公开(公告)号：US20100036644A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12188192

申请日：2008-08-07

申请人： Yu-Shiang Yang ,  Te-Hung Wu ,  Yung-Feng Cheng ,  Chuen Huei Yang ,  Hsiang-Yun Huang ,  Hui-Fang Kuo ,  Shih-Ming Kuo ,  Lun-Hung Chen

发明人： Yu-Shiang Yang ,  Te-Hung Wu ,  Yung-Feng Cheng ,  Chuen Huei Yang ,  Hsiang-Yun Huang ,  Hui-Fang Kuo ,  Shih-Ming Kuo ,  Lun-Hung Chen

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5068 ,  G06F2217/12 ,  Y02P90/265

摘要： A method to selectively amend a layout pattern is disclosed. First, a layout pattern including at least a first group and a second group is provided, wherein each one of the first group and the second group respectively includes multiple members. Second, a simulation procedure and an amendment procedure are respectively performed on all the members of the first group and the second group to obtain an amended first group and an amended second group. Then, the amended first group and the amended second group are verified as being on target or not. Afterwards, the layout pattern including the on target amended first group and the on target amended second group is output.

摘要翻译： 公开了一种选择性地修改布局图案的方法。 首先，提供包括至少第一组和第二组的布局图案，其中第一组和第二组中的每一个分别包括多个构件。 其次，分别对第一组和第二组的所有成员进行模拟程序和修改程序，以获得修改后的第一组和第二组。 然后，经修改的第一组和第二组被修正为目标。 之后，输出了包括目标修正的第一组和目标修正的第二组的布局模式。

公开(公告)号：US20090193385A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：US12019640

申请日：2008-01-25

申请人： Yu-Shiang Yang ,  Hui-Fang Kuo

发明人： Yu-Shiang Yang ,  Hui-Fang Kuo

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36

摘要： The present invention provides a method of checking and correcting a mask pattern. The method includes inputting a mask pattern, wherein the mask pattern includes at least a segment; inputting a process rule; selecting an edge, which fits in with an orientation model, as a target edge, wherein two ends of the target edge are an ahead direction and a behind direction, and the ahead direction and the behind direction each further comprise at least a checking point; identifying an interacting edge from the mask pattern along the checking directions; performing a process rule check to provide a correcting value; performing a first correction to provide a first bias to the target edge; and performing a second correction to provide a second bias to the interacting edge, wherein a sum of the first bias and the second bias equals the correcting value.

摘要翻译： 本发明提供一种检查和校正掩模图案的方法。 所述方法包括输入掩模图案，其中所述掩模图案至少包括一段; 输入流程规则; 选择与取向模型配合的边缘作为目标边缘，其中所述目标边缘的两端是前方和后方，所述前方向和后方依次还包括至少一检查点; 沿着检查方向从掩模图案识别相互作用边缘; 执行处理规则检查以提供校正值; 执行第一校正以向所述目标边缘提供第一偏置; 以及执行第二校正以向所述相互作用边缘提供第二偏置，其中所述第一偏压和所述第二偏压的和等于所述校正值。

公开(公告)号：US07943274B2

公开(公告)日：2011-05-17

申请号：US12246963

申请日：2008-10-07

申请人： Yu-Shiang Yang ,  Hui-Fang Kuo

发明人： Yu-Shiang Yang ,  Hui-Fang Kuo

IPC分类号： G03F1/00 ,  G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A mask pattern correction method is provided. The method comprises the following steps. An original layout, which has a plurality of device patterns, is provided. Then, a simulation process is performed on the device patterns to correspondingly form a plurality of simulated patterns. Thereafter, the simulated patterns are analyzed to select a plurality of unsaturated patterns from the simulated patterns. Finally, the device patterns in the original layout corresponding to the unsaturated patterns respectively are rotated.

摘要翻译： 提供了掩模图案校正方法。 该方法包括以下步骤。 提供了具有多个设备图案的原始布局。 然后，对设备图案进行模拟处理，以对应地形成多个模拟图案。 此后，分析模拟图案以从模拟图案中选择多个不饱和图案。 最后，分别对应于不饱和图案的原始布局中的装置图案旋转。

公开(公告)号：US20100086862A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12246963

申请日：2008-10-07

申请人： Yu-Shiang Yang ,  Hui-Fang Kuo

发明人： Yu-Shiang Yang ,  Hui-Fang Kuo

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A mask pattern correction method is provided. The method comprises the following steps. An original layout, which has a plurality of device patterns, is provided. Then, a simulation process is performed on the device patterns to correspondingly form a plurality of simulated patterns. Thereafter, the simulated patterns are analyzed to select a plurality of unsaturated patterns from the simulated patterns. Finally, the device patterns in the original layout corresponding to the unsaturated patterns respectively are rotated.

