公开(公告)号：US20080070485A1

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：US11532090

申请日：2006-09-14

申请人： Chien-Hsuan Chen ,  Ho-Da Jiang ,  Chih-Yueh Li ,  Chih-Chin Yang ,  Cheng-Hsun Wu

发明人： Chien-Hsuan Chen ,  Ho-Da Jiang ,  Chih-Yueh Li ,  Chih-Chin Yang ,  Cheng-Hsun Wu

IPC分类号： B24B1/00

CPC分类号： B24B53/017 ,  B24B37/042

摘要： A chemical mechanical polishing (CMP) process at least includes a polishing step and an ex-situ conditioning step, and the ex-situ conditioning step must be immediately performed after the polishing step. Therefore, it can save the process time. Furthermore, when applying to a CMP apparatus with several polishing regions, it can integrate these polishing regions having different polishing time in order to shorten total manufacturing time, thereby improving throughput.

摘要翻译： 化学机械抛光（CMP）工艺至少包括抛光步骤和非原位调节步骤，并且必须在抛光步骤之后立即进行外部位置调节步骤。 因此，可以节省处理时间。 此外，当施加到具有多个抛光区域的CMP装置时，可以将具有不同抛光时间的这些抛光区域整合，以缩短总制造时间，从而提高生产量。