-Yu Chen ,  Chia-Wei Huang ,  Chun-Hsien Huang ,  Shih-Chun Tsai ,  Kai-Lin Chuang

IPC: G03F1/68

CPC classification number: G03F1/36 ,  G03F1/00 ,  G03F1/68 ,  G03F1/70

Abstract: A method for forming photomasks includes the following steps. A first photomask including a first target pattern and a first unprintable dummy pattern is provided. A second photomask including a second target pattern and a second printable dummy pattern are provided, wherein at least part of the second printable dummy pattern overlapping the first unprintable dummy pattern exposure limit, such that the second printable dummy pattern can not be printed in a wafer.

Abstract translation: 一种形成光掩模的方法包括以下步骤。 提供了包括第一目标图案和第一不可打印虚设图案的第一光掩模。 提供了包括第二目标图案和第二可打印虚设图案的第二光掩模，其中第二可打印虚拟图案的至少一部分与第一不可打印虚设图案曝光极限重叠，使得第二可打印虚拟图案不能被印刷在晶片 。

公开(公告)号：US20130299949A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：US13947125

申请日：2013-07-22

Applicant: UNITED MICROELECTRONICS CORP.

Inventor： Kuo-Hsiung Huang ,  Chun-Mao Chiou ,  Hsin-Yu Chen ,  Yu-Han Tsai ,  Ching-Li Yang ,  Home-Been Cheng

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

Abstract: The present invention relates to a through silicon via (TSV). The TSV is disposed in a substrate including a via opening penetrating through a first surface and a second surface of the substrate. The TSV includes an insulation layer, a barrier layer, a buffer layer and a conductive electrode. The insulation layer is disposed on a surface of the via opening. The barrier layer is disposed on a surface of the insulation layer. The buffer layer is disposed on a surface of the barrier layer. The conductive electrode is disposed on a surface of the buffer layer and a remainder of the via opening is completely filled with the conductive electrode. A portion of the buffer layer further covers a surface of the conductive electrode at a side of the second surface and said portion is level with the second surface.

Abstract translation: 本发明涉及一种硅通孔（TSV）。 TSV设置在包括穿过基板的第一表面和第二表面的通孔的基板中。 TSV包括绝缘层，阻挡层，缓冲层和导电电极。 绝缘层设置在通孔开口的表面上。 阻挡层设置在绝缘层的表面上。 缓冲层设置在阻挡层的表面上。 导电电极设置在缓冲层的表面上，通孔开口的其余部分被导电电极完全填充。 缓冲层的一部分还在第二表面的一侧覆盖导电电极的表面，并且所述部分与第二表面平齐。