公开(公告)号：US07125321B2

公开(公告)日：2006-10-24

申请号：US11014889

申请日：2004-12-17

申请人： Matthew J Prince ,  Mansour Moinpour ,  Francis M Tambwe ,  Gary Ding

发明人： Matthew J Prince ,  Mansour Moinpour ,  Francis M Tambwe ,  Gary Ding

IPC分类号： B24B1/00

CPC分类号： H01L21/31053 ,  B24B27/0076 ,  B24B37/042

摘要： A multi-platen, multi-slurry chemical mechanical polishing method comprises providing a substrate having a surface that includes at least one nitride structure and an oxide layer atop the nitride structure, performing a first CMP process on the substrate using a first platen with a silica based slurry to remove a bulk portion of the oxide layer without exposing the nitride structure, performing a second CMP process on the substrate using a second platen with a ceria based slurry to remove a residual portion of the oxide layer and to expose at least a portion of the nitride structure, and performing a third CMP process on the substrate using the first platen with a silica based slurry to remove at least one defect caused by the ceria based slurry.

摘要翻译： 多压板多浆化学机械抛光方法包括提供具有包括至少一个氮化物结构和氮化物结构顶部的氧化物层的表面的衬底，使用具有二氧化硅的第一压板在衬底上进行第一CMP工艺 在不暴露氮化物结构的情况下去除氧化物层的主体部分，使用具有二氧化铈基浆料的第二压板在衬底上执行第二CMP工艺以除去氧化物层的残余部分并暴露至少一部分 的氮化物结构，并且使用具有二氧化硅基浆料的第一压板在衬底上进行第三CMP处理以除去由二氧化铈基浆料引起的至少一个缺陷。

公开(公告)号：US08975141B2

公开(公告)日：2015-03-10

申请号：US13563202

申请日：2012-07-31

申请人： Andy C. Wei ,  Bin Yang ,  Francis M. Tambwe

发明人： Andy C. Wei ,  Bin Yang ,  Francis M. Tambwe

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/11 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/7843

摘要： A method for fabricating a dual-workfunction FinFET structure includes depositing a first workfunction material in a layer in a plurality of trenches of the FinFET structure, depositing a low-resistance material layer over the first workfunction material layer, and etching the low-resistance material layer and the first workfunction material layer from a portion of the FinFET structure. The method further includes depositing a second workfunction material in a layer in a plurality of trenches of the portion and depositing a stress material layer over the second workfunction material layer.

摘要翻译： 一种用于制造双功函数FinFET结构的方法，包括在FinFET结构的多个沟槽中的层中沉积第一功函数材料，在第一功函数材料层上沉积低电阻材料层，以及蚀刻低电阻材料 层和来自FinFET结构的一部分的第一功函数材料层。 该方法还包括在该部分的多个沟槽中的层中沉积第二功函数材料，并在第二功函数材料层上沉积应力材料层。

公开(公告)号：US07166506B2

公开(公告)日：2007-01-23

申请号：US11015151

申请日：2004-12-17

申请人： Matthew J. Prince ,  Francis M. Tambwe ,  Chris E. Barns

发明人： Matthew J. Prince ,  Francis M. Tambwe ,  Chris E. Barns

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/31053 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A method of fabricating microelectronic structure using at least two material removal steps, such as for in a poly open polish process, is disclosed. In one embodiment, the first removal step may be chemical mechanical polishing (CMP) step utilizing a slurry with high selectivity to an interlevel dielectric layer used relative to an etch stop layer abutting a transistor gate. This allows the first CMP step to stop after contacting the etch stop layer, which results in substantially uniform “within die”, “within wafer”, and “wafer to wafer” topography. The removal step may expose a temporary component, such as a polysilicon gate within the transistor gate structure. Once the polysilicon gate is exposed other processes may be employed to produce a transistor gate having desired properties.

摘要翻译： 公开了一种使用至少两种材料去除步骤制造微电子结构的方法，例如在多孔开式抛光工艺中。 在一个实施例中，第一去除步骤可以是利用相对于邻接晶体管栅极的蚀刻停止层使用的层间介电层具有高选择性的浆料的化学机械抛光（CMP）步骤。 这允许第一CMP步骤在接触蚀刻停止层之后停止，这导致基本上均匀的“在晶片内”，“在晶片内”和“晶片到晶片”形态。 去除步骤可以暴露诸如晶体管栅极结构内的多晶硅栅极的临时元件。 一旦多晶硅栅极被暴露，可以采用其它工艺来产生具有期望特性的晶体管栅极。

公开(公告)号：US20140038402A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：US13563202

申请日：2012-07-31

申请人： Andy C. Wei ,  Bin Yang ,  Francis M. Tambwe

发明人： Andy C. Wei ,  Bin Yang ,  Francis M. Tambwe

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L27/11 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/7843

摘要： A method for fabricating a dual-workfunction FinFET structure includes depositing a first workfunction material in a layer in a plurality of trenches of the FinFET structure, depositing a low-resistance material layer over the first workfunction material layer, and etching the low-resistance material layer and the first workfunction material layer from a portion of the FinFET structure. The method further includes depositing a second workfunction material in a layer in a plurality of trenches of the portion and depositing a stress material layer over the second workfunction material layer.

摘要翻译： 一种用于制造双功函数FinFET结构的方法，包括在FinFET结构的多个沟槽中的层中沉积第一功函数材料，在第一功函数材料层上沉积低电阻材料层，以及蚀刻低电阻材料 层和来自FinFET结构的一部分的第一功函数材料层。 该方法还包括在该部分的多个沟槽中的层中沉积第二功函数材料，并在第二功函数材料层上沉积应力材料层。