公开(公告)号：US08760829B2

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：US13437352

申请日：2012-04-02

申请人： Liang Wang ,  Weibiao Zhang ,  Dening Wang ,  John Eric Kunz, Jr.

发明人： Liang Wang ,  Weibiao Zhang ,  Dening Wang ,  John Eric Kunz, Jr.

IPC分类号： H02H9/00

CPC分类号： H02H9/046

摘要： An apparatus comprises a first PFET including a first intrinsic body diode; an electrostatic discharge (ESD) subcircuit coupled to a source of the first PFET; a reverse bias voltage element, such as a zener diode, an anode of which is coupled to a gate of the first PFET; a second PFET having a source coupled to a cathode of the zener diode a capacitor coupled to a gate the second PFET; and a first resistor coupled to the gate of the second PFET. The apparatus can protect against both positive and negative electro static transient discharge events.

摘要翻译： 一种装置包括：第一PFET，包括第一本征体二极管; 耦合到第一PFET的源极的静电放电（ESD）子电路; 反向偏置电压元件，例如齐纳二极管，其阳极耦合到第一PFET的栅极; 第二PFET，其源极耦合到齐纳二极管的阴极，电容器耦合到栅极第二PFET; 以及耦合到第二PFET的栅极的第一电阻器。 该装置可以防止正和负静电瞬态放电事件。

公开(公告)号：US20130188286A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：US13437352

申请日：2012-04-02

申请人： Liang Wang ,  Weibiao Zhang ,  Dening Wang ,  John Eric Kunz, JR.

发明人： Liang Wang ,  Weibiao Zhang ,  Dening Wang ,  John Eric Kunz, JR.

IPC分类号： H02H9/04

CPC分类号： H02H9/046

摘要： An apparatus comprises a first PFET including a first intrinsic body diode; an electrostatic discharge (ESD) subcircuit coupled to a source of the first PFET; a reverse bias voltage element, such as a zener diode, an anode of which is coupled to a gate of the first PFET; a second PFET having a source coupled to a cathode of the zener diode a capacitor coupled to a gate the second PFET; and a first resistor coupled to the gate of the second PFET. The apparatus can protect against both positive and negative electro static transient discharge events.

摘要翻译： 一种装置包括：第一PFET，包括第一本征体二极管; 耦合到第一PFET的源极的静电放电（ESD）子电路; 反向偏置电压元件，例如齐纳二极管，其阳极耦合到第一PFET的栅极; 第二PFET，其源极耦合到齐纳二极管的阴极，电容器耦合到栅极第二PFET; 以及耦合到第二PFET的栅极的第一电阻器。 该装置可以防止正和负静电瞬态放电事件。

公开(公告)号：US07855863B2

公开(公告)日：2010-12-21

申请号：US12274085

申请日：2008-11-19

申请人： Dening Wang ,  Yuan Gu ,  Lin Chen ,  Jonathan Scott Brodsky ,  Wei-Chung Wu ,  Wenliang Chen

发明人： Dening Wang ,  Yuan Gu ,  Lin Chen ,  Jonathan Scott Brodsky ,  Wei-Chung Wu ,  Wenliang Chen

IPC分类号： H02H9/00 ,  H01C7/12 ,  H02H1/00 ,  H02H1/04 ,  H02H3/22 ,  H02H9/06

CPC分类号： H02H9/046

摘要： Various apparatuses, methods and systems for protecting a driver from electrostatic discharge are disclosed herein. For example, some exemplary embodiments provide a driver, including a buffer, a leakage path blocking transistor connected to an output of the buffer, and an output driver connected to an output of the leakage path blocking transistor. Current from the output driver to the buffer is substantially blocked by the leakage path blocking transistor.

摘要翻译： 本文公开了用于保护驾驶员免受静电放电的各种装置，方法和系统。 例如，一些示例性实施例提供了包括缓冲器的驱动器，连接到缓冲器的输出的泄漏路径阻塞晶体管，以及连接到泄漏路径阻挡晶体管的输出的输出驱动器。 从输出驱动器到缓冲器的电流基本上被泄漏路径阻断晶体管阻挡。

公开(公告)号：US08130481B2

公开(公告)日：2012-03-06

申请号：US12186323

申请日：2008-08-05

申请人： Jinyu Yang ,  Dening Wang ,  Gregory George Romas, Jr.

发明人： Jinyu Yang ,  Dening Wang ,  Gregory George Romas, Jr.

