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    CMP PROCESS
    2.
    发明申请
    CMP PROCESS 有权
    CMP工艺

    公开(公告)号：US20070259525A1

    公开(公告)日：2007-11-08

    申请号：US11308794

    申请日：2006-05-05

    申请人： Chih-Yueh Li ,  Kai-Chun Yang ,  Tzu-Yi Chuang ,  Chien-Hsuan Chen ,  Min-Hao Yeh

    发明人： Chih-Yueh Li ,  Kai-Chun Yang ,  Tzu-Yi Chuang ,  Chien-Hsuan Chen ,  Min-Hao Yeh

    IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/7684 ,  B24B37/0056 ,  B24B37/042 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  Y10T156/1056

    摘要： A CMP process is provided. A first polishing process on a wafer is performed using a first hard polishing pad with a first slurry. Then, a buffering process on the wafer is performed using a soft polishing pad with a cleaning agent to buffer the pH value in the first polishing process and to remove at least portion of the first slurry and the cleaning agent by the contact with the first soft polishing pad simultaneously. Thereafter, a second polishing process on the wafer is performed using a second hard polishing pad with a second slurry such that the pH value after the buffering process is between the pH value in the first polishing process and the pH value in the second polishing process. The method can avoid the scratch issue of wafer surface by particles resulting from pH shock and cross contamination.

    摘要翻译： 提供CMP工艺。 使用具有第一浆料的第一硬质抛光垫进行晶片上的第一抛光工艺。 然后，使用具有清洁剂的软抛光垫进行晶片上的缓冲处理，以缓冲第一抛光工艺中的pH值，并且通过与第一软件的接触来去除第一浆料和清洁剂的至少一部分 抛光垫同时。 此后，使用具有第二浆料的第二硬质抛光垫进行晶片上的第二抛光工艺，使得缓冲过程之后的pH值在第一抛光工艺中的pH值和第二抛光工艺中的pH值之间。 该方法可以避免由pH冲击和交叉污染引起的颗粒对晶片表面的划痕问题。

    Bevel etcher
    3.
    发明授权
    Bevel etcher 有权
    斜角蚀刻机

    公开(公告)号：US09136105B2

    公开(公告)日：2015-09-15

    申请号：US12164109

    申请日：2008-06-30

    申请人： Tai-Heng Yu ,  Chih-Yueh Li

    发明人： Tai-Heng Yu ,  Chih-Yueh Li

    IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

    CPC分类号： H01L21/02021 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/68735

    摘要： The wafer bevel etching apparatus of the present invention includes a wafer-protecting mask to cover parts of a wafer. A central region and a wafer bevel region surrounding the central region are defined on the wafer. The wafer-protecting mask includes a center sheltering region and at least one wafer bevel sheltering region. The center sheltering region can completely shelter the central region of the wafer, and the wafer bevel sheltering region extends from the outside edge of the center sheltering region, shelters parts of the wafer bevel region, and exposes the other parts of the wafer bevel region.

    摘要翻译： 本发明的晶片斜面蚀刻装置包括用于覆盖晶片的部分的晶片保护掩模。 在晶片上限定了围绕中心区域的中心区域和晶片斜面区域。 晶片保护掩模包括中心遮蔽区域和至少一个晶片斜面遮蔽区域。 中心遮蔽区可以完全遮蔽晶片的中心区域，并且晶片斜面遮蔽区域从中心遮蔽区域的外边缘延伸，晶片斜面区域的遮蔽部分露出晶片斜面区域的其他部分。

    BEVEL ETCHER AND THE RELATED METHOD OF FLATTENING A WAFER
    4.
    发明申请
    BEVEL ETCHER AND THE RELATED METHOD OF FLATTENING A WAFER 有权
    水平蚀刻器和相关的平铺方法

    公开(公告)号：US20090325382A1

    公开(公告)日：2009-12-31

    申请号：US12164109

    申请日：2008-06-30

    申请人： Tai-Heng Yu ,  Chih-Yueh Li

    发明人： Tai-Heng Yu ,  Chih-Yueh Li

    IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/308

    CPC分类号： H01L21/02021 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/68735

    摘要： The wafer bevel etching apparatus of the present invention includes a wafer-protecting mask to cover parts of a wafer. A central region and a wafer bevel region surrounding the central region are defined on the wafer. The wafer-protecting mask includes a center sheltering region and at least one wafer bevel sheltering region. The center sheltering region can completely shelter the central region of the wafer, and the wafer bevel sheltering region extends from the outside edge of the center sheltering region, shelters parts of the wafer bevel region, and exposes the other parts of the wafer bevel region.

