公开(公告)号：US08177993B2

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：US11556696

申请日：2006-11-05

申请人： Boon Meng Seah ,  Bei Chao Zhang ,  Raymond Joy ,  Shao Beng Law ,  John Sudijono ,  Liang Choo Hsia

发明人： Boon Meng Seah ,  Bei Chao Zhang ,  Raymond Joy ,  Shao Beng Law ,  John Sudijono ,  Liang Choo Hsia

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

摘要： An first example method and apparatus for etching and cleaning a substrate comprises device with a first manifold and a second manifold. The first manifold has a plurality of nozzles for dispensing chemicals onto the substrate. The second manifold is attached to a vacuum source and/or a dry air/gas source. A second example embodiment is a wafer cleaning device and method that uses a manifold with capillary jet nozzles and a liquid capillary jet stream to clean substrates.

摘要翻译： 用于蚀刻和清洁衬底的第一示例性方法和装置包括具有第一歧管和第二歧管的装置。 第一歧管具有用于将化学品分配到基底上的多个喷嘴。 第二歧管连接到真空源和/或干燥空气/气体源。 第二示例性实施例是晶片清洁装置和方法，其使用具有毛细管喷嘴和液体毛细管喷流的歧管来清洁基底。

公开(公告)号：US20120255586A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：US13443891

申请日：2012-04-11

申请人： Boon Meng SEAH ,  Bei Chao ZHANG ,  Raymond JOY ,  Shao Beng LAW ,  John SUDIJONO ,  Liang Choo HSIA

发明人： Boon Meng SEAH ,  Bei Chao ZHANG ,  Raymond JOY ,  Shao Beng LAW ,  John SUDIJONO ,  Liang Choo HSIA

IPC分类号： B08B3/00

CPC分类号： H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

摘要： An first example method and apparatus for etching and cleaning a substrate comprises device with a first manifold and a second manifold. The first manifold has a plurality of nozzles for dispensing chemicals onto the substrate. The second manifold is attached to a vacuum source and/or a dry air/gas source. A second example embodiment is a wafer cleaning device and method that uses a manifold with capillary jet nozzles and a liquid capillary jet stream to clean substrates.

摘要翻译： 用于蚀刻和清洁衬底的第一示例性方法和装置包括具有第一歧管和第二歧管的装置。 第一歧管具有用于将化学品分配到基底上的多个喷嘴。 第二歧管连接到真空源和/或干燥空气/气体源。 第二示例性实施例是晶片清洁装置和方法，其使用具有毛细管喷嘴和液体毛细管喷流的歧管来清洁基底。

公开(公告)号：US07601607B2

公开(公告)日：2009-10-13

申请号：US11434318

申请日：2006-05-15

申请人： Wuping Liu ,  Raymond Joy ,  Beichao Zhang ,  Liang Choo Hsia ,  Boon Meng Seah ,  Shyam Pal

发明人： Wuping Liu ,  Raymond Joy ,  Beichao Zhang ,  Liang Choo Hsia ,  Boon Meng Seah ,  Shyam Pal

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76814

摘要： An embodiment of the invention shows a process to form a damascene opening preferably without hardmask overhang or dielectric layer undercut/void. The low-k dielectric material can be sandwiched in two hardmask films to form the dielectric film through which an interconnect opening is etched. A first example embodiment comprises the following. We form a lower interconnect and an insulating layer over a semiconductor structure. We form a first hardmask a dielectric layer, and a second hardmask layer, over the lower interconnect and insulating layer. We etch a first interconnect opening in the first hardmask, the dielectric layer and the second hardmask layer. Lastly, we form an interconnect in the first interconnect opening.

摘要翻译： 本发明的一个实施例示出了一种形成镶嵌开口的方法，优选地不具有硬掩模悬垂或电介质层底切/空隙。 低k电介质材料可以被夹在两个硬掩模膜中以形成蚀刻互连开口的电介质膜。 第一示例性实施例包括以下。 我们在半导体结构上形成下互连和绝缘层。 我们在下互连和绝缘层上形成第一硬掩模介电层和第二硬掩模层。 我们蚀刻第一硬掩模，电介质层和第二硬掩模层中的第一互连开口。 最后，我们在第一个互连开口中形成互连。

公开(公告)号：US20080105653A1

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：US11556696

申请日：2006-11-05

申请人： Boon Meng Seah ,  Bei Chao Zhang ,  Raymond Joy ,  Shao Beng Law ,  John Sudijono ,  Liang Choo Hsia

发明人： Boon Meng Seah ,  Bei Chao Zhang ,  Raymond Joy ,  Shao Beng Law ,  John Sudijono ,  Liang Choo Hsia

IPC分类号： B05B13/04 ,  B05B1/14 ,  B08B3/08 ,  B44C1/22

CPC分类号： H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

摘要： An first example method and apparatus for etching and cleaning a substrate comprises device with a first manifold and a second manifold. The first manifold has a plurality of nozzles for dispensing chemicals onto the substrate. The second manifold is attached to a vacuum source and/or a dry air/gas source. A second example embodiment is a wafer cleaning device and method that uses a manifold with capillary jet nozzles and a liquid capillary jet stream to clean substrates.

摘要翻译： 用于蚀刻和清洁衬底的第一示例性方法和装置包括具有第一歧管和第二歧管的装置。 第一歧管具有用于将化学品分配到基底上的多个喷嘴。 第二歧管连接到真空源和/或干燥空气/气体源。 第二示例性实施例是晶片清洁装置和方法，其使用具有毛细管喷嘴和液体毛细管喷流的歧管来清洁基底。