公开(公告)号：US20060115933A1

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：US11227974

申请日：2005-09-14

申请人： Zhiyuan Ye ,  Yihwan Kim ,  Xiaowei Li ,  Ali Zojaji ,  Nicholas Dalida ,  Jinsong Tang ,  Xiao Chen ,  Arkadii Samoilov

发明人： Zhiyuan Ye ,  Yihwan Kim ,  Xiaowei Li ,  Ali Zojaji ,  Nicholas Dalida ,  Jinsong Tang ,  Xiao Chen ,  Arkadii Samoilov

IPC分类号： H01L21/332 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/02639 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

摘要： In a first aspect, a first method of forming an epitaxial film on a substrate is provided. The first method includes (a) providing a substrate; (b) exposing the substrate to at least a silicon source so as to form an epitaxial film on at least a portion of the substrate; and (c) exposing the substrate to HCl and Cl2 so as to etch the epitaxial film and any other films formed during step (b). Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在第一方面，提供了在基板上形成外延膜的第一种方法。 第一种方法包括（a）提供基底; （b）将所述衬底暴露于至少硅源，以在所述衬底的至少一部分上形成外延膜; 和（c）将衬底暴露于HCl和Cl2，以蚀刻外延膜和在步骤（b）中形成的任何其它膜。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US20050079692A1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：US10845984

申请日：2004-05-14

申请人： Arkadii Samoilov ,  Yihwan Kim ,  Errol Sanchez ,  Nicholas Dalida

发明人： Arkadii Samoilov ,  Yihwan Kim ,  Errol Sanchez ,  Nicholas Dalida

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： In one embodiment, a method for fabricating a silicon-based device on a substrate surface is provided which includes depositing a first silicon-containing layer by exposing the substrate surface to a first process gas comprising Cl2SiH2, a germanium source, a first etchant and a carrier gas and depositing a second silicon-containing layer by exposing the first silicon-containing layer to a second process gas comprising SiH4 and a second etchant. In another embodiment, a method for depositing a silicon-containing material on a substrate surface is provided which includes depositing a first silicon-containing layer on the substrate surface with a first germanium concentration of about 15 at % or more. The method further provides depositing on the first silicon-containing layer a second silicon-containing layer wherein a second germanium concentration of about 15 at % or less, exposing the substrate surface to air to form a native oxide layer, removing the native oxide layer to expose the second silicon-containing layer, and depositing a third silicon-containing layer on the second silicon-containing layer. In another embodiment, a method for depositing a silicon-containing material on a substrate surface is provided which includes depositing epitaxially a first silicon-containing layer on the substrate surface with a first lattice strain, and depositing epitaxially on the first silicon-containing layer a second silicon-containing layer with a second lattice strain greater than the first lattice strain.

摘要翻译： 在一个实施例中，提供了一种在衬底表面上制造硅基器件的方法，其包括通过将衬底表面暴露于包括Cl 2 SiH 2，锗源，第一蚀刻剂和第二蚀刻剂的第一工艺气体来沉积第一含硅层 载气并通过将第一含硅层暴露于包含SiH 4和第二蚀刻剂的第二工艺气体而沉积第二含硅层。 在另一个实施例中，提供了一种用于在衬底表面上沉积含硅材料的方法，其包括以约15at％或更多的第一锗浓度在衬底表面上沉积第一含硅层。 该方法进一步提供了在第一含硅层上沉积第二含硅层，其中第二锗浓度为约15原子％或更低，将基底表面暴露于空气中以形成天然氧化物层，将天然氧化物层去除 暴露第二含硅层，并在第二含硅层上沉积第三含硅层。 在另一个实施例中，提供了一种用于在衬底表面上沉积含硅材料的方法，其包括以第一晶格应变在衬底表面上外延沉积第一含硅层，并且在第一含硅层上外延沉积 第二含硅层具有大于第一晶格应变的第二晶格应变。