公开(公告)号：US08159910B2

公开(公告)日：2012-04-17

申请号：US11781744

申请日：2007-07-23

申请人： Ki Yong Lee

发明人： Ki Yong Lee

IPC分类号： G11B15/52

CPC分类号： G11B7/0903 ,  G11B7/094 ,  G11B7/0945 ,  G11B7/126

摘要： A method of controlling a tracking error balance in an optical disc apparatus, and the optical disc apparatus are discussed. In an embodiment of the present invention, when a tracking error balance for writing is controlled, a beam power that is appropriate for the writing characteristics of an optical disc is applied. The beam power can be determined based on the Manufacturer Identifier (MID) of the optical disc and writing power information for different MIDs. The beam power can be determined to be a value of 20 to 50% of the prestored writing power for the MID of the optical disc.

摘要翻译： 讨论了一种控制光盘装置中的跟踪误差平衡的方法和光盘装置。 在本发明的实施例中，当控制用于写入的跟踪误差平衡时，施加适合于光盘写入特性的光束功率。 可以基于光盘的制造商标识符（MID）和不同的MID的写入功率信息来确定光束功率。 光束功率可以被确定为光盘的MID的预存的写入功率的20至50％的值。

公开(公告)号：US20120049199A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US13137428

申请日：2011-08-15

申请人： Yun-Mo Chung ,  Ki-Yong Lee ,  Jin-Wook Seo ,  Min-Jae Jeong ,  Seung-Kyu Park ,  Yong-Duck Son ,  Byung-Soo So ,  Byoung-Keon Park ,  Kil-Won Lee ,  Dong-Hyun Lee ,  Tak-Young Lee ,  Jong-Ryuk Park

发明人： Yun-Mo Chung ,  Ki-Yong Lee ,  Jin-Wook Seo ,  Min-Jae Jeong ,  Seung-Kyu Park ,  Yong-Duck Son ,  Byung-Soo So ,  Byoung-Keon Park ,  Kil-Won Lee ,  Dong-Hyun Lee ,  Tak-Young Lee ,  Jong-Ryuk Park

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/04 ,  H01L33/16 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/78603

摘要： A method of forming a polycrystalline layer includes forming a buffer layer on a substrate; treating the buffer layer with hydrogen plasma; forming an amorphous silicon layer on the buffer layer; forming a metallic catalyst layer for crystallizing the amorphous silicon layer on the amorphous silicon layer; and heat treating the amorphous silicon layer to form a polycrystalline silicon layer.

摘要翻译： 形成多晶层的方法包括在基板上形成缓冲层; 用氢等离子体处理缓冲层; 在缓冲层上形成非晶硅层; 形成用于使非晶硅层上的非晶硅层结晶的金属催化剂层; 并且对非晶硅层进行热处理以形成多晶硅层。

公开(公告)号：US08103309B2

公开(公告)日：2012-01-24

申请号：US12252685

申请日：2008-10-16

申请人： Ki Yong Lee

发明人： Ki Yong Lee

IPC分类号： H04B1/38

CPC分类号： H04W8/183 ,  H04M1/72519 ,  H04M2250/14 ,  H04W8/22 ,  H04W12/08 ,  H04W88/06

摘要： A multiple mode multiple standby mobile terminal and self configuration method of the mobile terminal are provided for automatically configuring settings on multiple Subscriber Identity Module (SIM) cards. An identity module configuration method for a multiple mode multiple standby mobile terminal includes checking, when the mobile terminal powers on, reference identity information in the mobile terminal, determining whether identity information contained in an identity card attached to the mobile terminal is included in the reference identity information and establishing, when the identity information is included in the reference identity information, a connection to a communication network indicated by the identity information.

摘要翻译： 提供移动终端的多模式多待机移动终端和自配置方法，用于自动配置多个用户识别模块（SIM）卡上的设置。 用于多模式多待机移动终端的身份模块配置方法包括：当移动终端上电时，检查移动终端中的参考身份信息，确定包含在附加到移动终端的身份卡中的身份信息是否包括在参考中 身份信息，并且当身份信息被包括在参考身份信息中时，建立与由身份信息指示的通信网络的连接。

公开(公告)号：US08048783B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US12714252

申请日：2010-02-26

申请人： Yun-Mo Chung ,  Ki-Yong Lee ,  Min-Jae Jeong ,  Jin-Wook Seo ,  Jong-Won Hong ,  Heung-Yeol Na ,  Eu-Gene Kang ,  Seok-Rak Chang ,  Tae-Hoon Yang ,  Ji-Su Ahn ,  Young-Dae Kim ,  Byoung-Keon Park ,  Kil-Won Lee ,  Dong-Hyun Lee ,  Sang-Yon Yoon ,  Jong-Ryuk Park ,  Bo-Kyung Choi ,  Maxim Lisachenko

