公开(公告)号：US20100266489A1

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：US12738246

申请日：2008-08-20

申请人： Hartwig Rauleder ,  Ekkehard Mueh ,  Jaroslaw Monkiewicz ,  Hans Juergen Hoene ,  Raymund Sonnenschein

发明人： Hartwig Rauleder ,  Ekkehard Mueh ,  Jaroslaw Monkiewicz ,  Hans Juergen Hoene ,  Raymund Sonnenschein

IPC分类号： C01B33/107 ,  C01B39/02 ,  C08J5/20 ,  C01B33/20 ,  C01B31/08 ,  B01J20/10 ,  C07F7/08

CPC分类号： C01B33/046 ,  B01D53/02 ,  B01D2253/108 ,  C01B33/10784

摘要： The invention relates to a method for the treatment of a composition containing inorganic silanes and at least one foreign metal and/or a compound containing a foreign metal, wherein the composition is brought in contact with at least one adsorption agent, and for obtaining the composition, in which the content of foreign metal and/or of a compound containing a foreign metal is reduced, and to a corresponding composition having a reduced foreign metal content, and further to the use of organic resins, activated carbons, silicates, and/or zeolites for the reduction of foreign metals and/or compounds containing foreign metals in compositions of inorganic silanes.

摘要翻译： 本发明涉及一种处理包含无机硅烷和至少一种外来金属和/或含有外来金属的化合物的组合物的方法，其中所述组合物与至少一种吸附剂接触，并且用于获得组合物 ，其中外来金属和/或含有外来金属的化合物的含量降低，并且降低了外来金属含量降低的相应组合物，并且还使用有机树脂，活性炭，硅酸盐和/或 用于在无机硅烷组合物中还原外来金属和/或含有外来金属的化合物的沸石。

公开(公告)号：US08697021B2

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：US10586369

申请日：2005-03-10

申请人： Klaus Bohmhammel ,  Sven Koether ,  Gerhard Roewer ,  Ingo Roever ,  Jaroslaw Monkiewicz ,  Hans-Juergen Hoene

发明人： Klaus Bohmhammel ,  Sven Koether ,  Gerhard Roewer ,  Ingo Roever ,  Jaroslaw Monkiewicz ,  Hans-Juergen Hoene

IPC分类号： C01B33/107

CPC分类号： C01B33/1071

摘要： The invention relates to a process for the catalytic hydrodehalogenation of SiCl4 to form HSiCl3, which comprises bringing a gaseous feed mixture comprising hydrogen and silicon tetrachloride into direct contact with at least one heating element of a resistance heating device, with the heating element being composed of a metal or a metal alloy and being heated to carry out the reaction.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于催化加氢脱卤SiCl4以形成HSiCl 3的方法，其包括使包含氢和四氯化硅的气态进料混合物与电阻加热装置的至少一个加热元件直接接触，加热元件由 金属或金属合金，并被加热以进行反应。

公开(公告)号：US20090035205A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：US10584466

申请日：2005-03-01

申请人： Klaus Bohmhammel ,  Sven Koether ,  Gerhard Roewer ,  Ingo Roever ,  Jaroslaw Monkiewicz ,  Hans-Juergen Hoene

发明人： Klaus Bohmhammel ,  Sven Koether ,  Gerhard Roewer ,  Ingo Roever ,  Jaroslaw Monkiewicz ,  Hans-Juergen Hoene

IPC分类号： C01B33/107

CPC分类号： C01B33/1071

摘要： The invention relates to a process for the catalytic hydrodehalogenation of SiCl4 to HSiCl3 in the presence of hydrogen, in which at least one metal or metal salt selected from among the elements of main group 2 of the Periodic Table of the Elements (PTE) is used as catalyst at a temperature in the range from 300 to 1 000° C. In particular, the catalyst is a metal or metal salt which forms stable metal chlorides under these conditions.

摘要翻译： 本发明涉及在氢存在下将SiCl 4催化加氢脱卤至HSiCl 3的方法，其中使用选自元素周期表（PTE）的主族2的元素中的至少一种金属或金属盐 作为催化剂在300至1000℃的温度范围内。特别地，催化剂是在这些条件下形成稳定的金属氯化物的金属或金属盐。

公开(公告)号：US20080289690A1

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：US12097645

申请日：2006-12-07

申请人： Raymund Sonnenschein ,  Hartwig Rauleder ,  Hans Juergen Hoene ,  Stefan Reber ,  Norbert Schillinger

发明人： Raymund Sonnenschein ,  Hartwig Rauleder ,  Hans Juergen Hoene ,  Stefan Reber ,  Norbert Schillinger

IPC分类号： H01L31/0264 ,  H01L31/18 ,  C23C16/42

CPC分类号： H01L31/03921 ,  C23C16/24 ,  H01L31/04 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

摘要： The present invention relates to a process for producing a silicon film on a substrate surface by vapor deposition, starting from a silicon-based precursor, characterized in that the precursor used is silicon tetrachloride. The present invention also relates to thin-film solar cells or crystalline silicon thin-film solar cells obtainable by the process according to the invention. The invention also relates to the use of silicon tetrachloride for producing a film deposited on a substrate from the vapor phase.

摘要翻译： 本发明涉及从硅系前驱体开始，通过气相沉积在基板表面上制造硅膜的方法，其特征在于所用的前体是四氯化硅。 本发明还涉及通过本发明的方法获得的薄膜太阳能电池或晶体硅薄膜太阳能电池。 本发明还涉及使用四氯化硅来制造从气相沉积在基材上的膜。