IPC分类号： H02H9/04

CPC分类号： H01L27/0266

摘要： Electrostatic discharge (ESD) protection circuits for self-protecting cascode stages are disclosed. In one example, an ESD protection circuit is described. A cascode stage is configured to selectively couple an output pad to a reference terminal. An ESD sensor may detect a change in voltage indicative of an ESD event occurring at the output pad, causing a gate drive to turn on the cascode stage to conduct ESD current in response to detection of the ESD event at the output pad. A leakage blocker is also included to prevent leakage current from the cascode stage to the gate drive while there is not an ESD event.

摘要翻译： 公开了用于自保护共源共栅级的静电放电（ESD）保护电路。 在一个示例中，描述了ESD保护电路。 共源共栅级被配置为选择性地将输出焊盘耦合到参考端子。 ESD传感器可以检测指示在输出焊盘处发生的ESD事件的电压变化，导致栅极驱动器响应于在输出焊盘处的ESD事件的检测而导通共源共栅级以导通ESD电流。 还包括泄漏阻塞器，以防止在没有ESD事件时从串联级到栅极驱动的泄漏电流。

公开(公告)号：US20100123985A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：US12274085

申请日：2008-11-19

申请人： Dening Wang ,  Yuan Gu ,  Lin Chen ,  Jonathan Scott Brodsky ,  Wei-Chung Wu ,  Wenliang Chen

发明人： Dening Wang ,  Yuan Gu ,  Lin Chen ,  Jonathan Scott Brodsky ,  Wei-Chung Wu ,  Wenliang Chen

IPC分类号： H02H9/04 ,  H03B1/00

CPC分类号： H02H9/046

摘要： Various apparatuses, methods and systems for protecting a driver from electrostatic discharge are disclosed herein. For example, some exemplary embodiments provide a driver, including a buffer, a leakage path blocking transistor connected to an output of the buffer, and an output driver connected to an output of the leakage path blocking transistor. Current from the output driver to the buffer is substantially blocked by the leakage path blocking transistor.

摘要翻译： 本文公开了用于保护驾驶员免受静电放电的各种装置，方法和系统。 例如，一些示例性实施例提供了包括缓冲器的驱动器，连接到缓冲器的输出的泄漏路径阻塞晶体管，以及连接到泄漏路径阻挡晶体管的输出的输出驱动器。 从输出驱动器到缓冲器的电流基本上被泄漏路径阻断晶体管阻挡。

公开(公告)号：US07595245B2

公开(公告)日：2009-09-29

申请号：US11202835

申请日：2005-08-12

申请人： Dening Wang

发明人： Dening Wang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/823828 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0266 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7833

摘要： The present invention provides a semiconductor device, a method of manufacture therefore and an integrated circuit including the same. The semiconductor device (300), without limitation, may include a gate electrode (320) having a gate length (l) and a gate width (w) located over a substrate (310) and a gate electrode material feature (330) located adjacent a gate width (w) side of the gate electrode (320). The semiconductor device (300) may further include a silicide region (350) located over the substrate (310) proximate a side of the gate electrode (320), the gate electrode material feature (330) breaking the silicided region (350) into multiple silicide portions (353, 355, 358).

摘要翻译： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法以及包括该半导体器件的集成电路。 半导体器件（300）（不限于此）可以包括栅极长度（l）和栅极宽度（w）位于衬底（310）上方的栅极（320）和位于邻近的栅电极材料特征（330） 栅极（320）的栅极宽度（w）侧。 所述半导体器件（300）还可以包括位于所述衬底（310）上方的靠近所述栅极（320）侧的硅化物区域（350），所述栅极电极材料特征（330）将所述硅化区域（350）分解成多个 硅化物部分（353,355,358）。

公开(公告)号：US07274545B2

公开(公告)日：2007-09-25

申请号：US11131105

申请日：2005-05-17

申请人： Steven Edward Marum ,  Dening Wang

发明人： Steven Edward Marum ,  Dening Wang

IPC分类号： H02H3/00

CPC分类号： H02H9/046

摘要： In a method and system for protecting a semiconductor device from an electrostatic discharge (ESD) event, an ESD tester generates an ESD event by providing an ESD test signal having a leading pulse and a trailing pulse. An ESD input of the device under test (DUT) receives the ESD test signal. An ESD protection circuit embedded in the DUT detects the ESD signal and asserts a trigger in response to the detection. The ESD protection circuit provides a leading discharge path to the leading pulse in response to detecting the ESD signal, thereby protecting the DUT during the leading pulse. In addition, the ESD protection circuit also provides a trailing discharge path to the trailing pulse in response to the trigger, thereby protecting the DUT during the trailing pulse.

