公开(公告)号：US5672449A

公开(公告)日：1997-09-30

申请号：US515409

申请日：1995-08-15

申请人： Hans Loschner ,  Feng Shi ,  Ivaylo W. Rangelow

发明人： Hans Loschner ,  Feng Shi ,  Ivaylo W. Rangelow

IPC分类号： G03F7/38 ,  C25F3/12 ,  G03F1/20 ,  G03F1/22 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/308 ,  H01L29/84 ,  G03F9/00

CPC分类号： C25F3/12 ,  G03F1/20 ,  G03F1/22

摘要： A silicon membrane for use as a micromechanical sensor or as a mask for projection lithography is fabricated by doping a silicon wafer to different thicknesses at different portions and then electrochemically etching away the undoped portion of the wafer.

摘要翻译： 用作微机械传感器的硅膜或用于投影光刻的掩模通过在不同部分掺杂不同厚度的硅晶片，然后电化学蚀刻掉晶片的未掺杂部分来制造。

公开(公告)号：US6156217A

公开(公告)日：2000-12-05

申请号：US180268

申请日：1999-04-30

申请人： Ernst Hammel ,  Hans Loschner ,  Ivaylo W. Rangelow

发明人： Ernst Hammel ,  Hans Loschner ,  Ivaylo W. Rangelow

IPC分类号： G03F1/20 ,  H01L21/027 ,  B44C1/22 ,  C03C25/68 ,  C23F1/08 ,  C25F3/00 ,  H01L21/31

CPC分类号： G03F1/20

摘要： A method for the purpose of producing a stencil mask, which comprises a sheet having structures in the form of orifices, wherein the method comprises the following sequence of steps:a) selecting a planar, two-dimensional substrate consisting of a specific material comprising a thickness greater than 50 .mu.m,b) producing a thin layer, the so-called intermediate layer on the upper side of the substrate,c) structuring this intermediate layer by means of a lithographic process with the structures for the mask which is to be produced,d) etching the lower side of the substrate at least in the region of the structures provided for the mask orifices, until the substrate comprises in this region a predetermined membrane thickness less than 50 .mu.m,e) etching the upper side of the membrane using the structured intermediate layer as a masking layer, in order to form in this membrane the orifices of the mask which orifices correspond to the structures of the intermediate layer, andf) removing the intermediate layer.

摘要翻译： PCT No.PCT / AT97 / 00096 Sec。 371日期1999年4月30日 102（e）1999年4月30日PCT PCT 1997年5月13日PCT公布。 出版物WO97 / 43694 日期1997年11月20日一种用于制造模板掩模的方法，其包括具有孔口形式的结构的片材，其中所述方法包括以下步骤顺序：a）选择平面的二维基底，其由 包括厚度大于50μm的特定材料，b）制造薄层，在基底上侧的所谓中间层，c）通过光刻工艺构造该中间层，其结构为 要制造的掩模，d）至少在为掩模孔提供的结构的区域内蚀刻基底的下侧，直到基底在该区域中包含小于50μm的预定膜厚度，e）蚀刻 膜的上侧使用结构化中间层作为掩蔽层，以便在该膜中形成孔口的孔口，孔口对应于中间层的结构 呃，和f）去除中间层。

公开(公告)号：US6136160A

公开(公告)日：2000-10-24

申请号：US349936

申请日：1999-07-08

申请人： Pavol Hrkut ,  Peter Hudek ,  Ivaylo W. Rangelow ,  Hans Loschner

发明人： Pavol Hrkut ,  Peter Hudek ,  Ivaylo W. Rangelow ,  Hans Loschner

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C14/00

CPC分类号： C23C14/5806 ,  B82Y30/00 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/35

摘要： In order to process a carbon film carbon is deposited on a substrate by sputtering from a carbon sputter target in a gas mixture which contains nitrogen in a minimum proportion of 20% and a sputter gas at a predetermined gas pressure and the substrate is then subjected under a high vacuum to thermal treatment at a temperature above 100.degree. C. The carbon films produced in this manner comprise a fiber and/or tube structure which extends substantially perpendicular to the film.

摘要翻译： 为了处理碳膜，通过溅射从碳溅射靶在含有最小比例的20％的氮气和预定气体压力的溅射气体的气体混合物中将碳碳沉积在基底上，然后将基底在 在高于100℃的温度下进行热处理的高真空。以这种方式制造的碳膜包括基本垂直于膜延伸的纤维和/或管结构。