公开(公告)号：US06172267B2

公开(公告)日：2001-01-09

申请号：US09179187

申请日：1998-10-27

申请人： Hisao Urata ,  Yasuhiro Wada ,  Yoshiyuki Tanaka ,  Naoki Suzuki ,  Hiroaki Itagaki

发明人： Hisao Urata ,  Yasuhiro Wada ,  Yoshiyuki Tanaka ,  Naoki Suzuki ,  Hiroaki Itagaki

IPC分类号： C07C4549

CPC分类号： C07C45/50 ,  C07C47/02

摘要： A process for producing aldehydes, which comprises reacting a mono-olefinic compound with carbon monoxide and hydrogen in the presence of a Group VIII transition metal compound of a bisphosphite compound of the following formula (1) or (2)

摘要翻译： 一种生产醛的方法，其包括在下列通式（1）或（2）的二亚磷酸酯化合物的第VIII族过渡金属化合物存在下使单烯烃化合物与一氧化碳和氢反应，

公开(公告)号：US5916820A

公开(公告)日：1999-06-29

申请号：US518307

申请日：1995-08-23

申请人： Tomohiro Okumura ,  Ichiro Nakayama ,  Yuichiro Yamada ,  Naoki Suzuki

发明人： Tomohiro Okumura ,  Ichiro Nakayama ,  Yuichiro Yamada ,  Naoki Suzuki

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C16/04 ,  C23C16/507 ,  C23C16/509 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/316 ,  H01L21/00 ,  H05H1/24

CPC分类号： H01J37/32082 ,  C23C16/045 ,  C23C16/507 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/321 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31612 ,  H01J2237/3327

摘要： A thin film forming method for forming a thin film on a surface of a substrate having a stepped portion due to a difference in level, includes steps of performing first thin film deposition with plasma generated in a processing chamber by applying high-frequency voltages to electrodes, performing thin film shaping with plasma generated in the processing chamber by applying a high-frequency voltage to a coil, and performing second thin film deposition with plasma generated in the processing chamber by applying high-frequency voltages to the electrodes.

摘要翻译： 在由于电平差异而在具有阶梯部分的基板的表面上形成薄膜的薄膜形成方法包括以下步骤：通过向电极施加高频电压来在处理室中产生的等离子体进行第一薄膜沉积 通过向线圈施加高频电压来对处理室中产生的等离子体进行薄膜成形，并且通过向电极施加高频电压来对处理室中产生的等离子体进行第二薄膜沉积。

公开(公告)号：US5863338A

公开(公告)日：1999-01-26

申请号：US583662

申请日：1996-01-05

申请人： Yuichiro Yamada ,  Naoki Suzuki ,  Ryuzo Houchin ,  Noboru Nomura ,  Kousaku Yano ,  Yuka Terai

发明人： Yuichiro Yamada ,  Naoki Suzuki ,  Ryuzo Houchin ,  Noboru Nomura ,  Kousaku Yano ,  Yuka Terai

IPC分类号： H01L21/205 ,  B05D1/18 ,  B05D7/24 ,  C23C16/54 ,  H01L21/302 ,  C23C16/00

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B05D1/185 ,  B05D1/60 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/54

摘要： A forming apparatus of a thin film, includes a processing chamber where a predetermined process is carried out on a surface of a supplied substrate, and a feeding device, which is provided in the processing chamber, for feeding material to form an organic molecular layer including silicon or germanium on the surface of the substrate. A forming method of a thin film, includes steps of forming a thin film on a surface of a supplied substrate in a processing chamber, and feeding material for forming an organic molecular layer including silicon or germanium on the formed thin film on the surface of the substrate through a feeding device in the processing chamber, and then forming the organic molecular layer on the surface of the substrate.

摘要翻译： 薄膜的成形装置包括处理室，其中在所提供的基板的表面上执行预定的处理;以及馈送装置，其设置在处理室中，用于馈送材料以形成有机分子层，所述有机分子层包括 硅或锗在基板的表面上。 薄膜的形成方法包括以下步骤：在处理室中的供给的基板的表面上形成薄膜，以及在所形成的薄膜上形成包含硅或锗的有机分子层的供给材料 基板通过处理室中的进料装置，然后在基板的表面上形成有机分子层。