公开(公告)号：US20110184156A1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：US13036602

申请日：2011-04-12

申请人： Anthony Copeland Jones

发明人： Anthony Copeland Jones

IPC分类号： C07F5/00

CPC分类号： C07F5/003 ,  C23C16/40

摘要： Rare earth metal precursors, for use in MOCVD techniques have a ligand of the general formula OCR1(R2)CH2X, wherein R1 is H or an alkyl group, R2 is an optionally substituted alkyl group and X is selected from OR and NR2, wherein R is an alkyl group or a substituted alkyl group. Methods of making such precursors and methods of depositing metal oxide layers from such precursors are also described.

摘要翻译： 用于MOCVD技术的稀土金属前体具有通式为OCR1（R2）CH2X的配体，其中R1是H或烷基，R2是任选取代的烷基，X选自OR和NR2，其中R 是烷基或取代的烷基。 还描述了制备这些前体的方法和从这些前体沉积金属氧化物层的方法。

公开(公告)号：US5980978A

公开(公告)日：1999-11-09

申请号：US793810

申请日：1997-07-14

申请人： Anthony Copeland Jones ,  Simon Andrew Rushworth ,  Trevor Martin ,  Timothy John Whittaker ,  Richard William Freer

发明人： Anthony Copeland Jones ,  Simon Andrew Rushworth ,  Trevor Martin ,  Timothy John Whittaker ,  Richard William Freer

IPC分类号： C07F5/00 ,  C07F9/50 ,  C23C16/18 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC分类号： C30B29/40 ,  C07F5/00 ,  C07F5/006 ,  C07F9/5063 ,  C30B25/02 ,  C30B29/42

摘要： Semiconductor devices are prepared by growth of epitaxial layers on a substrate from metalorganic compounds of the formula MR.sub.3, R being an alkyl group, or its amine adduct. The metalorganic compound was prepared by reacting a Grignard reagent with a metal halide in an amine solvent.

摘要翻译： PCT No.PCT / GB95 / 02089 Sec。 371日期1997年7月14日 102（e）日期1997年7月14日PCT提交1995年9月4日PCT公布。 公开号WO96 / 07661 日期1996年3月14日半导体器件是通过在金属有机化合物式MR3，R为烷基或其胺加合物的底物上生长外延层来制备的。 通过使格氏试剂与金属卤化物在胺溶剂中反应来制备金属有机化合物。

公开(公告)号：US5886203A

公开(公告)日：1999-03-23

申请号：US793809

申请日：1997-07-14

申请人： Anthony Copeland Jones ,  Simon Andrew Rushworth ,  Trevor Martin ,  Timothy John Whittaker ,  Richard William Freer

发明人： Anthony Copeland Jones ,  Simon Andrew Rushworth ,  Trevor Martin ,  Timothy John Whittaker ,  Richard William Freer

IPC分类号： C07F5/00 ,  C07F9/50 ,  C23C16/18 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  C07F7/22

CPC分类号： C30B29/40 ,  C07F5/00 ,  C07F5/006 ,  C07F9/5063 ,  C30B25/02 ,  C30B29/42

摘要： A process is provided for the production of metalorganic compounds by reacting a Grignard reagent with a Group II, Group III or Group V metal halide in a tertiary alkyl amine solvent to form a metalorganic adduct, isolating the adduct and dissociating the adduct to leave the metalorganic compound.

摘要翻译： PCT No.PCT / GB95 / 02087第 371日期1997年7月14日 102（e）日期1997年7月14日PCT提交1995年9月4日PCT公布。 公开号WO96 / 07660 日期1996年3月14日提供了通过在叔烷基胺溶剂中使格氏试剂与II族，III族或V族金属卤化物反应以形成金属有机加合物来制备金属有机化合物的方法，分离加合物并解离 加合物离开金属有机化合物。

公开(公告)号：US07927661B2

公开(公告)日：2011-04-19

申请号：US10548946

申请日：2004-03-11

申请人： Anthony Copeland Jones

发明人： Anthony Copeland Jones

IPC分类号： C23C16/40

CPC分类号： C07F5/003 ,  C23C16/40

摘要： Methods of depositing a single or mixed metal oxide layer or film are described herein. The methods use a rare earth metal precursor are described herein. The rare earth metal precursors have a general formula M[OCR1(R2)(CH2)X]3, wherein M is a rare earth metal, R1 is H or an alkyl group, R2 is an optionally substituted alkyl group and X is selected from OR and NR, wherein R is an alkyl group or a substituted alkyl group.

摘要翻译： 本文描述了沉积单一或混合的金属氧化物层或膜的方法。 本文描述了使用稀土金属前体的方法。 稀土金属前体具有通式M [OCR1（R2）（CH2）X] 3，其中M是稀土金属，R1是H或烷基，R2是任意取代的烷基，X选自 OR和NR，其中R是烷基或取代的烷基。

公开(公告)号：US07419698B2

公开(公告)日：2008-09-02

申请号：US10493667

申请日：2002-10-25

申请人： Anthony Copeland Jones

发明人： Anthony Copeland Jones

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C07F5/003 ,  C07F7/003

摘要： Ti, Zr Hf and La precursors for use in MOCVD techniques have a ligand of the general formula OCR1(R2)CH2X, wherein R1 is H or an alkyl group, R2 is an optionally substituted alkyl group and X is selected from OR and NR2, wherein R is an alkyl group or a substituted alkyl group.

摘要翻译： 在MOCVD技术中使用的Ti，Zr Hf和La前体具有通式为OCR 1（R 2）CH 2 X的配体， 其中R 1是H或烷基，R 2是任选取代的烷基，X选自OR和NR 2，其中 R是烷基或取代的烷基。

公开(公告)号：US06248928B1

公开(公告)日：2001-06-19

申请号：US09620855

申请日：2000-07-21

申请人： Anthony Copeland Jones

发明人： Anthony Copeland Jones

IPC分类号： C07C4561

CPC分类号： C07C49/92 ,  C07C45/77

摘要： A method of manufacturing a strontium &bgr;-diketonate precursor suitable for MOCVD techniques comprises the step of reacting strontium with a sterically hindered alcohol to produce strontium alkoxide, subsequently reacting the strontium alkoxide with a &bgr;-diketone to form a strontium &bgr;-diketonate alcohol adduct and removing the alcohol from the adduct.

摘要翻译： 制备适用于MOCVD技术的锶β-二酮前体的方法包括使锶与空间位阻醇反应生成锶醇盐的步骤，随后使锶醇盐与β-二酮反应以形成β-狄氏酮锶盐加合物， 从加合物中除去醇。