公开(公告)号：US08501594B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US12815503

申请日：2010-06-15

申请人： Yi-Chiau Huang ,  Masato Ishii ,  Errol Sanchez

发明人： Yi-Chiau Huang ,  Masato Ishii ,  Errol Sanchez

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0262 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

摘要： Embodiments of methods for depositing silicon germanium (SiGe) layers on a substrate are disclosed herein. In some embodiments, the method may include depositing a first layer comprising silicon and germanium (e.g., a seed layer) atop the substrate using a first precursor comprising silicon and chlorine; and depositing a second layer comprising silicon and germanium (e.g., a bulk layer) atop the silicon germanium seed layer using a second precursor comprising silicon and hydrogen. In some embodiments, the first silicon precursor gas may comprise at least one of dichlorosilane (H2SiCl2), trichlorosilane (HSiCl3), or silicon tetrachloride (SiCl4). In some embodiments, the second silicon precursor gas may comprise at least one of silane (SiH4), or disilane (Si2H6).

摘要翻译： 本文公开了在衬底上沉积硅锗（SiGe）层的方法的实施例。 在一些实施例中，该方法可以包括使用包含硅和氯的第一前体沉积包含硅和锗的第一层（例如种子层）; 以及使用包含硅和氢的第二前体在硅锗种子层顶上沉积包含硅和锗（例如，体层）的第二层。 在一些实施方案中，第一硅前体气体可以包含二氯硅烷（H 2 SiCl 2），三氯硅烷（HSiCl 3）或四氯化硅（SiCl 4）中的至少一种。 在一些实施例中，第二硅前体气体可以包括硅烷（SiH 4）或乙硅烷（Si 2 H 6）中的至少一种。

公开(公告)号：US20120003599A1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：US13155943

申请日：2011-06-08

申请人： KAILASH PATALAY ,  ERROL SANCHEZ

发明人： KAILASH PATALAY ,  ERROL SANCHEZ

IPC分类号： F24J3/00 ,  B25B11/00

CPC分类号： H01L21/67115 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

摘要： Apparatus for use with multi-zonal heating sources are provided. In some embodiments, a substrate support may have a pocket disposed in a surface of the substrate support and a lip disposed about the pocket to receive an edge of a substrate and to support the substrate over the pocket such that a gap is defined between a pocket surface and a backside surface of the substrate when the substrate is disposed on the lip; a plurality of features to operate in combination with a plurality of heating zones provided by a multi-zonal heating source to provide a desired temperature profile on a frontside surface of a substrate when the substrate is disposed on the lip, and wherein the plurality of features are alternatingly disposed above and below a baseline surface profile of the pocket surface in a radial direction from a central axis of the substrate support.

摘要翻译： 提供了用于多区域加热源的设备。 在一些实施例中，衬底支撑件可以具有设置在衬底支撑件的表面中的口袋和设置在口袋周围的唇缘，以容纳衬底的边缘并且将衬底支撑在口袋上，使得在口袋 当衬底设置在唇缘上时，衬底的表面和背面; 多个特征，其与由多区域加热源提供的多个加热区组合操作，以在基板设置在唇缘上时在基板的前侧表面上提供期望的温度分布，并且其中多个特征 交替地设置在从衬底支撑件的中心轴线的径向方向上的袋表面的基线表面轮廓之上和之下。

公开(公告)号：US07718225B2

公开(公告)日：2010-05-18

申请号：US11205647

申请日：2005-08-17

申请人： Satheesh Kuppurao ,  David K. Carlson ,  Manish Hemkar ,  Andrew Lam ,  Errol Sanchez ,  Howard Beckford

发明人： Satheesh Kuppurao ,  David K. Carlson ,  Manish Hemkar ,  Andrew Lam ,  Errol Sanchez ,  Howard Beckford

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/46 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248

摘要： Methods are disclosed for adjusting the temperature of at least a portion of the surface of a reaction chamber during a film formation process to control film properties. More than one portion of the chamber surface may be temperature-modulated, and may be accomplished by actively keeping the temperature of a first wall of the reaction chamber above the temperature of a second wall during the film formation process.

摘要翻译： 公开了用于在成膜过程中调节反应室表面的至少一部分的温度以控制膜性质的方法。 腔表面的多于一部分可以被温度调节，并且可以通过在成膜过程中将反应室的第一壁的温度高于第二壁的温度来实现。

公开(公告)号：US07709391B2

公开(公告)日：2010-05-04

申请号：US11336178

申请日：2006-01-20

申请人： Satheesh Kuppurao ,  David K. Carlson ,  Howard Beckford ,  Errol Sanchez

发明人： Satheesh Kuppurao ,  David K. Carlson ,  Howard Beckford ,  Errol Sanchez

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02532 ,  C23C16/452 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636

摘要： Methods and apparatus are disclosed for the formation and utilization of metastable specie in a reaction chamber for processing substrates. The metastable specie may be used for etching the surface of substrates in situ, deposition processes during processing of the substrate.

