公开(公告)号：US06541280B2

公开(公告)日：2003-04-01

申请号：US09811656

申请日：2001-03-20

申请人： Vidya S. Kaushik ,  Bich-yen Nguyen ,  Srinivas V. Pietambaram ,  James Kenyon Schaeffer, III

发明人： Vidya S. Kaushik ,  Bich-yen Nguyen ,  Srinivas V. Pietambaram ,  James Kenyon Schaeffer, III

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L28/40 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

摘要： A dielectric layer comprises lanthanum, aluminum and oxygen and is formed between two conductors or a conductor and substrate. In one embodiment, the dielectric layer is graded with respect to the lanthanum or aluminum. In another embodiment, an insulating layer is formed between the conductor or substrate and the dielectric layer. The dielectric layer can be formed by atomic layer chemical vapor deposition, physical vapor deposition, organometallic chemical vapor deposition or pulsed laser deposition.

摘要翻译： 介电层包括镧，铝和氧，并且形成在两个导体或导体和衬底之间。 在一个实施例中，电介质层相对于镧或铝分级。 在另一个实施例中，在导体或基底与电介质层之间形成绝缘层。 电介质层可以通过原子层化学气相沉积，物理气相沉积，有机金属化学气相沉积或脉冲激光沉积形成。