公开(公告)号：US5912068A

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：US760545

申请日：1996-12-05

申请人： Quanxi Jia

发明人： Quanxi Jia

IPC分类号： C23C14/08 ,  C30B23/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L23/532 ,  H01L29/51 ,  H01L31/0392 ,  H01L37/02 ,  H01L39/24 ,  B32B9/04 ,  H01L23/58 ,  H01L21/324 ,  B05D3/02

CPC分类号： H01L28/56 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691 ,  H01L23/53285 ,  H01L29/516 ,  H01L31/03921 ,  H01L37/02 ,  H01L39/2458 ,  H01L39/2461 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24926 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/3179

摘要： A process for forming a structure including an epitaxial layer of a oxide material such as yttria-stabilized zirconia on a thick layer of amorphous silicon dioxide having a thickness of at least about 500 Angstroms on a single crystal silicon substrate and the resultant structures derived therefrom are provided.

摘要翻译： 在单晶硅衬底上形成厚度为至少约500埃的非晶二氧化硅厚层上的氧化物材料如氧化钇稳定的氧化锆的外延层的结构及由此得到的结构的方法是 提供。