    摘要翻译： 本发明的晶片斜面蚀刻装置包括用于覆盖晶片的部分的晶片保护掩模。 在晶片上限定了围绕中心区域的中心区域和晶片斜面区域。 晶片保护掩模包括中心遮蔽区域和至少一个晶片斜面遮蔽区域。 中心遮蔽区可以完全遮蔽晶片的中心区域，并且晶片斜面遮蔽区域从中心遮蔽区域的外边缘延伸，晶片斜面区域的遮蔽部分露出晶片斜面区域的其他部分。

    CMP process
    5.
    发明授权
    CMP process 有权
    CMP工艺

    公开(公告)号：US07510974B2

    公开(公告)日：2009-03-31

    申请号：US11308794

    申请日：2006-05-05

    申请人： Chih-Yueh Li ,  Kai-Chun Yang ,  Tzu-Yi Chuang ,  Chien-Hsuan Chen ,  Min-Hao Yeh

    发明人： Chih-Yueh Li ,  Kai-Chun Yang ,  Tzu-Yi Chuang ,  Chien-Hsuan Chen ,  Min-Hao Yeh

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/7684 ,  B24B37/0056 ,  B24B37/042 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  Y10T156/1056

    摘要： A CMP process is provided. A first polishing process on a wafer is performed using a first hard polishing pad with a first slurry. Then, a buffering process on the wafer is performed using a soft polishing pad with a cleaning agent to buffer the pH value in the first polishing process and to remove at least portion of the first slurry and the cleaning agent by the contact with the first soft polishing pad simultaneously. Thereafter, a second polishing process on the wafer is performed using a second hard polishing pad with a second slurry such that the pH value after the buffering process is between the pH value in the first polishing process and the pH value in the second polishing process. The method can avoid the scratch issue of wafer surface by particles resulting from pH shock and cross contamination.

    摘要翻译： 提供CMP工艺。 使用具有第一浆料的第一硬质抛光垫进行晶片上的第一抛光工艺。 然后，使用具有清洁剂的软抛光垫进行晶片上的缓冲处理，以缓冲第一抛光工艺中的pH值，并且通过与第一软件的接触来去除第一浆料和清洁剂的至少一部分 抛光垫同时。 此后，使用具有第二浆料的第二硬质抛光垫进行晶片上的第二抛光工艺，使得缓冲过程之后的pH值在第一抛光工艺中的pH值和第二抛光工艺中的pH值之间。 该方法可以避免由pH冲击和交叉污染导致的颗粒对晶片表面的划痕问题。

    METHOD FOR CLEANING SURFACE CONTAINING Cu
    7.
    发明申请
    METHOD FOR CLEANING SURFACE CONTAINING Cu 审中-公开
    清洗含Cu表面的方法

    公开(公告)号：US20110189855A1

    公开(公告)日：2011-08-04

    申请号：US12699071

    申请日：2010-02-03

    申请人： Jen-Chieh Lin ,  Kai-Chun Yang ,  Chih-Yueh Li ,  Geng-Yu Fan ,  Jeng-Yu Fang ,  Teng-Chun Tsai ,  Chia-Lin Hsu

    发明人： Jen-Chieh Lin ,  Kai-Chun Yang ,  Chih-Yueh Li ,  Geng-Yu Fan ,  Jeng-Yu Fang ,  Teng-Chun Tsai ,  Chia-Lin Hsu

    IPC分类号： H01L21/306

    CPC分类号： H01L21/306

    摘要： A method for cleaning a surface is disclosed. First, a substrate including Cu and a barrier layer is provided. Second, a first chemical mechanical polishing procedure is performed on the substrate. Then, a second chemical mechanical polishing procedure is performed on the barrier layer. The second chemical mechanical polishing procedure includes performing a main chemical mechanical polishing procedure to partially remove the barrier layer and performing a chemical buffing procedure on the substrate using a chemical solution which has a pH value of about 6 to about 8 to remove residues on the substrate after the main chemical mechanical polishing procedure. Later, a water rinsing procedure is performed on the substrate. Afterwards, a post clean procedure is performed on the substrate after the second chemical mechanical polishing procedure.

