公开(公告)号：US08901665B2

公开(公告)日：2014-12-02

申请号：US13335431

申请日：2011-12-22

申请人： Andrew Joseph Kelly ,  Pei-Shan Chien ,  Yung-Ta Li ,  Chan Syun Yang

发明人： Andrew Joseph Kelly ,  Pei-Shan Chien ,  Yung-Ta Li ,  Chan Syun Yang

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： The present disclosure provides a method of semiconductor fabrication including forming an inter-layer dielectric (ILD) layer on a semiconductor substrate. The ILD layer has an opening defined by sidewalls of the ILD layer. A spacer element is formed on the sidewalls of the ILD layer. A gate structure is formed in the opening adjacent the spacer element. In an embodiment, the sidewall spacer also for a decrease in the dimensions (e.g., length) of the gate structure formed in the opening.

摘要翻译： 本公开提供一种半导体制造方法，包括在半导体衬底上形成层间电介质（ILD）层。 ILD层具有由ILD层的侧壁限定的开口。 间隔元件形成在ILD层的侧壁上。 在与间隔元件相邻的开口中形成栅极结构。 在一个实施例中，侧壁间隔件还用于减小形成在开口中的门结构的尺寸（例如，长度）。

公开(公告)号：US07807579B2

公开(公告)日：2010-10-05

申请号：US11737731

申请日：2007-04-19

申请人： Chan-Syun Yang ,  Changhun Lee

发明人： Chan-Syun Yang ,  Changhun Lee

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02063 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76814

摘要： An oxygen-free hydrogen plasma ashing process particularly useful for low-k dielectric materials based on hydrogenated silicon oxycarbide materials. The main ashing step includes exposing a previously etched dielectric layer to a plasma of hydrogen and optional nitrogen, a larger amount of water vapor, and a yet larger amount of argon or helium. Especially for porous low-k dielectrics, the main ashing plasma additionally contains a hydrocarbon gas such as methane. The main ashing may be preceded by a short surface treatment by a plasma of a hydrogen-containing reducing gas such as hydrogen and optional nitrogen.

摘要翻译： 无氧氢等离子体灰化处理特别适用于基于氢化碳氧化硅材料的低k电介质材料。 主灰化步骤包括将先前蚀刻的电介质层暴露于氢和任选的氮的等离子体，更大量的水蒸汽和更大量的氩或氦。 特别是对于多孔低k电介质，主要灰化等离子体还含有诸如甲烷的烃气。 之前可以通过诸如氢气和任选的氮气的含氢还原气体的等离子体进行短的表面处理。

公开(公告)号：US20130161762A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：US13335431

申请日：2011-12-22

申请人： Andrew Joseph Kelly ,  Pei-Shan Chien ,  Yung-Ta Li ,  Chan Syun Yang

发明人： Andrew Joseph Kelly ,  Pei-Shan Chien ,  Yung-Ta Li ,  Chan Syun Yang

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： The present disclosure provides a method of semiconductor fabrication including forming an inter-layer dielectric (ILD) layer on a semiconductor substrate. The ILD layer has an opening defined by sidewalls of the ILD layer. A spacer element is formed on the sidewalls of the ILD layer. A gate structure is formed in the opening adjacent the spacer element. In an embodiment, the sidewall spacer also for a decrease in the dimensions (e.g., length) of the gate structure formed in the opening.

摘要翻译： 本公开提供一种半导体制造方法，包括在半导体衬底上形成层间电介质（ILD）层。 ILD层具有由ILD层的侧壁限定的开口。 间隔元件形成在ILD层的侧壁上。 在与间隔元件相邻的开口中形成栅极结构。 在一个实施例中，侧壁间隔件还用于减小形成在开口中的门结构的尺寸（例如，长度）。

公开(公告)号：US20080261405A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：US11737731

申请日：2007-04-19

申请人： Chan-Syun Yang ,  Changhun Lee

发明人： Chan-Syun Yang ,  Changhun Lee

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02063 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76814

摘要： An oxygen-free hydrogen plasma ashing process particularly useful for low-k dielectric materials based on hydrogenated silicon oxycarbide materials. The main ashing step includes exposing a previously etched dielectric layer to a plasma of hydrogen and optional nitrogen, a larger amount of water vapor, and a yet larger amount of argon or helium. Especially for porous low-k dielectrics, the main ashing plasma additionally contains a hydrocarbon gas such as methane. The main ashing may be preceded by a short surface treatment by a plasma of a hydrogen-containing reducing gas such as hydrogen and optional nitrogen.

摘要翻译： 无氧氢等离子体灰化处理特别适用于基于氢化碳氧化硅材料的低k电介质材料。 主灰化步骤包括将先前蚀刻的电介质层暴露于氢和任选的氮的等离子体，更大量的水蒸汽和更大量的氩或氦。 特别是对于多孔低k电介质，主要灰化等离子体还含有诸如甲烷的烃气。 之前可以通过诸如氢气和任选的氮气的含氢还原气体的等离子体进行短的表面处理。