公开(公告)号：US20080096385A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11862443

申请日：2007-09-27

申请人： Seok Kim ,  Hyu Park ,  Ki Yang ,  Gyu Jin

发明人： Seok Kim ,  Hyu Park ,  Ki Yang ,  Gyu Jin

IPC分类号： H01L21/4763 ,  C09K13/00 ,  C09K13/02

CPC分类号： C09K3/1409 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device with a slurry composition for forming a tungsten pattern. The method comprises: forming a trench in an insulating film formed on a substrate; depositing a tungsten film over the insulating film including the trench; first polishing a tungsten film with a first slurry for polishing metal to expose the insulating film, the polishing selectivity ratio of the first slurry onto tungsten/insulating film being range from 30 to 100; and second polishing the insulating film and the tungsten film with a second slurry, the polishing selectivity ratio of the second slurry onto insulating film/tungsten being range from 3 to 500. The method reduces a thickness difference of tungsten patterns, thereby improving a production yield of semiconductor devices.

摘要翻译： 一种制造具有用于形成钨图案的浆料组合物的半导体器件的方法。 该方法包括：在形成在基板上的绝缘膜中形成沟槽; 在包括沟槽的绝缘膜上沉积钨膜; 首先用用于抛光金属的第一浆料抛光钨膜以暴露绝缘膜，第一浆料对钨/绝缘膜的抛光选择率为30至100; 并用第二浆料二次抛光绝缘膜和钨膜，第二浆料在绝缘膜/钨上的抛光选择比在3〜500的范围内。该方法减小了钨图案的厚度差异，从而提高了生产率 的半导体器件。