发明人： Yun-Mo Chung ,  Ki-Yong Lee ,  Min-Jae Jeong ,  Jin-Wook Seo ,  Jong-Won Hong ,  Heung-Yeol Na ,  Eu-Gene Kang ,  Seok-Rak Chang ,  Tae-Hoon Yang ,  Ji-Su Ahn ,  Young-Dae Kim ,  Byoung-Keon Park ,  Kil-Won Lee ,  Dong-Hyun Lee ,  Sang-Yon Yoon ,  Jong-Ryuk Park ,  Bo-Kyung Choi ,  Maxim Lisachenko

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02532 ,  C23C14/04 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672

摘要： A method of forming a polycrystalline silicon layer and an atomic layer deposition apparatus used for the same. The method includes forming an amorphous silicon layer on a substrate, exposing the substrate having the amorphous silicon layer to a hydrophilic or hydrophobic gas atmosphere, placing a mask having at least one open and at least one closed portion over the amorphous silicon layer, irradiating UV light toward the amorphous silicon layer and the mask using a UV lamp, depositing a crystallization-inducing metal on the amorphous silicon layer, and annealing the substrate to crystallize the amorphous silicon layer into a polycrystalline silicon layer. This method and apparatus provide for controlling the seed position and grain size in the formation of a polycrystalline silicon layer.

摘要翻译： 一种形成多晶硅层的方法和用于其的原子层沉积装置。 该方法包括在衬底上形成非晶硅层，将具有非晶硅层的衬底暴露于亲水或疏水性气体气氛，在非晶硅层上放置具有至少一个开放和至少一个封闭部分的掩模，照射UV 使用UV灯朝向非晶硅层和掩模发光，在非晶硅层上沉积结晶诱导金属，并退火基板以使非晶硅层结晶成多晶硅层。 该方法和装置提供了在多晶硅层的形成中控制种子位置和晶粒尺寸。

公开(公告)号：US20110263107A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US13177936

申请日：2011-07-07

申请人： Yun-Mo CHUNG ,  Ki-Yong LEE ,  Min-Jae JEONG ,  Jin-Wook SEO ,  Jong-Won HONG ,  Heung-Yeol NA ,  Eu-Gene KANG ,  Seok-Rak CHANG ,  Tae-Hoon YANG ,  Ji-Su AHN ,  Young-Dae KIM ,  Byoung-Keon PARK ,  Kil-Won LEE ,  Dong-Hyun LEE ,  Sang-Yon YOON ,  Jong-Ryuk PARK ,  Bo-Kyung CHOI ,  Maxim LISACHENKO

发明人： Yun-Mo CHUNG ,  Ki-Yong LEE ,  Min-Jae JEONG ,  Jin-Wook SEO ,  Jong-Won HONG ,  Heung-Yeol NA ,  Eu-Gene KANG ,  Seok-Rak CHANG ,  Tae-Hoon YANG ,  Ji-Su AHN ,  Young-Dae KIM ,  Byoung-Keon PARK ,  Kil-Won LEE ,  Dong-Hyun LEE ,  Sang-Yon YOON ,  Jong-Ryuk PARK ,  Bo-Kyung CHOI ,  Maxim LISACHENKO

IPC分类号： H01L21/20 ,  C23C16/48 ,  C23C16/455 ,  C23C16/24 ,  C23C16/04

CPC分类号： H01L21/02532 ,  C23C14/04 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672

摘要： A method of forming a polycrystalline silicon layer and an atomic layer deposition apparatus used for the same. The method includes forming an amorphous silicon layer on a substrate, exposing the substrate having the amorphous silicon layer to a hydrophilic or hydrophobic gas atmosphere, placing a mask having at least one open and at least one closed portion over the amorphous silicon layer, irradiating UV light toward the amorphous silicon layer and the mask using a UV lamp, depositing a crystallization-inducing metal on the amorphous silicon layer, and annealing the substrate to crystallize the amorphous silicon layer into a polycrystalline silicon layer. This method and apparatus provide for controlling the seed position and grain size in the formation of a polycrystalline silicon layer.