摘要翻译： 公开了用于在处理衬底的反应室中形成和利用亚稳态物质的方法和装置。 亚稳态物质可用于原位蚀刻衬底表面，在衬底加工过程中沉积过程。

公开(公告)号：US20090311850A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12143606

申请日：2008-06-20

申请人： Errol Sanchez

发明人： Errol Sanchez

IPC分类号： H01L21/263 ,  B05C11/00

CPC分类号： H01L21/268 ,  B23K26/1224 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/67115

摘要： Methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. In some embodiments, a method of processing a substrate may include providing a substrate having at least one of a defect or a contaminant disposed on or near a surface of the substrate; and selectively annealing a portion of the substrate with a laser beam in the presence of a process gas comprising hydrogen. The laser beam may be moved over the substrate or continuously, or in a stepwise fashion. The laser beam may be applied in a continuous wave or pulsed mode. The process gas may further comprise an inert gas, such as, at least one of helium, argon, or nitrogen. A layer of material may be subsequently deposited atop the annealed substrate.

摘要翻译： 本文提供了用于处理衬底的方法和设备。 在一些实施例中，处理衬底的方法可以包括提供具有设置在衬底的表面上或附近的缺陷或污染物中的至少一种的衬底; 以及在包含氢气的工艺气体存在下用激光束选择性地退火所述衬底的一部分。 激光束可以在衬底上或连续地或以逐步的方式移动。 可以以连续波或脉冲模式施加激光束。 工艺气体还可包括惰性气体，例如氦气，氩气或氮气中的至少一种气体。 随后可以将一层材料沉积在退火的衬底上。

公开(公告)号：US06991999B2

公开(公告)日：2006-01-31

申请号：US09948461

申请日：2001-09-07

申请人： Li Fu ,  Shulin Wang ,  Luo Lee ,  Steven A. Chen ,  Errol Sanchez

发明人： Li Fu ,  Shulin Wang ,  Luo Lee ,  Steven A. Chen ,  Errol Sanchez

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L21/28035 ,  H01L29/4925 ,  Y10S438/969

摘要： A bi-layer silicon electrode and its method of fabrication is described. The electrode of the present invention comprises a lower polysilicon film having a random grain microstructure, and an upper polysilicon film having a columnar grain microstructure.

公开(公告)号：US20050255714A1

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：US11152501

申请日：2005-06-14

申请人： R. Iyer ,  Sean Seutter ,  Sanjeev Tandon ,  Errol Sanchez ,  Shulin Wang

发明人： R. Iyer ,  Sean Seutter ,  Sanjeev Tandon ,  Errol Sanchez ,  Shulin Wang

IPC分类号： C23C16/34 ,  H01L21/31 ,  H01L21/318

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3185

摘要： Embodiments of the invention generally provide a method for depositing a film containing silicon (Si) and nitrogen (N). In one embodiment, the method includes heating a substrate disposed in a processing chamber to a temperature less than about 650 degrees Celsius, flowing a nitrogen-containing gas into the processing chamber, flowing a silicon-containing gas into the processing chamber, and depositing a SiN-containing layer on a substrate. The silicon-containing gas is at least one of a gas identified as NR2—Si(R′2)—Si(R′2)—NR2 (amino(di)silanes), R3—Si—N═N═N (silyl azides), R′3—Si—NR—NR2 (silyl hydrazines) or 1,3,4,5,7,8-hexamethytetrasiliazane, wherein R and R′ comprise at least one functional group selected from the group of a halogen, an organic group having one or more double bonds, an organic group having one or more triple bonds, an aliphatic alkyl group, a cyclical alkyl group, an aromatic group, an organosilicon group, an alkyamino group, or a cyclic group containing N or Si.

摘要翻译： 本发明的实施方案通常提供一种沉积含有硅（Si）和氮（N）的膜的方法。 在一个实施例中，该方法包括将设置在处理室中的基板加热至低于约650摄氏度的温度，使含氮气体流入处理室，使含硅气体流入处理室，并将 衬底上的含SiN层。 含硅气体是被鉴定为NR 2 -Si（R'2）-Si（R'2）-Si（R'2）-Si ）-NR 2（氨基（二）硅烷），R 3 -Si-NNN（甲硅烷基叠氮化物），R'3 -Si- NR-NR 2（甲硅烷基肼）或1,3,4,5,7,8-六甲基四硅氮烷，其中R和R'包含至少一个选自以下的官能团：卤素， 具有一个或多个双键的有机基团，具有一个或多个三键的有机基团，脂肪族烷基，环状烷基，芳族基团，有机硅基团，烷基氨基或含有N或Si的环状基团。

