公开(公告)号：US20080283972A1

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：US10586675

申请日：2004-12-22

申请人： Ekkehard Muh ,  Hartwig Rauleder ,  Harald Klein ,  Jaroslaw Monkiewicz ,  Iordanis Savvopoulos

发明人： Ekkehard Muh ,  Hartwig Rauleder ,  Harald Klein ,  Jaroslaw Monkiewicz ,  Iordanis Savvopoulos

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/31

CPC分类号： C23C16/401 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31612

摘要： The present invention relates to a process for producing an SiO2-containing insulating layer on chips and the use of specific precursors for this purpose. The invention further relates to an insulating layer obtainable in this way and also to chips which have been provided with such an insulating layer.

摘要翻译： 本发明涉及一种在芯片上制备含SiO 2的绝缘层的方法以及为此目的使用特定的前体。 本发明还涉及以这种方式获得的绝缘层，还涉及已经设置有这种绝缘层的芯片。