摘要翻译： 在用于保护半导体器件免受静电放电（ESD）事件的方法和系统中，ESD测试器通过提供具有前导脉冲和后沿脉冲的ESD测试信号来产生ESD事件。 被测器件（DUT）的ESD输入接收ESD测试信号。 嵌入在DUT中的ESD保护电路检测ESD信号，并响应于检测确定触发。 ESD保护电路响应于检测到ESD信号而提供到引导脉冲的前导放电路径，从而在引导脉冲期间保护DUT。 此外，ESD保护电路还响应于触发而提供到拖尾脉冲的拖尾放电路径，从而在拖尾脉冲期间保护DUT。

公开(公告)号：US20090040678A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：US12186323

申请日：2008-08-05

申请人： Jinyu Yang ,  Dening Wang ,  Gregory George Romas, JR.

发明人： Jinyu Yang ,  Dening Wang ,  Gregory George Romas, JR.

IPC分类号： H02H3/22

CPC分类号： H01L27/0266

摘要： Electrostatic discharge (ESD) protection circuits for self-protecting cascode stages are disclosed. In one example, an ESD protection circuit is described. A cascode stage is configured to selectively couple an output pad to a reference terminal. An ESD sensor may detect a change in voltage indicative of an ESD event occurring at the output pad, causing a gate drive to turn on the cascode stage to conduct ESD current in response to detection of the ESD event at the output pad. A leakage blocker is also included to prevent leakage current from the cascode stage to the gate drive while there is not an ESD event.

摘要翻译： 公开了用于自保护共源共栅级的静电放电（ESD）保护电路。 在一个示例中，描述了ESD保护电路。 共源共栅级被配置为选择性地将输出焊盘耦合到参考端子。 ESD传感器可以检测指示在输出焊盘处发生的ESD事件的电压变化，导致栅极驱动器响应于在输出焊盘处的ESD事件的检测而导通共源共栅级以导通ESD电流。 还包括泄漏阻塞器，以防止在没有ESD事件时从串联级到栅极驱动的泄漏电流。

公开(公告)号：US20070034969A1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：US11202835

申请日：2005-08-12

申请人： Dening Wang

发明人： Dening Wang

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L21/823828 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0266 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7833

摘要： The present invention provides a semiconductor device, a method of manufacture therefore and an integrated circuit including the same. The semiconductor device (300), without limitation, may include a gate electrode (320) having a gate length (l) and a gate width (w) located over a substrate (310) and a gate electrode material feature (330) located adjacent a gate width (w) side of the gate electrode (320). The semiconductor device (300) may further include a silicide region (350) located over the substrate (310) proximate a side of the gate electrode (320), the gate electrode material feature (330) breaking the silicided region (350) into multiple silicide portions (353, 355, 358).

摘要翻译： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法以及包括该半导体器件的集成电路。 半导体器件（300）（不限于此）可以包括栅极长度（l）和栅极宽度（w）位于衬底（310）上方的栅极（320）和位于邻近的栅电极材料特征（330） 栅极（320）的栅极宽度（w）侧。 所述半导体器件（300）还可以包括位于所述衬底（310）上方的靠近所述栅极（320）侧的硅化物区域（350），所述栅极电极材料特征（330）将所述硅化区域（350）分解成多个 硅化物部分（353,355,358）。

公开(公告)号：US20060262470A1

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：US11131105

申请日：2005-05-17

申请人： Steven Marum ,  Dening Wang

发明人： Steven Marum ,  Dening Wang

IPC分类号： H02H9/00

CPC分类号： H02H9/046

摘要： In a method and system for protecting a semiconductor device from an electrostatic discharge (ESD) event, an ESD tester generates an ESD event by providing an ESD test signal having a leading pulse and a trailing pulse. An ESD input of the device under test (DUT) receives the ESD test signal. An ESD protection circuit embedded in the DUT detects the ESD signal and asserts a trigger in response to the detection. The ESD protection circuit provides a leading discharge path to the leading pulse in response to detecting the ESD signal, thereby protecting the DUT during the leading pulse. In addition, the ESD protection circuit also provides a trailing discharge path to the trailing pulse in response to the trigger, thereby protecting the DUT during the trailing pulse.

摘要翻译： 在用于保护半导体器件免受静电放电（ESD）事件的方法和系统中，ESD测试器通过提供具有前导脉冲和后沿脉冲的ESD测试信号来产生ESD事件。 被测器件（DUT）的ESD输入接收ESD测试信号。 嵌入在DUT中的ESD保护电路检测ESD信号，并响应于检测确定触发。 ESD保护电路响应于检测到ESD信号而提供到引导脉冲的前导放电路径，从而在引导脉冲期间保护DUT。 此外，ESD保护电路还响应于触发而提供到拖尾脉冲的拖尾放电路径，从而在拖尾脉冲期间保护DUT。