摘要翻译： 提供了掩模图案校正方法。 该方法包括以下步骤。 提供了具有多个设备图案的原始布局。 然后，对设备图案进行模拟处理，以对应地形成多个模拟图案。 此后，分析模拟图案以从模拟图案中选择多个不饱和图案。 最后，分别对应于不饱和图案的原始布局中的装置图案旋转。

公开(公告)号：US08423923B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US13186475

申请日：2011-07-20

申请人： Chia-Wei Huang ,  Ming-Jui Chen ,  Ting-Cheng Tseng ,  Hui-Fang Kuo

发明人： Chia-Wei Huang ,  Ming-Jui Chen ,  Ting-Cheng Tseng ,  Hui-Fang Kuo

IPC分类号： G06F17/50 ,  G03F1/00 ,  G03F7/00

CPC分类号： G03F1/70 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70441 ,  G03F7/70466

摘要： An optical proximity correction method is provided. A target pattern is provided, and then the target pattern is decomposed to a first pattern and a second pattern. The first pattern and the second pattern are alternately arranged in a dense region. Then, a compensation pattern is provided and it is determined whether the compensation pattern is added into the first pattern to become a first revised pattern, or into the second pattern to become a second revised pattern. Finally, the first revised pattern is output onto a first mask and the second revised pattern is output onto a second mask.

摘要翻译： 提供了一种光学邻近校正方法。 提供目标图案，然后将目标图案分解为第一图案和第二图案。 第一图案和第二图案交替地布置在致密区域中。 然后，提供补偿模式，并且确定补偿模式是否被添加到第一模式中以变为第一修改模式，或者确定是否到第二模式以变为第二修改模式。 最后，将第一修改图案输出到第一掩码上，将第二修改图案输出到第二掩码。

公开(公告)号：US08042069B2

公开(公告)日：2011-10-18

申请号：US12188192

申请日：2008-08-07

申请人： Yu-Shiang Yang ,  Te-Hung Wu ,  Yung-Feng Cheng ,  Chuen Huei Yang ,  Hsiang-Yun Huang ,  Hui-Fang Kuo ,  Shih-Ming Kuo ,  Lun-Hung Chen

发明人： Yu-Shiang Yang ,  Te-Hung Wu ,  Yung-Feng Cheng ,  Chuen Huei Yang ,  Hsiang-Yun Huang ,  Hui-Fang Kuo ,  Shih-Ming Kuo ,  Lun-Hung Chen

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5068 ,  G06F2217/12 ,  Y02P90/265

摘要： A method to selectively amend a layout pattern is disclosed. First, a layout pattern including at least a first group and a second group is provided, wherein each one of the first group and the second group respectively includes multiple members. Second, a simulation procedure and an amendment procedure are respectively performed on all the members of the first group and the second group to obtain an amended first group and an amended second group. Then, the amended first group and the amended second group are verified as being on target or not. Afterwards, the layout pattern including the on target amended first group and the on target amended second group is output.

摘要翻译： 公开了一种选择性地修改布局图案的方法。 首先，提供包括至少第一组和第二组的布局图案，其中第一组和第二组中的每一个分别包括多个构件。 其次，分别对第一组和第二组的所有成员进行模拟程序和修改程序，以获得修改后的第一组和第二组。 然后，经修改的第一组和第二组被修正为目标。 之后，输出了包括目标修正的第一组和目标修正的第二组的布局模式。

公开(公告)号：US07797656B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US12019640

申请日：2008-01-25

申请人： Yu-Shiang Yang ,  Hui-Fang Kuo

发明人： Yu-Shiang Yang ,  Hui-Fang Kuo

IPC分类号： G06F9/45 ,  G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36

摘要： The present invention provides a method of checking and correcting a mask pattern. The method includes inputting a mask pattern, wherein the mask pattern includes at least a segment; inputting a process rule; selecting an edge, which fits in with an orientation model, as a target edge, wherein two ends of the target edge are an ahead direction and a behind direction, and the ahead direction and the behind direction each further comprise at least a checking point; identifying an interacting edge from the mask pattern along the checking directions; performing a process rule check to provide a correcting value; performing a first correction to provide a first bias to the target edge; and performing a second correction to provide a second bias to the interacting edge, wherein a sum of the first bias and the second bias equals the correcting value.

