公开(公告)号：US20070076833A1

公开(公告)日：2007-04-05

申请号：US10570612

申请日：2004-09-06

申请人： Hans Becker ,  Ute Buttgereit ,  Guenter Hess ,  Oliver Zberger ,  Frank Schmidt ,  Frank Sobel ,  Markus Renno

发明人： Hans Becker ,  Ute Buttgereit ,  Guenter Hess ,  Oliver Zberger ,  Frank Schmidt ,  Frank Sobel ,  Markus Renno

IPC分类号： H04L23/00

CPC分类号： G03F1/30 ,  C23C14/10 ,  C23C14/14 ,  C23C14/46 ,  G03F1/32 ,  G03F1/54 ,  G03F1/68

摘要： The present invention relates to embedded attenuated phase shift mask blanks for use in lithography for an exposure wavelength of 300 nm or less, and a method of fabricating such mask blanks by ion beam deposition. In particular, the mask blanks comprise a substrate and a thin film system wherein the thin film system comprises a transmission control sublayer comprising one or more metals or metal compounds selected from the group consisting of Mg, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn, Ge, Sn, Pb, oxides, nitrides, borides and carbides thereof, and combinations of metals and compounds thereof; and a phase shift control sublayer comprising borides, carbides, oxides and/or nitrides of Ge, Si and/or Al or combinations thereof.

摘要翻译： 本发明涉及用于300nm或更小的曝光波长的光刻的嵌入式衰减相移掩模毛坯，以及通过离子束沉积制造这种掩模毛坯的方法。 特别地，掩模坯料包括基底和薄膜系统，其中薄膜系统包括透射控制子层，其包含一种或多种选自Mg，Y，La，Ti，Zr，Hf的金属或金属化合物， V，Nb，Ta，Cr，Mo，W，Mn，Fe，Co，Ni，Zn，Ge，Sn，Pb，氧化物，氮化物，硼化物和碳化物，以及金属及其化合物的组合; 以及包括Ge，Si和/或Al的硼化物，碳化物，氧化物和/或氮化物或其组合的相移控制子层。

公开(公告)号：US20050260504A1

公开(公告)日：2005-11-24

申请号：US11101654

申请日：2005-04-08

申请人： Hans Becker ,  Ute Buttgereit ,  Guenter Hess ,  Oliver Goetzberger ,  Frank Schmidt ,  Frank Sobel ,  Markus Renno

发明人： Hans Becker ,  Ute Buttgereit ,  Guenter Hess ,  Oliver Goetzberger ,  Frank Schmidt ,  Frank Sobel ,  Markus Renno

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F1/08 ,  G03F1/16

CPC分类号： G03F1/30 ,  G03F1/32

摘要： A mask blank and photomask for exposure light having a wavelength of 300 nm or is less described having an improved chemical durability in particular with respect to alkaline cleaning procedures. In particular, a mask blank and photomask comprise an additional ultra thin protection layer provided on a silicon and/or aluminum containing layer.

摘要翻译： 具有波长为300nm或更少描述的曝光光的掩模空白和光掩模具有改善的化学耐久性，特别是对于碱性清洁程序。 特别地，掩模坯料和光掩模包括设置在含硅和/或含铝层上的额外的超薄保护层。

公开(公告)号：US20050020087A1

公开(公告)日：2005-01-27

申请号：US10829392

申请日：2004-04-22

申请人： Hermann Wagner ,  Bernd Beier ,  Mario Schiffler ,  Guenter Hess ,  Peter Rudakoff ,  Bernd Hoetzel

发明人： Hermann Wagner ,  Bernd Beier ,  Mario Schiffler ,  Guenter Hess ,  Peter Rudakoff ,  Bernd Hoetzel

IPC分类号： B23K26/40 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01S3/08 ,  H01L21/311

CPC分类号： B23K26/0823 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/361 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  G03F7/2028

摘要： The invention relates to a method and an apparatus for removing an edge region of a layer applied to a substrate and for coating a substrate, in particular, with a photoresist layer. Furthermore, the present invention relates to a substrate, onto which a layer, in particular, a photoresist layer for use in a microlithographic process, is applied, wherein an edge region of the layer is removed according to the invention. In the method, a laser beam is imaged onto the edge region, and the edge region is removed by the laser beam. In this manner, the edge region can be removed reliably and precisely, without damage to or contamination of regions of the layer which are not to be removed.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于去除施加到基底上的层的边缘区域并用于涂覆基底，特别是用光致抗蚀剂层的方法和装置。 此外，本发明涉及一种衬底，其上施加了特别是用于微光刻工艺的光致抗蚀剂层的层，其中根据本发明去除了该层的边缘区域。 在该方法中，将激光束成像到边缘区域，并且通过激光束去除边缘区域。 以这种方式，可以可靠且精确地移除边缘区域，而不会损坏或污染不被去除的层的区域。

公开(公告)号：US20060115744A1

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：US11198387

申请日：2005-08-08

申请人： Lutz Aschke ,  Frank Sobel ,  Guenter Hess ,  Hans Becker ,  Markus Renno ,  Frank Schmidt ,  Oliver Goetzberger

