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    Radio frequency circuit with integrated on-chip radio frequency signal coupler
    1.
    发明申请
    Radio frequency circuit with integrated on-chip radio frequency signal coupler 有权
    具有集成片上射频信号耦合器的射频电路

    公开(公告)号：US20060141979A1

    公开(公告)日：2006-06-29

    申请号：US11021843

    申请日：2004-12-23

    申请人： Lianjun Liu ,  Jonathan Abrokwah ,  Marcus Ray

    发明人： Lianjun Liu ,  Jonathan Abrokwah ,  Marcus Ray

    IPC分类号： H01L21/338

    CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01L23/66 ,  H01L27/016 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/3011 ,  H01P5/185 ,  H01L2924/00

    摘要： A radio frequency (“RF”) circuit configured in accordance with an embodiment of the invention is fabricated on a substrate using integrated passive device (“IPD”) process technology. The RF circuit (which may be, for example, a harmonic filter) includes at least one RF signal line section and an integrated RF coupler located proximate to the RF signal line section. The integrated RF coupler, its output and grounding contact pads, and its matching network are fabricated on the same substrate using the same IPD process technology. The integrated RF coupler provides efficient and reproducible RF coupling without increasing the die footprint of the RF circuit.

    摘要翻译： 根据本发明的实施例构造的射频（“RF”）电路使用集成无源器件（“IPD”）处理技术在基板上制造。 RF电路（其可以是例如谐波滤波器）包括至少一个RF信号线部分和位于RF信号线部分附近的集成RF耦合器。 使用相同的IPD工艺技术，在同一基板上制造集成RF耦合器，其输出和接地接触焊盘及其匹配网络。 集成RF耦合器提供高效和可重复的射频耦合，而不增加射频电路的裸片占空比。

    Low subthreshold leakage current HFET
    2.
    发明授权
    Low subthreshold leakage current HFET 失效
    低亚阈值漏电流HFET

    公开(公告)号：US5895929A

    公开(公告)日：1999-04-20

    申请号：US110976

    申请日：1998-07-07

    申请人： Jonathan Abrokwah ,  Rodolfo Lucero ,  Bruce Bernhardt

    发明人： Jonathan Abrokwah ,  Rodolfo Lucero ,  Bruce Bernhardt

    IPC分类号： H01L29/80 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/072 ,  H01L31/109

    CPC分类号： H01L29/802

    摘要： A low subthreshold leakage current, p-channel HFET including a GaAs supporting substrate with a first GaAs buffer layer and a first Al.sub.0.75 Ga.sub.0.25 As diffusion barrier layer formed thereon and a low temperature grown layer, including one of GaAs and AlGaAs, grown at 200.degree. C. on the first diffusion barrier layer. A second Al.sub.0.75 Ga.sub.0.25 As diffusion barrier layer is positioned on the low temperature grown layer and a second GaAs buffer layer is grown on the second diffusion barrier layer. A p-channel HFET is formed on the second buffer layer.

    摘要翻译： 低亚阈值漏电流，p沟道HFET，包括具有第一GaAs缓冲层的GaAs支撑衬底和形成在其上的第一Al 0.75 Ga 0.25 As扩散阻挡层，以及包括GaAs和AlGaAs中的一种的低温生长层，其生长在 在第一扩散阻挡层上为200℃。 第二Al 0.75 Ga 0.25 As扩散阻挡层位于低温生长层上，第二GaAs缓冲层生长在第二扩散阻挡层上。 在第二缓冲层上形成p沟道HFET。

    Method of forming an electrically insulating layer on a compound semiconductor
    5.
    发明申请
    Method of forming an electrically insulating layer on a compound semiconductor 审中-公开
    在化合物半导体上形成电绝缘层的方法

    公开(公告)号：US20070082505A1

    公开(公告)日：2007-04-12

    申请号：US11248923

    申请日：2005-10-11

    申请人： Jonathan Abrokwah ,  Ravindranath Droopad ,  Matthias Passlack

    发明人： Jonathan Abrokwah ,  Ravindranath Droopad ,  Matthias Passlack

    IPC分类号： H01L21/31

    CPC分类号： H01L21/02271 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/517

    摘要： A method of forming an electrically insulating layer (130) on a compound semiconductor (110) comprises: providing a compound semiconductor structure; preparing an upper surface (111) of the compound semiconductor structure to be chemically clean; forming a template (120) on the compound semiconductor structure using a first precursor in a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) system or a chemical beam epitaxy (CBE) system; and introducing oxygen and a second precursor to the MOCVD system in order to form the electrically insulating layer.

    摘要翻译： 在化合物半导体（110）上形成电绝缘层（130）的方法包括：提供化合物半导体结构; 制备待化学清洁的化合物半导体结构的上表面（111）; 在金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统或化学束外延（CBE）系统中使用第一前体在化合物半导体结构上形成模板（120）; 并向MOCVD系统引入氧气和第二前体以形成电绝缘层。