摘要翻译： 本发明提供一种检查和校正掩模图案的方法。 所述方法包括输入掩模图案，其中所述掩模图案至少包括一段; 输入流程规则; 选择与取向模型配合的边缘作为目标边缘，其中所述目标边缘的两端是前方和后方，所述前方向和后方依次还包括至少一检查点; 沿着检查方向从掩模图案识别相互作用边缘; 执行处理规则检查以提供校正值; 执行第一校正以向所述目标边缘提供第一偏置; 以及执行第二校正以向所述相互作用边缘提供第二偏置，其中所述第一偏压和所述第二偏压的和等于所述校正值。

公开(公告)号：US20130280645A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：US13455113

申请日：2012-04-24

申请人： Hui-Fang Kuo ,  Ming-Jui Chen ,  Ting-Cheng Tseng ,  Cheng-Te Wang

发明人： Hui-Fang Kuo ,  Ming-Jui Chen ,  Ting-Cheng Tseng ,  Cheng-Te Wang

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F7/203 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70466

摘要： A mask set for double exposure process and method of using said mask set. The mask set is provided with a first mask pattern having a first base and a plurality of first teeth and protruding portions, and a second mask pattern having a second base and a plurality of second teeth, wherein the second base may at least partially overlap the first base such that each of the protruding portions at least partially overlaps one of the second teeth.

摘要翻译： 用于双曝光处理的掩模组和使用所述掩模组的方法。 掩模组具有第一掩模图案，其具有第一基底和多个第一齿和突出部分，第二掩模图案具有第二基底和多个第二牙齿，其中第二基底可以至少部分地与 第一基座，使得每个突出部分至少部分地与第二齿中的一个齿重叠。

公开(公告)号：US08778604B2

公开(公告)日：2014-07-15

申请号：US13455113

申请日：2012-04-24

申请人： Hui-Fang Kuo ,  Ming-Jui Chen ,  Ting-Cheng Tseng ,  Cheng-Te Wang

发明人： Hui-Fang Kuo ,  Ming-Jui Chen ,  Ting-Cheng Tseng ,  Cheng-Te Wang

IPC分类号： G03C5/00

CPC分类号： G03F7/203 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70466

摘要： A mask set for double exposure process and method of using said mask set. The mask set is provided with a first mask pattern having a first base and a plurality of first teeth and protruding portions, and a second mask pattern having a second base and a plurality of second teeth, wherein the second base may at least partially overlap the first base such that each of the protruding portions at least partially overlaps one of the second teeth.

摘要翻译： 用于双曝光处理的掩模组和使用所述掩模组的方法。 掩模组具有第一掩模图案，其具有第一基底和多个第一齿和突出部分，第二掩模图案具有第二基底和多个第二牙齿，其中第二基底可以至少部分地与 第一基座，使得每个突出部分至少部分地与第二齿中的一个齿重叠。

公开(公告)号：US20130024824A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：US13186475

申请日：2011-07-20

申请人： Chia-Wei Huang ,  Ming-Jui Chen ,  Ting-Cheng Tseng ,  Hui-Fang Kuo

发明人： Chia-Wei Huang ,  Ming-Jui Chen ,  Ting-Cheng Tseng ,  Hui-Fang Kuo

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/70 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70441 ,  G03F7/70466

摘要： An optical proximity correction method is provided. A target pattern is provided, and then the target pattern is decomposed to a first pattern and a second pattern. The first pattern and the second pattern are alternately arranged in a dense region. Then, a compensation pattern is provided and it is determined whether the compensation pattern is added into the first pattern to become a first revised pattern, or into the second pattern to become a second revised pattern. Finally, the first revised pattern is output onto a first mask and the second revised pattern is output onto a second mask.

摘要翻译： 提供了一种光学邻近校正方法。 提供目标图案，然后将目标图案分解为第一图案和第二图案。 第一图案和第二图案交替地布置在致密区域中。 然后，提供补偿模式，并且确定补偿模式是否被添加到第一模式中以变为第一修改模式，或者确定是否到第二模式以变为第二修改模式。 最后，将第一修改图案输出到第一掩码上，将第二修改图案输出到第二掩码。