公开(公告)号：US20050062130A1

公开(公告)日：2005-03-24

申请号：US10668694

申请日：2003-09-23

申请人： Anthony Ciancio ,  Mark Griswold ,  Amudha Irudayam ,  Jennifer Morrison

发明人： Anthony Ciancio ,  Mark Griswold ,  Amudha Irudayam ,  Jennifer Morrison

IPC分类号： H01L20060101 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/76 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L28/75 ,  H01L21/31645 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/65 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： By forming a conductive smoothing layer over the bottom electrode and/or a capacitor dielectric, a MIM capacitor with improved reliability due to reduction of geometrically enhanced electric fields and electrode smoothing is formed. In one embodiment, layer including a refractory metal or a refractory metal-rich nitride, is formed over a first capping layer formed of a refractory nitride. In addition, a second refractory metal or a refractory metal-rich nitride layer may be formed on the capacitor dielectric. The smoothing layer could also be used in other semiconductor devices, such as transistors between a gate electrode and a gate dielectric.

摘要翻译： 通过在底部电极和/或电容器电介质上形成导电平滑层，形成由于减小了几何增强的电场和电极平滑而具有可靠性提高的MIM电容器。 在一个实施方案中，在由耐火氮化物形成的第一覆盖层上形成包括难熔金属或难熔金属富氮化物的层。 此外，可以在电容器电介质上形成第二难熔金属或难熔金属富氮的氮化物层。 平滑层也可以用于其它半导体器件，例如栅极电极和栅极电介质之间的晶体管。