公开(公告)号：US07465522B2

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：US10487911

申请日：2002-07-30

申请人： Lothar Bauch ,  Gerhard Kunkel ,  Hermann Sachse ,  Helmut Wurzer

发明人： Lothar Bauch ,  Gerhard Kunkel ,  Hermann Sachse ,  Helmut Wurzer

IPC分类号： G03F1/08 ,  G03F1/14

CPC分类号： G03F1/30

摘要： A photolithographic mask having half tone main features and perpendicular half tone assist features. One embodiment provides for the exposure of radiation-sensitive resist layers on semiconductor substrates. The mask has at least one radiation-transmissive substrate and at least one half-tone layer. The half-tone layer is used to provide main features, the main features being formed in such a way that the pattern formed by the main features is transferred into the resist layer when irradiated, and the half-tone layer is also used to provide assist features, the assist features being formed substantially perpendicular to the main features in such a way that the pattern formed by the assist features is not transferred into the resist layer when irradiated.

摘要翻译： 具有半色调主要特征和垂直半色调辅助功能的光刻掩模。 一个实施例提供了辐射敏感抗蚀剂层在半导体衬底上的曝光。 掩模具有至少一个辐射透射基底和至少一个半色调层。 半色调层用于提供主要特征，其主要特征是这样一种方式形成：当被照射时，由主要特征形成的图案被转移到抗蚀剂层中，半色调层也用于提供辅助 特征是辅助特征基本上垂直于主要特征形成，使得由辅助特征形成的图案在照射时不会转移到抗蚀剂层中。

公开(公告)号：US20080026530A1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：US11493028

申请日：2006-07-26

申请人： Tobias Mono ,  Frank Jakubowski ,  Hermann Sachse ,  Lars Voelkel ,  Klaus-Dieter Morhard ,  Dietmar Henke

发明人： Tobias Mono ,  Frank Jakubowski ,  Hermann Sachse ,  Lars Voelkel ,  Klaus-Dieter Morhard ,  Dietmar Henke

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/823412 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/1045

摘要： A method of forming a doped portion of a semiconductor substrate includes: defining a plurality of protruding portions on the substrate surface, the protruding portions having a minimum height; providing a pattern layer above the substrate surface; removing portions of the pattern layer from predetermined substrate portions; performing an ion implantation procedure such that an angle of the ions with respect to the substrate surface is less than 90°, wherein the ions are stopped by the pattern layer and by the protruding portions, the predetermined substrate portions thereby being doped with the ions; and removing the pattern layer.

摘要翻译： 形成半导体衬底的掺杂部分的方法包括：在衬底表面上限定多个突起部分，突出部分具有最小高度; 在衬底表面上提供图案层; 从预定的基板部分去除图案层的部分; 执行离子注入过程，使得离子相对于衬底表面的角度小于90°，​​其中离子被图案层和突出部分停止，因此预定的衬底部分被掺杂了离子; 并去除图案层。

公开(公告)号：US06753236B2

公开(公告)日：2004-06-22

申请号：US10233686

申请日：2002-09-03

申请人： Klaus Feldner ,  Werner Graf ,  Albrecht Kieslich ,  Hermann Sachse

发明人： Klaus Feldner ,  Werner Graf ,  Albrecht Kieslich ,  Hermann Sachse

IPC分类号： H01L2176

CPC分类号： H01L21/31055 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/10844

摘要： A method for planarizing the surface of an isolating layer that is deposited on a semiconductor body is described. Zones where the isolating layer has a low level are covered with a block mask in order to be able to selectively etch zones of the isolating layer with a higher level.

摘要翻译： 描述了沉积在半导体本体上的隔离层的表面的平坦化方法。 隔离层具有低电平的区域被块掩模覆盖，以便能够以更高的电平选择性地蚀刻隔离层的区域。

公开(公告)号：US06849364B2

公开(公告)日：2005-02-01

申请号：US10226743

申请日：2002-08-23

申请人： Albrecht Kieslich ,  Hermann Sachse

发明人： Albrecht Kieslich ,  Hermann Sachse

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A mask for fabricating semiconductor components contains first transparent regions and second transparent regions. The second regions are laid out such that they do not act on the regions of the photoresist directly beneath them in the exposure of the photoresist through the mask. The transparent regions define a size and a shape of structures to be formed.

摘要翻译： 用于制造半导体部件的掩模包含第一透明区域和第二透明区域。 第二区域布置成使得它们在通过掩模曝光光致抗蚀剂时不直接作用在其下的光刻胶的区域上。 透明区域限定要形成的结构的尺寸和形状。

公开(公告)号：US07618867B2

公开(公告)日：2009-11-17

申请号：US11493028

申请日：2006-07-26

申请人： Tobias Mono ,  Frank Jakubowski ,  Hermann Sachse ,  Lars Voelkel ,  Klaus-Dieter Morhard ,  Dietmar Henke

发明人： Tobias Mono ,  Frank Jakubowski ,  Hermann Sachse ,  Lars Voelkel ,  Klaus-Dieter Morhard ,  Dietmar Henke

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/425 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L21/823412 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/1045

摘要： A method of forming a doped portion of a semiconductor substrate includes: defining a plurality of protruding portions on the substrate surface, the protruding portions having a minimum height; providing a pattern layer above the substrate surface; removing portions of the pattern layer from predetermined substrate portions; performing an ion implantation procedure such that an angle of the ions with respect to the substrate surface is less than 90°, wherein the ions are stopped by the pattern layer and by the protruding portions, the predetermined substrate portions thereby being doped with the ions; and removing the pattern layer.

摘要翻译： 形成半导体衬底的掺杂部分的方法包括：在衬底表面上限定多个突出部分，突出部分具有最小高度; 在衬底表面上提供图案层; 从预定的基板部分去除图案层的部分; 执行离子注入过程，使得离子相对于衬底表面的角度小于90°，​​其中离子被图案层和突出部分停止，因此预定的衬底部分被掺杂了离子; 并去除图案层。