公开(公告)号：US09058988B2

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：US12717266

申请日：2010-03-04

申请人： Jean R. Vatus ,  Jinsong Tang ,  Yihwan Kim ,  Satheesh Kuppurao ,  Errol Sanchez

发明人： Jean R. Vatus ,  Jinsong Tang ,  Yihwan Kim ,  Satheesh Kuppurao ,  Errol Sanchez

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24

CPC分类号： H01L21/02538 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02661

摘要： Methods of depositing layers having reduced interfacial contamination are disclosed herein. The inventive methods may advantageously reduce contamination at the interface between deposited layers, for example, between a deposited layer and an underlying substrate or film. In some embodiments, a method of depositing a layer may include annealing a silicon-containing layer having a first layer disposed thereon in a reducing atmosphere; removing the first layer using an etching process to expose the silicon-containing layer after annealing; and depositing a second layer on the exposed silicon-containing layer.

摘要翻译： 本文公开了沉积具有减小的界面污染的层的方法。 本发明的方法可以有利地减少沉积层之间的界面处的污染，例如沉积层和下面的基底或膜之间的污染。 在一些实施例中，沉积层的方法可以包括在还原气氛中退火其上设置有第一层的含硅层; 使用蚀刻工艺除去第一层，以在退火后露出含硅层; 以及在暴露的含硅层上沉积第二层。

公开(公告)号：US20120077335A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13189978

申请日：2011-07-25

申请人： ERROL SANCHEZ ,  YI-CHIAU HUANG ,  DAVID K. CARLSON

发明人： ERROL SANCHEZ ,  YI-CHIAU HUANG ,  DAVID K. CARLSON

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262

摘要： Methods for depositing germanium-containing layers on silicon-containing layers are provided herein. In some embodiments, a method may include depositing a first layer atop an upper surface of the silicon-containing layer, wherein the first layer comprises predominantly germanium (Ge) and further comprises a lattice adjustment element having a concentration selected to enhance electrical activity of dopant elements, wherein the dopant elements are disposed in at least one of the first layer or in an optional second layer deposited atop of the first layer, wherein the optional second layer, if present, comprises predominantly germanium (Ge). In some embodiments, the second layer is deposited atop the first layer. In some embodiments, the second layer comprises germanium (Ge) and dopant elements.

摘要翻译： 本文提供了在含硅层上沉积含锗层的方法。 在一些实施例中，一种方法可以包括沉积位于含硅层的上表面顶部的第一层，其中第一层主要包含锗（Ge），并且还包括具有选择以增强掺杂剂的电活性的浓度的晶格调节元件 元素，其中所述掺杂剂元素设置在所述第一层中的至少一个中或沉积在所述第一层顶部的任选的第二层中，其中所述任选的第二层（如果存在）主要包含锗（Ge）。 在一些实施例中，第二层沉积在第一层的顶部。 在一些实施例中，第二层包括锗（Ge）和掺杂元素。

公开(公告)号：US20100317177A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：US12815503

申请日：2010-06-15

申请人： YI-CHIAU HUANG ,  MASATO ISHII ,  ERROL SANCHEZ

发明人： YI-CHIAU HUANG ,  MASATO ISHII ,  ERROL SANCHEZ

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0262 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

摘要： Embodiments of methods for depositing silicon germanium (SiGe) layers on a substrate are disclosed herein. In some embodiments, the method may include depositing a first layer comprising silicon and germanium (e.g., a seed layer) atop the substrate using a first precursor comprising silicon and chlorine; and depositing a second layer comprising silicon and germanium (e.g., a bulk layer) atop the silicon germanium seed layer using a second precursor comprising silicon and hydrogen. In some embodiments, the first silicon precursor gas may comprise at least one of dichlorosilane (H2SiCl2), trichlorosilane (HSiCl3), or silicon tetrachloride (SiCl4). In some embodiments, the second silicon precursor gas may comprise at least one of silane (SiH4), or disilane (Si2H6).

摘要翻译： 本文公开了在衬底上沉积硅锗（SiGe）层的方法的实施例。 在一些实施例中，该方法可以包括使用包含硅和氯的第一前体沉积包含硅和锗的第一层（例如种子层）; 以及使用包含硅和氢的第二前体在硅锗种子层顶上沉积包含硅和锗（例如，体层）的第二层。 在一些实施方案中，第一硅前体气体可以包含二氯硅烷（H 2 SiCl 2），三氯硅烷（HSiCl 3）或四氯化硅（SiCl 4）中的至少一种。 在一些实施例中，第二硅前体气体可以包括硅烷（SiH 4）或乙硅烷（Si 2 H 6）中的至少一种。