    摘要翻译： 公开了一种清洁表面的方法。 首先，提供包含Cu和阻挡层的基板。 其次，在基板上进行第一化学机械抛光工序。 然后，在阻挡层上进行第二化学机械抛光工序。 第二化学机械抛光方法包括执行主要的化学机械抛光方法以部分去除阻挡层并使用pH值为约6至约8的化学溶液在基底上进行化学抛光过程以去除基底上的残留物 经过主要的化学机械抛光程序。 之后，在基板上进行水洗工序。 之后，在第二化学机械抛光程序之后，在基板上执行后清洁程序。

    CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PROCESS
    8.
    发明申请
    CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PROCESS 审中-公开
    化学机械抛光工艺

    公开(公告)号：US20080070485A1

    公开(公告)日：2008-03-20

    申请号：US11532090

    申请日：2006-09-14

    申请人： Chien-Hsuan Chen ,  Ho-Da Jiang ,  Chih-Yueh Li ,  Chih-Chin Yang ,  Cheng-Hsun Wu

    发明人： Chien-Hsuan Chen ,  Ho-Da Jiang ,  Chih-Yueh Li ,  Chih-Chin Yang ,  Cheng-Hsun Wu

    IPC分类号： B24B1/00

    CPC分类号： B24B53/017 ,  B24B37/042

    摘要： A chemical mechanical polishing (CMP) process at least includes a polishing step and an ex-situ conditioning step, and the ex-situ conditioning step must be immediately performed after the polishing step. Therefore, it can save the process time. Furthermore, when applying to a CMP apparatus with several polishing regions, it can integrate these polishing regions having different polishing time in order to shorten total manufacturing time, thereby improving throughput.

    摘要翻译： 化学机械抛光（CMP）工艺至少包括抛光步骤和非原位调节步骤，并且必须在抛光步骤之后立即进行外部位置调节步骤。 因此，可以节省处理时间。 此外，当施加到具有多个抛光区域的CMP装置时，可以将具有不同抛光时间的这些抛光区域整合，以缩短总制造时间，从而提高生产量。

    METHOD OF REMOVING INSULATING LAYER ON SUBSTRATE
    9.
    发明申请
    METHOD OF REMOVING INSULATING LAYER ON SUBSTRATE 审中-公开
    在基板上去除绝缘层的方法

    公开(公告)号：US20080261402A1

    公开(公告)日：2008-10-23

    申请号：US11736006

    申请日：2007-04-17

    申请人： Chan Lu ,  Teng-Chun Tsai ,  Chih-Yueh Li ,  Kai-Gin Yang ,  Chien-Chung Huang ,  Chia-Hsi Chen ,  Tzu-Hui Wu

    发明人： Chan Lu ,  Teng-Chun Tsai ,  Chih-Yueh Li ,  Kai-Gin Yang ,  Chien-Chung Huang ,  Chia-Hsi Chen ,  Tzu-Hui Wu

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/31053 ,  H01L21/02065

    摘要： A method of removing an insulating layer on a substrate is described, including a first CMP process and a second CMP process performed in sequence, wherein the polishing slurry used in the first CMP process and that used in the second CMP process have substantially the same pH value that exceeds 7.0. A cleaning step is conducted between the first and the second CMP processes to remove a specific substance which would otherwise cause undesired particles to form in the second CMP process.

    摘要翻译： 描述了去除衬底上的绝缘层的方法，包括依次执行的第一CMP工艺和第二CMP工艺，其中在第一CMP工艺中使用的抛光浆料和在第二CMP工艺中使用的抛光浆料具有基本上相同的pH 价值超过7.0。 在第一和第二CMP工艺之间进行清洁步骤以除去否则会在第二CMP工艺中导致不期望的颗粒形成的特定物质。

    SOLUTION FOR FIXED ABRASIVE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PROCESS AND FIXED ABRASIVE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD
    10.
    发明申请
    SOLUTION FOR FIXED ABRASIVE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PROCESS AND FIXED ABRASIVE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD 审中-公开
    固定磨料化学机械抛光工艺和固定磨料化学机械抛光方法的解决方案

    公开(公告)号：US20080125018A1

    公开(公告)日：2008-05-29

    申请号：US11563579

    申请日：2006-11-27

    申请人： CHAN LU ,  TENG-CHUN TSAI ,  CHIH-YUEH LI ,  KAI-GIN YANG

    发明人： CHAN LU ,  TENG-CHUN TSAI ,  CHIH-YUEH LI ,  KAI-GIN YANG

    IPC分类号： B24B29/02 ,  C09K3/14

    CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02

    摘要： A solution for fixed abrasive chemical mechanical polishing process including a protection constituent, a hydrolysis constituent and water is described. The protection constituent is used to protect a silicon nitride and its concentration is between 0.001 wt % and 10 wt %. The hydrolysis constituent is used to hydrolyze a silicon oxide and its concentration is between 0.001 wt % and 10 wt %. The concentration ofthe water is between 80 wt % and 99.998 wt %.

    摘要翻译： 描述了包括保护组分，水解组分和水的固定磨料化学机械抛光方法。 保护成分用于保护氮化硅，其浓度在0.001wt％至10wt％之间。 水解成分用于水解氧化硅，其浓度在0.001wt％至10wt％之间。 水的浓度在80wt％至99.998wt％之间。