摘要翻译： 一种形成多晶硅层的方法和用于其的原子层沉积装置。 该方法包括在衬底上形成非晶硅层，将具有非晶硅层的衬底暴露于亲水或疏水性气体气氛，在非晶硅层上放置具有至少一个开放和至少一个封闭部分的掩模，照射UV 使用UV灯朝向非晶硅层和掩模发光，在非晶硅层上沉积结晶诱导金属，并退火基板以使非晶硅层结晶成多晶硅层。 该方法和装置提供了在多晶硅层的形成中控制种子位置和晶粒尺寸。

公开(公告)号：US20110248277A1

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：US12975809

申请日：2010-12-22

申请人： Dong-Hyun LEE ,  Ki-Yong LEE ,  Jin-Wook Seo ,  Min-Jae Jeong ,  Yong-Duck Son ,  Byung-Soo So ,  Seung-Kyu Park ,  Kil-Won Lee ,  Yun-Mo Chung ,  Byoung-Keon Park ,  Jong-Ryuk Park ,  Tak-Young Lee ,  Jae-Wan Jung

发明人： Dong-Hyun LEE ,  Ki-Yong LEE ,  Jin-Wook Seo ,  Min-Jae Jeong ,  Yong-Duck Son ,  Byung-Soo So ,  Seung-Kyu Park ,  Kil-Won Lee ,  Yun-Mo Chung ,  Byoung-Keon Park ,  Jong-Ryuk Park ,  Tak-Young Lee ,  Jae-Wan Jung

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L21/02532 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765

摘要： A method of crystallizing an amorphous silicon layer, a method of manufacturing a thin film transistor using the same, and a thin film transistor using the manufacturing method, the crystallizing method including: forming an amorphous silicon layer; positioning crystallization catalyst particles on the amorphous silicon layer to be separated from each other; selectively removing the crystallization catalyst particles from a portion of the amorphous silicon layer; and crystallizing the amorphous silicon layer by a heat treatment.

摘要翻译： 一种使非晶硅层结晶的方法，使用其的薄膜晶体管的制造方法和使用该制造方法的薄膜晶体管，所述结晶方法包括：形成非晶硅层; 将结晶催化剂颗粒定位在待分离的非晶硅层上; 从非晶硅层的一部分选择性地除去结晶催化剂颗粒; 并通过热处理使非晶硅层结晶。

公开(公告)号：US20110233529A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US12929694

申请日：2011-02-09

申请人： Yun-Mo Chung ,  Ki-Yong Lee ,  Jin-Wook Seo ,  Min-Jae Jeong ,  Yong-Duck Son ,  Byung-Soo So ,  Seung-Kyu Park ,  Byoung-Keon Park ,  Dong-Hyun Lee ,  Kil-Won Lee ,  Tak-Young Lee ,  Jong-Ryuk Park ,  Jae-Wan Jung

发明人： Yun-Mo Chung ,  Ki-Yong Lee ,  Jin-Wook Seo ,  Min-Jae Jeong ,  Yong-Duck Son ,  Byung-Soo So ,  Seung-Kyu Park ,  Byoung-Keon Park ,  Dong-Hyun Lee ,  Kil-Won Lee ,  Tak-Young Lee ,  Jong-Ryuk Park ,  Jae-Wan Jung

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66742 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L51/0081

摘要： A substrate including a thin film transistor, the substrate including an active layer disposed on the substrate, the active layer including a channel area and source and drain areas, a gate electrode disposed on the active layer, the channel area corresponding to the gate electrode, a gate insulating layer interposed between the active layer and the gate electrode, an interlayer insulating layer disposed to cover the active layer and the gate electrode, the interlayer insulating layer having first and second contact holes partially exposing the active layer, source and drain electrodes disposed on the interlayer insulating layer, the source and drain areas corresponding to the source and drain electrodes, and ohmic contact layers, the ohmic contact layers being interposed between the interlayer insulating layer and the source and drain electrodes, and contacting the source and drain areas through the first and second contact holes.

摘要翻译： 一种包括薄膜晶体管的基板，所述基板包括设置在所述基板上的有源层，所述有源层包括沟道区域和源极和漏极区域，设置在所述有源层上的栅极电极，对应于所述栅电极的沟道区域， 插入在有源层和栅电极之间的栅极绝缘层，设置成覆盖有源层和栅电极的层间绝缘层，具有部分地暴露有源层的第一和第二接触孔的层间绝缘层，设置的源极和漏极 在层间绝缘层上，对应于源极和漏极以及欧姆接触层的源极和漏极区域，欧姆接触层介于层间绝缘层和源极和漏极之间，并且使源极和漏极区域通过 第一和第二接触孔。

公开(公告)号：US07999261B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US12357513