发明人： Lutz Aschke ,  Frank Sobel ,  Guenter Hess ,  Hans Becker ,  Markus Renno ,  Frank Schmidt ,  Oliver Goetzberger

IPC分类号： G03F1/00 ,  B05D1/04 ,  B32B9/00 ,  B32B17/10 ,  B32B17/06

CPC分类号： G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/38 ,  G03F1/40 ,  Y10T428/31616

摘要： The invention relates to a method of producing a mask blank (1) for photolithographic applications, particularly in EUV lithography, comprising the steps of: providing a substrate (2) which has a front side (4) and a rear side (3); depositing an electrically conductive layer (5) on the rear side of the substrate; depositing a coating on the front side of the substrate, wherein the coating comprises at least a first layer (6) and a second layer (9); and structuring the coating (6, 9) for photolithographic applications; wherein a respective handling area (22; 22a-22c) is formed on the front side (4) at least at one predefined location, said handling area not being structured for photolithographic applications and being designed for the handling of the mask blank (1) by means of a mechanical clamp or handling device, and wherein the first layer (6) is exposed in the respective handling area (22; 22a-22c) so that, when the mask blank (1) is handled from the front side, the mechanical clamp or handling device bears against the first layer (6). The invention furthermore relates to a corresponding mask blank.

摘要翻译： 本发明涉及一种制备用于光刻应用的掩模板（1）的方法，特别是在EUV光刻中，包括以下步骤：提供具有前侧（4）和后侧（3）的基板（2） 在所述衬底的后侧上沉积导电层（5）; 在所述基底的正面上沉积涂层，其中所述涂层至少包括第一层（6）和第二层（9）; 并构造用于光刻应用的涂层（6,9）; 其中至少在一个预定位置处在前侧（4）上形成相应的操作区域（22; 22a-22c），所述操作区域不被构造用于光刻应用并且被设计用于处理掩模坯料（ 1）通过机械夹具或处理装置，并且其中第一层（6）暴露在相应的处理区域（22; 22a-22c）中，使得当掩模坯料（1）从 前侧，机械夹具或处理装置抵靠第一层（6）。 本发明还涉及相应的掩模坯料。

公开(公告)号：US20060008749A1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：US10885898

申请日：2004-07-08

申请人： Frank Sobel ,  Lutz Aschke ,  Guenter Hess ,  Hans Becker ,  Markus Renno ,  Frank Schmidt ,  Oliver Goetzberger

发明人： Frank Sobel ,  Lutz Aschke ,  Guenter Hess ,  Hans Becker ,  Markus Renno ,  Frank Schmidt ,  Oliver Goetzberger

IPC分类号： B32B17/06 ,  B32B9/00 ,  G03C5/00 ,  B32B15/00 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/0052 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/46 ,  G03F1/38

摘要： The invention relates to a method for manufacturing of a mask blank for extreme ultraviolet (EUV) photolithography, comprising the steps of: providing a substrate having a front surface and a back surface; depositing a film comprising tantalum nitride (TaN) on said front surface of said substrate for absorbing EUV light used during a photolithographic process; and depositing a conductive coating on said back surface of said substrate. Preferably, ion beam sputtering is used for depositing the film comprising tantalum nitride (TaN) and/or the conductive coating on the back surface of the substrate. Preferably, Xenon is used as a sputter gas for ion beam sputtering. Another aspect of the present invention relates to a mask blank for extreme ultraviolet (EUV) photolithography.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造用于极紫外（EUV）光刻的掩模坯料的方法，包括以下步骤：提供具有前表面和后表面的基板; 在所述衬底的前表面上沉积包含氮化钽（TaN）的膜，以吸收在光刻过程中使用的EUV光; 以及在所述衬底的所述背表面上沉积导电涂层。 优选地，离子束溅射用于在衬底的背面上沉积包含氮化钽（TaN）和/或导电涂层的膜。 优选地，氙被用作用于离子束溅射的溅射气体。 本发明的另一方面涉及一种用于极紫外（EUV）光刻的掩模板。

公开(公告)号：US20050190450A1

公开(公告)日：2005-09-01

申请号：US11040115

申请日：2005-01-24

申请人： Hans Becker ,  Frank Schmidt ,  Oliver Goetzberger ,  Guenter Hess ,  Ute Buttgereit ,  Frank Sobel ,  Markus Renno

发明人： Hans Becker ,  Frank Schmidt ,  Oliver Goetzberger ,  Guenter Hess ,  Ute Buttgereit ,  Frank Sobel ,  Markus Renno

IPC分类号： H01L21/027 ,  C03C17/34 ,  C23C16/455 ,  G03F1/00 ,  G03F1/08 ,  G02B27/00

CPC分类号： C03C17/34 ,  C03C2218/328 ,  C03C2218/33 ,  G03F1/26 ,  G03F1/32 ,  G03F1/54 ,  G03F1/68 ,  G03F1/80

摘要： The present invention relates to phase shift mask blanks for exposure wavelength of less than 300 nm, a process for their preparation, to phase shift masks manufactured by such phase shift mask blanks and a process for the preparation of said phase shift masks.

摘要翻译： 本发明涉及用于曝光波长小于300nm的相移掩模毛坯，其制备方法，由这种相移掩模毛坯制造的相移掩模和用于制备所述相移掩模的方法。