公开(公告)号：US20080210951A1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：US12067690

申请日：2006-11-17

申请人： Fengyi Jiang ,  Bilin Shao ,  Li Wang ,  Wenqing Fang

发明人： Fengyi Jiang ,  Bilin Shao ,  Li Wang ,  Wenqing Fang

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L33/0066 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/12

摘要： One embodiment of the present invention provides a semiconductor light-emitting device which includes: (1) a silicon (Si) substrate; (2) a silver (Ag) transition layer which is formed on a surface of the Si substrate, wherein the Ag transition layer covers the Si substrate surface; and (3) an InGaAlN, ZnMgCdO, or ZnBeCdO-based semiconductor light-emitting structure which is fabricated on the Ag-coated Si substrate. Note that the Ag transition layer prevents the Si substrate surface from forming an amorphous overcoat with reactant gases used for growing the semiconductor light-emitting structure.

摘要翻译： 本发明的一个实施例提供一种半导体发光器件，其包括：（1）硅（Si）衬底; （2）形成在Si衬底的表面上的银（Ag）过渡层，其中Ag过渡层覆盖Si衬底表面; 和（3）在Ag涂覆的Si衬底上制造的InGaAlN，ZnMgCdO或ZnBeCdO基半导体发光结构。 注意，Ag过渡层防止Si衬底表面与用于生长半导体发光结构的反应气体形成无定形外涂层。

公开(公告)号：US07902556B2

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：US12067690

申请日：2006-11-17

申请人： Fengyi Jiang ,  Bilin Shao ,  Li Wang ,  Wenqing Fang

发明人： Fengyi Jiang ,  Bilin Shao ,  Li Wang ,  Wenqing Fang

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0066 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/12

摘要： One embodiment of the present invention provides a semiconductor light-emitting device which includes: (1) a silicon (Si) substrate; (2) a silver (Ag) transition layer which is formed on a surface of the Si substrate, wherein the Ag transition layer covers the Si substrate surface; and (3) an InGaAlN, ZnMgCdO, or ZnBeCdO-based semiconductor light-emitting structure which is fabricated on the Ag-coated Si substrate. Note that the Ag transition layer prevents the Si substrate surface from forming an amorphous overcoat with reactant gases used for growing the semiconductor light-emitting structure.

摘要翻译： 本发明的一个实施例提供一种半导体发光器件，其包括：（1）硅（Si）衬底; （2）形成在Si衬底的表面上的银（Ag）过渡层，其中Ag过渡层覆盖Si衬底表面; 和（3）在Ag涂覆的Si衬底上制造的InGaAlN，ZnMgCdO或ZnBeCdO基半导体发光结构。 注意，Ag过渡层防止Si衬底表面与用于生长半导体发光结构的反应气体形成无定形外涂层。