公开(公告)号：US08482018B2

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：US12681540

申请日：2008-10-02

申请人： Bong Cheol Kang ,  Duk Kyu Bae

发明人： Bong Cheol Kang ,  Duk Kyu Bae

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/465

摘要： Disclosed is a light emitting device. The light emitting device comprises a light emitting semiconductor layer comprising a first conductive semiconductor layer, an active layer and a second conductive semiconductor layer, a second electrode layer supporting the light emitting semiconductor layer while surrounding the light emitting semiconductor layer, and a first passivation layer between a side of the light emitting semiconductor layer and the second electrode layer.

摘要翻译： 公开了一种发光器件。 发光器件包括包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层的发光半导体层，支撑发光半导体层同时围绕发光半导体层的第二电极层，以及第一钝化层 在发光半导体层的一侧和第二电极层之间。

公开(公告)号：US20110303934A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US12522246

申请日：2009-01-15

申请人： Bong Cheol Kang ,  Hyun Kyong Cho

发明人： Bong Cheol Kang ,  Hyun Kyong Cho

IPC分类号： H01L33/60

CPC分类号： H01L33/405

摘要： Disclosed is a light emitting device. The light emitting device comprises a reflective layer comprising an alloy of at least one of an Ag-based alloy, an Al-based alloy, Ag, Al, Rh, or Sn, and at least one of Pd, Cu, C, Sn, In or Cr, and a light emitting semiconductor layer comprising a second conductive semiconductor layer, an active layer and a first conductive semiconductor layer on the reflective layer.

摘要翻译： 公开了一种发光器件。 发光器件包括反射层，其包含Ag基合金，Al基合金，Ag，Al，Rh或Sn中的至少一种的合金，以及Pd，Cu，C，Sn， In或Cr，以及在反射层上包括第二导电半导体层，有源层和第一导电半导体层的发光半导体层。

公开(公告)号：US08558260B2

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US12522246

申请日：2009-01-15

申请人： Bong Cheol Kang ,  Hyun Kyong Cho

发明人： Bong Cheol Kang ,  Hyun Kyong Cho

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/405

摘要： Disclosed is a light emitting device. The light emitting device comprises a reflective layer comprising an alloy of at least one of an Ag-based alloy, an Al-based alloy, Ag, Al, Rh, or Sn, and at least one of Pd, Cu, C, Sn, In or Cr, and a light emitting semiconductor layer comprising a second conductive semiconductor layer, an active layer and a first conductive semiconductor layer on the reflective layer.

摘要翻译： 公开了一种发光器件。 发光器件包括反射层，其包含Ag基合金，Al基合金，Ag，Al，Rh或Sn中的至少一种的合金，以及Pd，Cu，C，Sn， In或Cr，以及在反射层上包括第二导电半导体层，有源层和第一导电半导体层的发光半导体层。

公开(公告)号：US20100237371A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：US12681540

申请日：2008-10-02

申请人： Bong Cheol Kang ,  Duk Kyu Bae

发明人： Bong Cheol Kang ,  Duk Kyu Bae

IPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/36 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/465

摘要： Disclosed is a light emitting device. The light emitting device comprises a light emitting semiconductor layer comprising a first conductive semiconductor layer, an active layer and a second conductive semiconductor layer, a second electrode layer supporting the light emitting semiconductor layer while surrounding the light emitting semiconductor layer, and a first passivation layer between a side of the light emitting semiconductor layer and the second electrode layer.

摘要翻译： 公开了一种发光器件。 发光器件包括包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层的发光半导体层，支撑发光半导体层同时围绕发光半导体层的第二电极层，以及第一钝化层 在发光半导体层的一侧和第二电极层之间。