申请日：2009-01-22

申请人： Ji-Su Ahn ,  Byoung-Keon Park ,  Tae-Hoon Yang ,  Jin-Wook Seo ,  Kil-Won Lee ,  Ki-Yong Lee ,  Sung-Chul Kim

发明人： Ji-Su Ahn ,  Byoung-Keon Park ,  Tae-Hoon Yang ,  Jin-Wook Seo ,  Kil-Won Lee ,  Ki-Yong Lee ,  Sung-Chul Kim

IPC分类号： H01L29/10

CPC分类号： H01L29/458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66765

摘要： A thin film transistor (TFT), a method of fabricating the same, and an organic light emitting diode (OLED) display device having the TFT, the TFT including a substrate, a gate electrode disposed on the substrate, a gate insulating layer disposed on the gate electrode, a semiconductor layer disposed on the gate insulating layer and crystallized using a metal catalyst, and source and drain electrodes disposed on the semiconductor layer and electrically connected to source and drain regions of the semiconductor layer. A second metal is diffused into a surface region of the semiconductor layer, to getter the metal catalyst from a channel region of the semiconductor layer. The second metal can have a lower diffusion coefficient in silicon than the metal catalyst.

摘要翻译： 薄膜晶体管（TFT）及其制造方法以及具有TFT的有机发光二极管（OLED）显示装置，TFT包括基板，设置在基板上的栅极电极，设置在基板上的栅极绝缘层 栅电极，设置在栅绝缘层上并使用金属催化剂结晶的半导体层，以及设置在半导体层上并电连接到半导体层的源极和漏极区的源极和漏极。 第二金属被扩散到半导体层的表面区域中，以从半导体层的沟道区域吸收金属催化剂。 第二种金属在硅中的扩散系数可以低于金属催化剂。

公开(公告)号：US07991946B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US12195588

申请日：2008-08-21

申请人： Ki-Yong Lee ,  Hyo-Jun Kim ,  Hee-Seon Park ,  Kyoung-Gu Woo

发明人： Ki-Yong Lee ,  Hyo-Jun Kim ,  Hee-Seon Park ,  Kyoung-Gu Woo

IPC分类号： G06F12/10

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F11/1435 ,  G06F2212/1032 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/1041 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7203

摘要： An apparatus usable with a flash memory as storage and a method of operating the same are provided, which can provide an optimized architecture to a flash memory through combination of a flash transition layer (FTL) with a database. The apparatus includes a flash memory, a device driver to manage a mapping table between logical addresses and physical addresses in accordance with a data operation in the flash memory, and a control unit to perform data recovery of the flash memory by requesting the mapping table through an interface provided by the device driver.

摘要翻译： 提供了一种可用于闪存作为存储的装置及其操作方法，其可以通过闪存过渡层（FTL）与数据库的组合来向闪存提供优化的体系结构。 该装置包括闪速存储器，根据闪速存储器中的数据操作来管理逻辑地址和物理地址之间的映射表的设备驱动器，以及控制单元，通过请求映射表来执行闪存的数据恢复 由设备驱动程序提供的接口。

公开(公告)号：US20110145514A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：US12967356

申请日：2010-12-14

申请人： Ki Yong LEE ,  Jae Kyong CHOI

发明人： Ki Yong LEE ,  Jae Kyong CHOI

IPC分类号： G06F12/02

CPC分类号： G06F9/544

摘要： A method for inter-processor communication in a mobile terminal is disclosed. The method of inter-processor communication for a mobile terminal having a first processor, a second processor, and a shared memory includes determining, by the first processor, the size of data to be sent to the second processor, comparing the determined size of the data with the size of one of multiple buffer areas in the shared memory to be used for transmission, rearranging the shared memory according to the data size when the size of the data is greater than the size of the buffer area to be used, and sending the data to the second processor through the rearranged shared memory. It is possible to increase data transfer rates between processors when inter-processor communication is performed through a shared memory in a mobile terminal having multiple processors.

摘要翻译： 公开了一种用于移动终端中的处理器间通信的方法。 具有第一处理器，第二处理器和共享存储器的移动终端的处理器间通信的方法包括由第一处理器确定要发送到第二处理器的数据的大小，将确定的 具有要用于传输的共享存储器中的多个缓冲区之一的大小的数据，当数据的大小大于要使用的缓冲区的大小时，根据数据大小重新排列共享存储器，并且发送 通过重新布置的共享存储器将数据提供给第二处理器。 当通过具有多个处理器的移动终端中的共享存储器执行处理器间通信时，可以增加处理器之间的数据传输速率。